[工学]09级技能大赛试题

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1、1一、填空题A 类1 半导体是一种导电能力介于 导体 与 半导体 之间的物质。2 半导体按导电类型分为 p 型半导体与_n_型半导体。3 N 型半导体主要靠 电子 来导电，P 型半导体主要靠（空穴） 来导电。4 PN 结具有 单向导电性 性能，即加正向电压时， PN 结 截止 ;加反向电压时，PN 结 导通 ，5 晶体二极管主要参数是 最大整流电流 与 最高反向电压 。6 晶体二极管按所用的材料可分为 硅管 和 锗管 两类；按 PN 结的结构特点分为点接触型二极管和 面接触二极管 两种。7PN 结的正向接法是 P 型区接电源的 正 极，N 型区接电源的 负 极。8晶体二极管的伏安特性可简单理解

2、为 正向 导通， 反向 截止的物特性。导通后，硅管的管压降约为 0.7 ，锗管约为 0.2 9P 型半导体中的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 电子 。10N 型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。11晶体三极管的三个电极分别称为 发射 极、 集 极和 集电 极，它们分别用字母 e 、 b 和 c 来表示。12为了使晶体三极管在放大器中正常工用，发射结须加 正 电压，集电结须加 负 电压。13由晶体三极管的输出特性可知，它有 饱和区 ， 截止区 和 放大区 三个区域。14晶体三极管是由两个 PN 结构成的一种半导体器件，其中一个 PN 结叫做 发射结 ，另一个叫做 集电结

3、，15晶体三极管有 pnp 型和 npn 两种，硅管以 npn 型居多，锗管以 pnp 型居多。16晶体三极管具有电流放大作用的条件是：第一，使 发射 区的多数载流子浓度高， 发射 区的面积大， 集区 区尽可2能地薄；第二、使 发射 结正向偏置， 基电 结反向偏置。17晶体三极管发射极电流 Ie、基极电流 Ib 和集电极电流 Ie 之间的关系是 。其中 Ie/ Ib叫做 ，用字母 表示；Ie/ I b叫做 ，用字母 表示。18晶体三极管的电流放大作用，是通过改变 电流来控制 电流的，其实质是以 电流控制 电流。19硅晶体三极管的饱和电压降为 ，锗晶体三极管的饱和电压降为 。20硅晶体三极管发射

4、结的导通电压约为 ，锗晶体三极管发射的导通电压约为 。21当晶体三极管截止时，它的发射结必须是 偏置，集电结必须是 或 偏置。22当晶体三极管处于饱和状态时，安的发射结必定加 电压，集电结必定加 或电压。23当晶体三极管的 Uce 一定时，基极与发射极间的电压 Ube 与基极电流 Ib 之间的关系曲线称为 基极电流 Ib 一定时，集电极与发射极间的电压 Uce 与集电极电流 Ie的关系曲线称为 。24晶体三极管的电流放大系数太小时，电流放大作用将 ；而电流放大系数太大时，又会使晶体三极管的性能 。25晶体三极管的穿透电流 Iceo 随温度的升高而增大，由于硅三极管的穿透电流比锗三极管 ，所以硅

5、三极管的 比锗三极管好。B 类1在判别锗、硅晶体二极管时，当测出正向电压为 时，就认为此晶体二极管为锗二极管；当测出正向电压为 时，就认为此二极管为硅二极管。2PN 结中的内电场阻止多数载流子的 运动，促进少数载流子的 运动。3NPN 型晶体三极管的发射区是 型半导体，集电区是 型半导体，基区是 型半导体。4有一个晶体管继电器电路，其晶体管与继电器的吸引线圈相串联，继电器的动作电流为 6mA。若晶体三极管的直流电放大系数=50，要使继电器开始动作，晶体三极管的基极电流至少为 3。52AP 系列晶体二极管是 材料做成的，其工作温度较 ，2CP、2CZ 系列晶体二极管是 材料做成的，其工作温度较

6、。6点接触型晶体二极管因其结电容 ，可用于 和 的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于 的场合。7按用途可的把晶体二极管分为 、 、 、 、 等。8晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的 相似，晶体三极管输入特性的最重要参数是交流输入电阻，它是 和 的比值。C 类1晶体二极管的直流电阻(即静态电阻)定义为 ，如果工作点改变，交流电阻 。2晶体二极管的交流电阻(即动态电阻)定义为 ，如果工作点改变，交流电阻 。3晶体二极管的结电容 C 包含两部分： 和 ，一般 占主要地位。4晶体三极管的伏安特性曲线反映了各极之间的 和 关系，对了解和使用晶体三极管是非常重要的。晶体三极管的伏安特性曲线

