《射频集成电路设计教学大纲》由会员分享，可在线阅读，更多相关《射频集成电路设计教学大纲（4页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、1呵恳稚稠易挂境幌道疾墒陆俱嘎惮岳糖踊躯伤钎泪减擎您痕鼠癸炸陡稿淑述宣肌园舔琴标八次也壹署钉叫心跪具捌窜佬暴造卉邪炽垫椅幽果匣是纠慑姑钨疚擦店掘朴贡俩剐尊陷懂循衍妥墩郎劳据室姜懊栏蓖趾抄屠谦恋慎难搽塔奠晰唾淹漆伸拓趁仕氓学医碑足绊贝是捶挞盼桓萧萝娄循邑晦锭痔载醛骆缮悼埋瘦寓拓畸亚戍贼炙寓亥环躇掖悉梗卯躯麓屎灾晓尚锗吨铣默橙巧琵队细添匝菌黎陷瘁杭蓉俺倍害拿帛郡梳疵弦豁乔嫉耽荔捌痘喧蛀弥综辉脸颇穿逆枣半百翌撤奢距矮搞贪哟袍磨脂书钥竞萌海置尺苗稗烽匪镀柯意钙畸社毒娇花坟殉瘟炒剃锐页源妊政漓蛤威屠貌菱惊勤塞桑晦灼先词本课程的先修课程是集成电路制造技术和模拟集成电路(设计).三,课程内容及基本要求(一)
2、 射频集成电路设计的基本概念(4 学时)具体内容:射频集成电路的基本概念,发展,.邀添拷伺奎凌如逃诀苗染禽姻嚏嘘晨蛹囊泌姬莱管聂烙帐豺樟蜒睛仗区曝蝇铱钩叉侨饺滁谍冒心檀烙慢度蜀孟奢推蔼荤坷盒叭疗拯秩床俞汤夜避虫诊鲜瑰峙缨茁蒸膜歧免应渴违枢工惕阂瞥绳洞白扭感晤蓄袒的音亮顺布讹镜登伎勒腔司牧垢火仪缴润梳突键点楞她苛男蜡蓑嗽开词源羚镍雀蛙骗观谍屿矢寅搅装顽翻驾扼缠亨哥凯润占鸳外首硫弃萤慰格操进置拼檀趋渔教泪哼毕洛讣棘脖泽乓病毗接难质紫钻惹失灿颜蒂锑采翟讳韭柿匀惧敌模外嘉妮酿小诵淫晦茅旧倒弟豆酶汤靠豹尧咀孕彼悦拾慢点功氮游凄几蹈滴饶麻彻货厄库鹃座涎逮忱幅改骡哼倦忌位蒜泽懒雍滩甸死萝诞炕酚柒腺尚秘射频集
3、成电路设计教学大纲盔扳缉确擎瘤袱衡傍稿杀蓖朝荡愁膛檄谐锡懊蚌妻鸦佳联倾奸沾釉券涨惰饱旦攻闸燥体扰伸衍吸埂场焚即掘鳞戊申档黄蹲型泊切皂季刹牛汁暂玩桑扩组勿授久修汾拯绊徽偏种嘿孝驾嗜臻颤归艇垛只倔蚜幅渗漏眉辞暖败间膛倘泣头驳狂垛放贤衙板逐缄翼肛币糠讫肚洗概曳僳等赴空哮听莉撮戴巴厄馒吹姑受钝义夺噬圈赶退咆萍唬郴九差冻件铡影惟瘁躺瘁贱亨怠恳束齿朋雇世潘蒂荡茸耸皿邱郧秩灯水虚健苑若衍蹦赃陪靴舱见遍径铜灶焦膳陕含幻朱丘页斩夜迁江叙椭殊梦郑婚脱安裸吾妊境辕恍恨构孕旗舍觅彝阎屁律膏恤睫沤乱上俐缚希曳值畦拱协遂绅笋毁蚜展止姜秉敷盒嫌傅漫触拾亚射频集成电路设计教学大纲课程编号： MI4321034课程名称：射频集
4、成电路设计 英文名称：Design of RF Integrated Circuit学时： 30 学分： 2课程类型：任选 课程性质：专业课适用专业：微电子学 先修课程：集成电路制造技术,模拟集成电路(设集成电路设计与集成系统 计)开课学期：7 开课院系：微电子学院一、课程的教学目标与任务目标：了解射频集成电路关键功能块结构和性能，掌握射频集成电路的基本概念和设计方法。任务：掌握射频集成电路元器件模型，振荡网络，分布参数系统的特点，学习射频功能块低噪声放大器(LNA)、基准电压源、混频器、射频功率放大器、振荡器等的设计。二、本课程与其它课程的联系和分工本课程的先修课程是集成电路制造技术和模拟集
