《TTL门电路简单小结》由会员分享，可在线阅读，更多相关《TTL门电路简单小结（11页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、以基集 b 和发射极 e 之间的发射结作为输入回路。以集电极 c 和发射极 e 之间的回路作为输出回路。VON 为开启电压。硅三极管的开启电压 VON 为 0.50.7V，锗三极管的开启电压 VON 为0.20.3V。VBE 为输入电压，iB 为输入电流。VCE 为输出电压，iC 为输出电流。集电极电流 iC 不仅受 VCE 影响，还受基极电流 iB 影响。输出特性曲线分三个区：1、曲线右边的水平部分为放大区（线性区） ，特点是：iC 随 iB 成正比变化，几乎不受 VCE 变化的影响。2、靠近纵轴部分为饱和区，特点是：iC 不随 iB 贝塔的比例增加，而是趋向饱和。硅三极管饱和区的 VCE
2、值约为0.60.7V，深度饱和状态下的饱和压降在 0.2V 以下。3、iB 的一条输出特性曲线以下的区域为截至区。截止区特点是 iC 几乎为 0.双极型三极管的基本开关电路当 VI=0，或者 VIVON 时，三极管导通状态，输出电压为低电平 VOL.硅三极管的深度饱和压降为 0.3V， VCE（sat）饱和导通压降。RCE （sat ）饱和导通内阻。锗三极管的深度饱和压降为 0.1V综上述，保证当 VI=VIL 时 VBEIBS，三极管工作在深度饱和状态，相当于开关接通,在开关电路的输出端VO=VOL 输出低电平。则 Y=A则三极管的 c-e 间就相当于一个受 VI 控制的开关。晶体管工作在放
3、大状态的外部条件是发射结正向偏置,且集电节反向偏置.PN 结加正向电压时,空间电荷区将变窄 .(幻灯片第 114 张和 115 张不明白 ).稳压管的稳压区是其工作在 反向击穿.=iC/iB , 是交流电流的放大系数。=/(1+)当三极管截止时,发射结反偏, iC=0,相当于开关断开;当三极管饱和时,发射结正偏,V CE= VCE（sat）0.相当于开关闭合.1.3图3.5.10 TTL反相器的电 压传输特性TTL 反相器的电压的传输特性压传输特性1、 AB 段：截止区：VIVO3、 CD 段：转折区:4、DE 段：饱和区：VI 继续， 而 VO 不变，VO= V OL。TTL 门店里的输入端
4、噪声容限参数VOH（ min)=2.4V, VOL（max)=0.4V, VIH（min)=2.0V, VIL（max)=0.8V, VNH=0.4V, VNL=0.4VTTL 门电路的输入特性:图3.5.13 TTL反相器的静态输入特性IIS输入高电平输入低电平D1导通输出特性:高电平输出:输出为 VOVOH 时，T4、D2 导通， T5 截止. 74 系列最大为 IOH（max）0.4mA.低电平输出:输出为 VOVOL 时，T 4、D2 截止， T5 导通. VOL 基本呈线性关系 .扇出系数计算: 扇出系数就是一个门电路驱动同类型门电路的个数。也就是表示门电路的带负载能力。当输出低电平
5、时:设有 N1 个非门,则有当输出为高电平时,设可带 N2 个非门,则有则取 N=minN1 , N2TTl 反相器输入端的负载特性曲线：故一般对于 TTL 门电路，若输入端通过电阻接地，当 RP0.7K 时，构成低电平输入方式；当 RP1.5K 时，构成高电平输入方式。其他类型的 TTL 与非门若输入端接低电平时，输入电流的计算和反相器相同。输入端接高电平，T1 的两个发射结反偏，故输入电流为单个输入端高电平输入电流的 2 倍。ILON(max)1IHO(max)2图3.5.29 TTL与非门电路TTL 与非门电路 输出为高电平时，可以带 N1 个同类逻辑门，则 2N1*IIHIOH。输出为
