两款存储器产品介绍

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1、两款存储器产品介绍1高性能存储器( 金士顿 KHX1600C9D3K2/8GX)产品介绍:KHX1600C9D3K2/8GX 示例图-1KHX1600C9D3K2/8GX 示例图-21.产品型号: 金士顿 KHX1600C9D3K2/8GX2.应用分析:金士顿骇客神条作为金士顿内存推出的高端产品，深受超频玩家们所爱，随着近期的市场推广越来越猛烈，这个系列的产品在卖场的人气也持续攀升。而随着内存价格的不断下滑，KHX 内存价格也不断向KVR 靠拢， 1600/2G 已经成为 DIY 主流配置。与此同时，为了获得更大容量和更大升级潜力，用家对单根 4G 内存的呼声越来越高。英特尔第二代酷睿 i3/

2、i5/i7 的上市更是推动了内存的需求，骇客神条的KHX1600C9D3K2/8GX 套装已逐渐成为主流的装机配置。3.主要性能指标:两款存储器产品介绍2内存类型 DDR III 内存主频 DDR3 1600 内存总容量 8G 内存容量描述 双条套装,24G 插脚数目 240pin 颗粒封装 FBGA 延迟描述 CL=9 4.主要特色与优越性:金士顿 KHX1600C9D3K2/8GX 经厂家严格测试可以稳定运行于 DDR3 1600MHZ 或以上频率，带X.M.P 认证的 4GB*2 的双通道配置，只要在相应主板上打开 X.M.P 选项，即可自动运行 DDR3 1600MHZ频率。单根 4G

3、B 的配置使主板的扩容能力扩大一倍，8GB，16GB ，32GB 的内存配置不再遥远，高频率与大容量双翼齐飞，无论 3D 游戏，音视频处理，高清视频的播放或其他多任务操作都更加游刃有余。5.DDR3 内存工作原理:DDR3 工作原理示例图-3文字描述:首先，芯片进入上电，在上电最小为 200us 的平稳电平后，等待 500usCKE 使能，在这段时间芯片内部开始状态初始化，该过程与外部时钟无关。在时钟使能信号前（cke ） ，必须保持最小 10ns 或者 5 个时钟周期，除此之外，还需要一个 NOP 命令或者 Deselect 命令出现在 CKE 的前面。然后 DDR3 开始了 ODT 的过程

4、，在复位和 CKE 有效之前，ODT 始终为高阻。在CKE 为高后，等待 tXPR(最小复位 CKE 时间) ，然后开始从 MRS 中读取模式寄存器。然后加载 MR2、MR3 的寄存器，来配置应用设置；然后使能 DLL，并且对 DLL 复位。两款存储器产品介绍3接着便是启动 ZQCL 命令，来开始 ZQ 校准过程。等待校准结束后，DDR3 就进入了可以正常操作的状态。Flash 存储器（ PNY M1）产品介绍：PNY M1 4G 示例图41.产品型号: PNY M1 4G2.应用分析:全称“USB 闪存盘”，英文名“USB flash disk”。它是一个 USB 接口的无需物理驱动器的微型

5、高容量移动存储产品，可以通过 USB 接口与电脑连接，实现即插即用。U 盘的称呼最早来源于朗科公司生产的一种新型存储设备，名曰“优盘”，使用 USB 接口进行连接。USB接口就连到电脑的主机后，U 盘的资料可与电脑交换。而之后生产的类似技术的设备由于朗科已进行专利注册，而不能再称之为“优盘”，而改称谐音的“U 盘”。后来 U 盘这个称呼因其简单易记而广为人知，而直到现在这两者也已经通用，并对它们不再作区分，是移动存储设备之一。3.主要性能指标:容量大小 4G 读取数据传输率 24MB/sec 写入数据传输率 4-8MB/sec 接口 USB 2.0 接口 有奖找错规格 37.318.39.3m