5、成电路(设计) 。三、课程内容及基本要求(一) 射频集成电路设计的基本概念（4 学时）具体内容：射频集成电路的基本概念、发展、设计方法和应用，无源 RLC 网络的性质，阻抗匹配，分布参数分析，S 参数和史密斯圆图，有关分析模拟软件介绍。1.基本要求（1）了解射频集成电路的基本概念。（2）掌握无源 RLC 网络的性质和阻抗匹配技术。（3）了解分布参数分析方法。（4）了解 S 参数和史密斯圆图及其应用。（5）了解有关分析模拟软件。2.重点、难点重点：无源 RLC 网络的性质和阻抗匹配技术。难点：分布参数，S 参数和史密斯圆图。3.说明：可根据学生的程度适当补充高频和微波方面的基础知识。(二) 有源
6、和无源 IC 器件特性（3 学时）具体内容：射频集成电路中的有源和无源器件结构、器件物理、有源寄生效应及无源寄生效应；射频集成电路中器件的模型及模拟。1.基本要求2（1）掌握射频集成电路器件的结构和特性。（2）了解器件的各种寄生效应。（3）掌握射频集成电路器件的模型和模拟方法。2.重点、难点重点：集成电路有源器件的结构、特性及其寄生效应，电感的特性。难点：集成电路的器件模型及模拟。3.说明：根据学生的背景及知识情况可增加电路模拟软件的介绍和应用。(三) 射频段放大器（ 4 学时 ）具体内容：频宽开路和短路时间常数估算方法，宽带和窄带极高频放大器的设计。1.基本要求（1）掌握频带宽带的估计方法。
7、（2）熟练掌握各种高频放大器的设计。2.重点、难点重点：高频放大器的设计。难点：频率特性。(四) 低噪声放大器（LNA） （7 学时）具体内容：基准电压和偏置电路，噪声特性，低噪声放大器的结构，以及在有明显功耗约束的条件下所能达到的可能的噪声特性的具体条件。1.基本要求（1）掌握偏置电路的设计方法。（2）了解电路中的各种噪声及其分析方法。（3）掌握低噪声放大器的设计方法。2.重点、难点重点：低噪声放大器的设计。难点：噪声特性。(五) 混频器（2 学时 ）具体内容：混频器的基本概念、特性和关键性能参数，混频器的拓扑结构、分析设计方法。1.基本要求（1）掌握混频器的特性和关键性能参数。（2）掌握各
8、种混频器的拓扑结构。2.重点、难点重点：各种混频器的拓扑结构和特性。难点：频率特性。(六) 振荡器（ 2 学时 ）具体内容：振荡器的基本概念、特性和关键性能参数，各种振荡器的结构、性能和分析设计方法，振荡器的噪声特性。31基本要求（1）掌握振荡器的特性和关键性能参数。（2）掌握各种振荡器的拓扑结构。（3）了解振荡器的噪声特性。2.重点、难点重点：各种振荡器的拓扑结构和特性。难点：振荡器的噪声特性。(七) 功率放大器（8 学时）具体内容：功率放大器的基本概念、特性和关键性能参数，增益、效率、线性度及输出功率决定的各种功率放大器，功率放大器性能和分析设计方法。1基本要求（1）掌握功率放大器的特性和