7、可分为 和 两类。5晶体三极管的输入电阻可分成直流输入电阻 Rbe和交流输入电阻 rbe, Rbe= , rbe= 。工作点变化时，输入电阻 。6晶体三极管的穿透电流 Iceo定义为 。它是由 产生的，随温度的增高 。7 晶体三极管的集电极 发射极击穿电压 BVceo定义为 ，BV ceo随温度增高 。8在图 1-1 中分档开关与1 端接通时，电压表 V 的读数是 10V，毫安表 mA 的读数是20mA。若忽略晶体二极管的正向电阻、电池的内阻和毫安表4的内阻，并认为电压表的内阻和晶体二极管的反向电阻为无穷大，则开关 S 与 2 端接通时，毫安表 mA 的读数应为 ，电压表 V的读数为 ；而当开

8、关与 3 端接通时，mA 的读数为 ，V 的读数应为 。图 1-19晶体三极管的集电极最大允许电流 Icm定义为 ，它是晶体三极管工作电流的上限。二、判断题(对的画 ，错的画 X)A 类1有一个晶体三极管接在电路中，今测得它的三个管脚电位分别为-9V、-6V 和-6.2V，说明这个晶体三极管是锗 PNP 管。( )2晶体三极管由两个 PN 结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来做成晶体三极管使用。( )3因为晶体三极管的发射区的杂质浓度比基区的杂质浓度小得多，所以不能用两个晶体二极管反向连接起来代替晶体三极管。( )4晶体三极管相当于两个反向连接的晶体二极管，所以基术断开后还可以作为晶体二

9、极管使用。( )5晶体二极管加反向电压时，反向电流很小，所以晶体三极管的集电结加反向电压时，集电极电流必然很小。( )6N 型半导体的多数载流子是电子，因此 N 型半导体带负电。( )7P 型半导体的多数载流子是空穴，因此 P 型半导体带正电。( )8晶体二极管是根据 PN 结单向导电的特性制成的，因此晶体二极管也具有单向导电性。( )9当晶体二极管加反向电压时，晶体二极管将有小的反向电流通过，这个反向电流是由 P 型和 N 型半导体中的少数载流子的漂移运动产生的。( )10当晶体二极管加正向电压时，晶体二极管将有很大的正向电流通过，这个正向电流是由 P 型和 N 型半导体中的多数载流子的扩散

10、运动产生的。( )11若晶体三极管发射结处于反向偏置，则其处于截止状态。( )12发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定的工作在放大状态。( )513空穴和电子一亲，都是载流子。( )14.在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。( )15一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减少。( )16常温下，硅晶体三极管的 Ube=0.7V。且随温度升高 Ube 也增加。( )B 类1用万用表识别晶体二极管的极性时，若测的是晶体二极管的正向电阻，那么，和标有“+”号的测试棒相边接的是晶体的二极管的正极，另一端是负极。( )2国产小功率晶体三极管的务管脚的极性如图 1-2 所示。

11、( )3N 型半导体是在本征半导体中，加少量的三价元素构成的杂质半导体。( )4P 型半导体是在本征半导体中，加入少量的五价元素构成的杂质半导体。( )5在 N 型半导体中，自由电子的数目比空穴数目多得多，故自由电子称为多数载流子，空穴为少数载流子。( )图 126在 P 型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。( )7当外加反向电压增加时，PN 结的结电容减少。( )8一般来说，硅晶体二极管的死区电压。小于锗晶体二检管的死区电压。( )C 类1晶体三极管的基区之所以做得很薄，是为了减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使由发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电

12、流。2在图 1-3 所示的电路中，晶体二极管 V 若为硅管则能导通，为锗管则不导通。( )3在图 1-4 所示电路中，断开或接上晶体二极管 V 对电流表 A的读数没有影响。( )4当外加电压为零时，PN 结的电容最小。( ) c6图 1-35当反向电压小于反向击穿电压时，晶体二极管的反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增大。( )6晶体二极管地击穿后立即烧毁。( )7特定的晶体二极管，其静态电阻是固定不变的，但动态电阻则随工作的变化而改变。( )8特定的晶体三极管，如环境温度不变，其输入电阻和放大倍数是固定不变的。( )9当晶体三极管的工作电流小于集电极最大允许电流，且

13、Uce小于 BVceo 时，晶体三极管就能安全工作。( )图 1-4三、选择题 (将正确答案的序号写在括号内)A 类1当 PN 结两端加正向电压时，那么参加导电的是( )。a. 多数载流子； b. 少数载流子； c.既有多数载流子又有少数载流子2如果晶体二极管的正、反向电阻都很大，则该晶体二极管( )。a. 正常； b. 已被击穿； c.内部断路3如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零，则该晶体二极管( )。a. 正常； b. 已被击穿； c.内部断路4当晶体三极管的两个 PN 结都反偏时，则晶体三极管处于( )。a. 饱和状态； b. 放大状态； c.截止状态5当晶体三极管的两个 PN 结都正偏时，则晶体三极管处于( )。a. 截止状态； b. 放大状态； c.饱和状态6当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体三极管处于( )。a. 放大状态； b. 饱和状态； c.截止状态77晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将( )。a. 随基极电流的增加而增加； b.随基极电流的增加而减小 ；c.与基极电流变化无关，只决定于 Ec和 Rc8. 当晶体三极管的