6、m 重量 6.6g 有奖找错4.主要特色与优越性：小 巧 便 于 携 带 、 存 储 容 量 大 、 性 价 比 高 、 无 任 何 机 械 式 装 置 ， 抗 震 性 能 极 强 。 另外 ， 还 具 有 防 潮 防 磁 、 耐 高 低 温 等 特 性 ， 安 全 可 靠 性 很 好 。 另 外 在 设 计 外 观 上PNYM1 的盘体正面只印有 PNY 的 LOGO 和容量标注，外形简约。经过特殊处理的金属外壳手感舒适，呈现迷人的香槟色，而且不会轻易留下指纹痕迹，能够彰显出使用者卓越不两款存储器产品介绍4凡的气质；出于人性化考虑，PNYM1 在顶部设计了半圆形挂饰接口，用户可将它挂于皮包或

7、钥匙扣上，既便携又能点缀时尚生活。5.U 盘工作原理描述：计 算 机 把 二 进 制 数 字 信 号 转 为 复 合 二 进 制 数 字 信 号 （ 加 入 分 配 、 核 对 、 堆 栈 等 指 令 ）读 写 到 USB 芯 片 适 配 接 口 ， 通 过 芯 片 处 理 信 号 分 配 给 EEPROM 存 储 芯 片 的 相 应 地 址存 储 二 进 制 数 据 ， 实 现 数 据 的 存 储 。 EEPROM 数 据 存 储 器 ， 其 控 制 原 理 是 电 压 控 制栅 晶 体 管 的 电 压 高 低 值 ， 栅 晶 体 管 的 结 电 容 可 长 时 间 保 存 电 压 值 ，

8、断 电 后 能 保 存 数 据 的原 因 主 要 就 是 在 原 有 的 晶 体 管 上 加 入 了 浮 动 栅 和 选 择 栅 。 在 源 极 和 漏 极 之 间 电 流 单向 传 导 的 半 导 体 上 形 成 贮 存 电 子 的 浮 动 棚 。 浮 动 栅 包 裹 着 一 层 硅 氧 化 膜 绝 缘 体 。 它 的上 面 是 在 源 极 和 漏 极 之 间 控 制 传 导 电 流 的 选 择 /控 制 栅 。 数 据 是 0 或 1 取 决 于 在 硅 底板 上 形 成 的 浮 动 栅 中 是 否 有 电 子 。 有 电 子 为 0， 无 电 子 为 1。 闪 存 就 如 同 其 名 字

9、 一 样 ，写 入 前 删 除 数 据 进 行 初 始 化 。 具 体 说 就 是 从 所 有 浮 动 栅 中 导 出 电 子 。 即 将 有 所 数 据 归“1”。 写 入 时 只 有 数 据 为 0 时 才 进 行 写 入 ， 数 据 为 1 时 则 什 么 也 不 做 。 写 入 0 时 ， 向栅 电 极 和 漏 极 施 加 高 电 压 ， 增 加 在 源 极 和 漏 极 之 间 传 导 的 电 子 能 量 。 这 样 一 来 ， 电 子就 会 突 破 氧 化 膜 绝 缘 体 ， 进 入 浮 动 栅 。 读 取 数 据 时 ， 向 栅 电 极 施 加 一 定 的 电 压 ， 电 流 大为 1， 电 流 小 则 定 为 0。 浮 动 栅 没 有 电 子 的 状 态 （ 数 据 为 1） 下 ， 在 栅 电 极 施 加 电 压的 状 态 时 向 漏 极 施 加 电 压 ， 源 极 和 漏 极 之 间 由 于 大 量 电 子 的 移 动 ， 就 会 产 生 电 流 。 而 在浮 动 栅 有 电 子 的 状 态 （ 数 据 为 0） 下 ， 沟 道 中 传 导 的 电 子 就 会 减 少 。 因 为 施 加 在 栅 电极 的 电 压 被 浮 动 栅 电 子 吸 收 后 ， 很 难 对 沟 道 产 生 影 响 。