6、低电平时，可以带 N2 个逻辑门，则 N2*IILIOLN 为驱动个数或非门与或非门异或门图3.5.34 异或 门电路AB（AB） Y=AB注释：与门和或门是在与非门和或非门的基础上加了一级反相器构成。门门的与非门电路图和符号示意图与非门符号门的与或非门（）外界负载电阻的计算：驱动输出为高电平时其中 n驱动管的个数， m 负载管输入端的个数，I每个 OC 门 T5 管截止时的漏电流；I负载门每个输入端的高电平输入电流。：驱动输出为低电平时m 负载管短路电流的个数；IOC 门 T5 管导通时的电流；I负载门每个输入端的短路输入电流。L 门电路上拉电阻计算（min）门电路中，当输入端并联时：（一个
7、负载门可能有个输入端）当电路为与非门时，低电平输入，负载门的个数，而不是输入端的个数。高电平输入时输入端的个数。当电路为或非门时，低电平输入，高电平输入输入端的个数。门（又称集电极开路（漏极开路）与非门门电路）的应用：实现与或非逻辑，用做电平转换，用做驱动器。：线与（在总线传输等实际应用中需要多个门的输出端并联连接使用，而一般 TTL 门输出端并不能直接并接使用，否则这些门的输出管之间由于低阻抗形成很大的短路电流（灌电流） ，而烧坏器件。在硬件上，可用 OC 门或三态门（ST 门）来实现。 用 OC 门实现线与，应同时在输出端口应加一个上拉电阻。）：实现数据采集)(in)(max) IHOCL
8、IVRILOLCLmIVR(ax)(in)门与门类似，使用方法相近。符号与门相同。门外接电阻与门计算方法基本相同，唯一不同是多个负载输入端并联情况下，低电平输入电流的数目不一定与输入端的数目相同。三态与非门高电平，低电平，高阻态。多了一个使能端（控制端）和一个二极管。控制端为低电平有效。即，EN=0 时，D 截止，与非门正常工作，（）。时，导通，与非门高阻态，。TTL 三态门作用：三态门能够用作电平转换，和数据的双向传输和总线结构。数据的双向传输 总线结构TTL 门与门电路接口。对于一个数字系统，为了使性价比最佳，常常会采用不同类型的器件，比如 TTL 和CMOS，这样在这些器件之间存在着逻辑
9、电平的配合问题：方法是接上拉电阻或利用 OC门来进行电平转换，现在有现成的各类电平转换电路供用户选择。采用不同类型器件的数字电路也要考虑各种各种类型门电路的驱动能力匹配问题。在满足电平匹配的情况下，TTL 门电路的驱动电流大，可以直接驱动 CMOS 门。而 CMOS 门的驱动电流很小，不能直接驱动 TTL 门。采用的方法是使用专门的接口电路。注意：同一类型不同系列的逻辑门也要注意器件使用配合的问题驱 动 门 负 载 门图 3.8.1驱 动 门 和 负 载 门 的 连 接驱 动 门 负 载 门(min)(min) IHOH VV(max)(max) ILOL VV(max)(max) IHOH
10、nI (max)(max) ILOL mI n 和 m 分别为负载电流中 IIH、和 IIL 的个数三极管导通条件:NPN 节： VCVBVE, PNP 节：VEVBV CUBE=0.7V (Si) UBE=0.7V (Si)UBE=0.2V (Ge) U BE=0.2V（Ge）两节点电压相差为 0.7V 是 B，E 两节点。且为 Si 芯片。且电压高的为 B 节点，低的为 E节点。两节点电压相差为 0.2V 是 B，E 两节点。且为 Ge 芯片。且电压高的为 E 节点，低的为 B节点。如果是 PNP 节，则电流的方向是从 E 点流入；如果是 NPN 节，则电流的方向是从 E 点流出。第 114,115 张看不懂，174 张 TC 门看不懂，
