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1、M8900概述：M8900 是一款原边反馈、带单级有源 PFC 高精度的 LED 恒流控制芯片，M8900 集成了单级有源 PFC 线路，可实现较高的功率因素和很低的总谐波失真，芯片可以进入准谐振模式，从而实现较高的效率和降低的开关损耗。M8900 内置了多重保护功能来保证系统的可靠性，包含 LED 开路保护、芯片过压保护和 UVLO 欠压保护、 LED 短路保护、逐周期限流等。特点： 应用：原边反馈省去光耦和 TL431 等器件 LED 筒灯、射灯单级有源功率因素校正 PF0.9 LED 平板灯、天花灯高精度的 LED 恒流输出 LED T8 灯管、T5 灯管超低启动电流 10uA（TPY）
2、 LED PAR30、PAR38 灯谷开关技术、较低 MOS 管的开关损耗 LED 短路和 LED 开路保护优异的线电压调整率和负载调整率采用 SOP8 封装典型应用：图 1 M8900 典型应用管脚信息：图 2 SOP-8（顶部视图）管脚描述：管脚名称 管脚号 管脚描述COMP 1 环路补偿INV 2 反馈信号采样、电流过零检测、当 VINV 高于 1.5V，IC 过压保护启动SEN 3 电流采样，接采样电阻NC 4、7 悬空DRV 5 外部功率 MOS 管栅极驱动脚VDD 6 芯片供电脚、LED 开路检测、VDD 过压保护GND 8 接地（原边 IC 接地和功率地线）产品包装信息：型号 封
3、装 包装形式 丝印打字M8900 SOP-8 编带 2.5K/盘COMPINVSENNC DRVVDDNCGNDM8900芯片使用时极限参数：符号 参数 最大值 单位VDD、VDRV 芯片供电电压，VDRV 脚电压 18 伏(V)VINV 反馈信号采样脚电压 VDD+0.3 伏(V)SEN、COMP VSEN,VCOMP 脚电压 3.6 伏(V)PDMAX SOP-8 功耗 1.1 瓦(W)结点温度 TJ 125 摄氏度( )贮藏温度 TSTG -25 至 150 摄氏度( )推荐使用工作范围：符号 参数 最大值 单位VDD、VDRV 芯片供电电压，VDRV 脚电压 16 伏(V)VINV 反
4、馈信号采样脚电压 VDD+0.3 伏(V)SEN、COMP VSEN,VCOMP 脚电压 3.3 伏(V)结点温度 TJ -25至 125 摄氏度( )环境温度范围 TA -25 至 85 摄氏度( )注 1：芯片超过了最大指定值，有可能造成芯片损坏，请严格按照推荐的参数范围使用，对于未给定上下限值的参数，此规范不予保证其精度，典型值合理的反映了器件的性能。注 2：温度升高最大功耗一定会减小，这是由 TJMAX，JA 和环境温度 TA 所决定。芯片内部结构框图：电气参数：无特别说明情况下，VDD=12V，TA=25参数描述 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位输入电压范围 VDD 8.
5、5 18 V启动电流 Istart 10 uA工作电流 Iin 10 mAVSEN 0.5 VIsource 1 ADRV 脚驱动输出峰值电流 Isink 2 AVDD 过压保护阈值 VDD_OVP 19 VVDD 欠压保护阈值 VDD_UVLO 7.5 V最大工作频率 fMAX 100 KHz最大导通时间 Ton_MAX Vcomp=1.5V 27 us最大关断时间 Toff_MAX 33 us最小导通时间 Ton_MIN 240 400 nsIsink 1 mA过零检测Isource 1 mA过压保护阈值 FB 引脚Vovp 1.5 V内部电压基准 Vref 0.3 V应用信息：M8900
6、 是一款原边反馈、单级有源 PFC LED 恒流控制芯片，工作在电感电流临界连续模式，芯片可以实现很高的功率因素和较高的效率。VDD 引脚使用注意事项：VDD 为 IC 供电脚。当 IC 初始启动时需要原边高压侧供电，启动后为辅助绕组供电。初始启动时，因为原边高压侧供电，故调整启动电阻值，可以改变启动时间；如果在低压情况下启动不了，也可以减小启动电阻得以改善。启动后辅助绕组供电建议设置辅助绕组为11V 来供电。不宜太高，建议低于 12V。若采用 11V，则辅助绕组匝数 Naux= Ns*11/(Vout+VDF)，VDF 为输出二极管压降，Ns 为副边匝数。COMP 脚使用注意事项：COMP
7、脚为补偿脚，此脚对地接法如下图 4 所示：COMP 脚对 GND 所接的补偿值的大小对 IC 工作较为重要。在高压 220VAC 或者更高时，需要 PF0.9 时，增大 C6 的容值 1uF2.2uF,即可。 （如果 M8900 实际测试的时候，PF 值在 0.8 以下的，大都是变压器或者其它设计问题，改变这个电容是改善不了的）,PCB 布板的时候，如果有空间足够的话，可以把 C 加上，大概在 100pF0.1uF，该电容可起到滤除高频噪声的作用。图 4SEN 和 DRV 脚使用注意事项：SEN 脚为电流检测脚，此脚引线直接连接到原边 MOS 管的源级（不能串接电阻） ，输出电流 Iout=0
8、.05*n/Rsen，n 为原副边匝比比值， Rsen 为采样电阻阻值。走线要尽量粗且短。DRV 为 MOS 管栅极驱动脚。在 DRV 脚和 MOS 管 G 极(栅极)之间连接一驱动电阻 R，是为了改变 MOS 管开通及关断速度，R 通常取值 10 或 20。MOS 管栅极对地要接一个 R1 为 10K 电阻，是为了当 IC 停止工作时，让栅源级间电容的电荷通过此电阻 R1 放掉，以防止 MOS 管栅级悬空后误动作。在某些场合对 EMI 要求比较高的情况下，可加大驱动电阻 R ，减小开关速度，改善 EMI。INV 脚使用注意事项：INV 脚的电压高于 1.5V 700nS 的时候，IC 将进入
9、过压保护，首先确定好输出 Vo/Vp 值，根据下面的公式 计算出正常工作时 INV 脚的电压 VINV: Vaux 为辅助绕组输出电压，为 IC 供电，即 VDD，我们一般设置为 11V，R3 通常选用200K。INV 上的的两个电阻值还与恒流精度有关，当 Vin 增大时，如果 Iout 会增加，则同时减少 Vout 上的两个分压电阻，比例不变。当 Vin 减少时，如果 Iout 会减少，则同时增加 Vout 上的两个分压电阻，比例不变。图 5PCB 布板时注意事项： SEN pin 到 MOS S 端线尽量粗且短。 输入测电流回路面积尽量小。 电流采样线和驱动线避免平行布线。 去耦电容靠近芯片。 芯片