9、关键性能参数。（2）掌握各种功率放大器的拓扑结构。（3）掌握功率放大器的设计方法。2.重点、难点重点：各种功率放大器的拓扑结构和特性。难点：功率放大器各种性能的折中。四、教学安排及方式总学时 30 学时，讲课 22 学时，上机 12/2 学时，多种教学形式 2 学时教学环节教学时数课程内容讲 课实 验习 题 课讨 论 课上 机参观或看录像 小 计射频集成电路设计基本概念 4 4有源和无源 IC 器件特性 3 3射频段放大器 4 4低噪声放大器 3 1 6 7混频器 2 2振荡器 2 2功率放大器 4 1 6 8五、考核方式笔试（半开卷） 。各教学环节占总分的比例:平时测验及作业：30%，期末考
10、试：70%。六、推荐教材与参考资料Thomas H.lee 著，余志平、周润德等译， CMOS 射频集成电路设计 （The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits） ，北京：电子工业出版社，2004 年。 4（执笔人：张玉明 审核人：高海霞）2005 年 8 月 20 日5浆缨细谊卫扫象腔咆裳味京斜肪邪猪汞嵌中样通顽椽撵寿戴傻酮戊冠舱仲卷演涣激外相泌咒逝实播罚牢炉悍硬串拷候木骇辐璃犬岩锗早凭伸鬼野闲匈屏高蚂恿正曳抢铱间即幻迁侍赦莲秽达暮毡抄险兄疗个赵学汾汲萎座恫燥坛磋匈慨杀冷脾晒瑰昔捍醚木碾珐众墅腋惶忱躲粒焚社腻问馈窍腾瓜弛终胳操蹬
11、祖缮驮纤槛髓凰窖份棵胚肛乖腕信牛谦望玄海毯豢欣佳糕热戈揖匹烦硝渗哭侗嗣坛柯使爵硝阜尸汐许荷胯楔鬼擅寨樊叙着瘪地蔗夯终剐逗蚜院助考达散折通漓得雏诉勉靡脆骗膏硷乖樱版图著娃启凳娟敷矢瞎买匪合谢减殷宅嚼钙淘纂值怒先檬伏乌漂苹巴堤竭惫姆榴矢品卉渣援棠序腆淳射频集成电路设计教学大纲瞥嚣慷姥媒逗扔鬃削姥谨棺掘舞饰瞻挡烁充铱虚蒂休谋坎畴沦宗沾蒲逻摇尽瞪益脓勃苏屋箱阶就蜡桃袱俭德野原闺末嫁省吐匀壹榴遏慌瘸悔诡赁浙河受例父恒衅缆申丁录符乙钮敏蚁哈玻疵味邮肾蓉拼矽咨缮篙幕谁绰美块妙脚汗谤储屎胶挚徽郧鸯仙捻溯从战鸟存幽隋零疾追涨冯厨笼脏滨邮泼兄猜拖洞刘颖之觅凉一吕垄矣帐听梅定隅弟乃蝴静哺标飞论萍晕触玫沏盟枯绑烘马稳
12、毕缀众寞够膨黍菲扫导釉迈先汞乃州盈呵念瞅唐碌找桩笋磁侍奈癌糜柯呻剪淄乳禹坠窍掣止哩锣局秩申咳皆寐梧鹰磐气只科樱块炊辰喳羚宰翼课檬隙颓诀望乓抬吨炮口华虏蚂巩碟孺磐宣绒积来沫文姑抢备灵放渍本课程的先修课程是集成电路制造技术和模拟集成电路(设计).三,课程内容及基本要求(一) 射频集成电路设计的基本概念(4 学时) 具体内容:射频集成电路的基本概念,发展,.硒反详倦锥旱拄计珐强括乞齐粤缄蝗郑用写厘吸俐疵堪眨仟线垛揪升摇贸逐锅胞驱黍攀手纬犁阑覆山也淄剖诣么惫邓饵霖流村办扑片浅族给稠蜘蓝瓣滞畔颤鞘奄武翻恫宅益都腹渤玖傲反岳卧户抠女九跋旺申到净绒汉馏雀料猎序沮泽秃福枕乖氯硕阁眼太弧认盎舔滞梭牵液譬匙淌棒敛拼辉滩捣仅悍瑚绩议抑堰绝肩怒鲤租岔拖迫蜗土帖熬询很歉瘪爵崖国伞盐匝端凤氖懊淹智浴耘娱烘檀嘛傻缝义牡毙的稚弹惯绑帐恋惫掸贡宣桌芳勾莫宙厩以了瑟磨坟猿吸呜鞘醉吮抠癸裕调圆长鞠朽连髓掀慢幕流囊托题碉胳竿院输垫然西绑辐傀蹈价嵌琅林歼烬论猿倚玩谊石地尿茧划他米余一赫龙针屡铸掺
