混频器特性分析

《混频器特性分析》由会员分享，可在线阅读，更多相关《混频器特性分析（8页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。

1、微波混频器技术指标与特性分析一、噪声系数和等效噪声温度比噪声系数的基本定义已在第四章低噪声放大器中有过介绍。 但是混频器中存在多个频率， 是多频率多端口网络。为适应多频多端口网络噪声分析，噪声系数定义改为式（ 9-1） ，其理论基础仍是式（ 6-1）的原始定义，但此处的表示方式不仅适用于单频线性网络，也可适用于多频响应的外差电路系统，即（ 9-1）式中 Pno -当系统输入端噪声温度在所有频率上都是标准温度 T0 = 290K 时， 系统传输到输出端的总噪声资用功率；Pns 仅由有用信号输入所产生的那一部分输出的噪声资用功率。根据混频器具体用途不同，噪声系数有两种。一、噪声系数和等效噪声温度比

2、1、单边带噪声系数在混频器输出端的中频噪声功率主要包括三部分：（ 1）信号频率 f s 端口的信源热噪声是 kT 0 f，它经过混频器变换成中频噪声由中频端口输出。这部分输出噪声功率是mfkT0式中 f 中频放大器频带宽度； m 混频器变频损耗； T 0 环境温度， T 0 = 293K 。（ 2）由于热噪声是均匀白色频谱，因此在镜频 f i 附近 f 内的热噪声与本振频率 f p 之差为中频，也将变换成中频噪声输出，如图 9-1 所示。这部分噪声功率也是 kT 0 f m。（ 3）混频器内部损耗电阻热噪声以及混频器电流的散弹噪声，还有本机振荡器所携带相位噪声都将变换成输出噪声。这部分噪声可用

3、 Pnd 表示。这三部分噪声功率在混频器输出端相互叠加构成混频器输出端总噪声功率 Pnondmmno PfkTfkTP / 00把 Pno 等效为混频器输出电阻在温度为 T m时产生的热噪声功率，即 Pno = kT m f， Tm 称混频器等效噪声温度。 kT m f 和理想电阻热噪声功率之比定义为混频器噪声温度比，即00 TTfkTPt mnom按照定义公式（ 9-1）规定，可得混频器单边带工作时的噪声系数为nsmnsnoSSB PfkTPPF在混频器技术手册中常用 FSSB 表示单边带噪声系数， 其中 SSB 是 Singal Side Band 的缩写。 Pns 是信号边带热噪声（随信

4、号一起进入混频器）传到输出端的噪声功率，它等于 kT 0 f m。因此可得单边带噪声系数是mmmmSSB tLfkTfkTF02、双边带噪声系数在遥感探测、射电天文等领域， 接收信号是均匀谱辐射信号， 存在于两个边带，这种应用时的噪声系数称为双边带噪声系数。此时上下两个边带都有噪声输入， 因此 Pns = kT 0 f m。 按定义可写出双边带噪声系数mmmnoDSB tafTkPF21/2 0 （ 9-5）式中 DSB 是 Double Side Band 的缩写。将公式（ 9-4）和（ 9-5）相比较可知，由于镜像噪声的影响，混频器单边带噪声系数比双边带噪声系数大一倍，即高出 3dB。为了

5、减小镜像噪声， 有些混频器带有镜频回收滤波器或镜像抑制滤波器。 因此在使用商品混频器时应注意：（ 1）给出的噪声系数是单边带噪声还是双边带噪声，在不特别说明时，往往是指单边带噪声系数。（ 2） 镜频回收或镜频抑制混频器不宜用于双边带信号接收， 否则将增大 3dB 噪声。 （此类混频器将在第二节镜频抑制混频器中详述）（ 3）测量混频器噪声系数时，通常采用宽频带热噪声源，此时测得的噪声系数是双边带噪声系数。在商品混频器技术指标中常给出整机噪声系数， 这是指包括中频放大器噪声在内的总噪声系数。 由于各类用户的中频放大器噪声系数并不相同， 因此通常还注明该指标是在中频放大器噪声系数多大时所测得的。混频

6、器和中频放大器的总噪声系数是10 ifmm FtF式中 Fif 中频放大器噪声系数； m 混频器变频损耗； t m 混频器等效噪声温度比。tm 值主要由混频器性能决定，也和电路端接负载有关。 tm 的范围大约是厘米波段 tm = 1.11.2 毫米波段 tm = 1.21.5 在厘米波段，由于 tm 1，所以可粗估整机噪声是ifm FF0二、变频损耗混频器的变频损耗定义是： 混频器输入端的微波信号功率与输出端中频功率之比， 以分贝为单位时，表示式是dBdBdBdBgrm 中频输入信号功率微波输入信号功率lg10（ 9-8）混频器的变频损耗由三部分组成： 包括电路失配损耗 ， 混频二极管芯的结损

7、耗 r 和非线性电导净变频损耗 g。1、失配损耗失配损耗 取决于混频器微波输入和中频输出两个端口的匹配程度。 如果微波输入端口的电压驻波比为 s，中频输出端口的电压驻波比为 i，则电路失配损耗是iissdB41lg1041lg10 22 （ 9-9）混频器微波输入口驻波比 s一般为 2 以下。 的典型值约为 0.51dB。管芯的结损耗主要由电阻 Rs 和电容 Cj 引起， 参见图 9-2。 在混频过程中，只有加在非线性结电阻 Rj 上的信号功率才参与频率变换，而 Rs和 Cj 对 Rj 的分压和旁路作用将使信号功率被消耗一部分。 结损耗可表示为jsjsjsr RRCRRdB 221lg10 （

8、 dB）混频器工作时， Cj 和 Rj 值都随本振激励功率 Pp 大小而变化。 Pp 很小时， Rj 很大， Cj 的分流损耗大；随着 Pp 加强， Rj 减小， Cj 的分流减小，但 Rs 的分压损耗要增长。因此将存在一个最佳激励功率。当调整本振功率，使 Rj = l sCj 时，可以获得最低结损耗，即sjsr RCdB 21lg10min （ dB）可以看出，管芯结损耗随工作频率而增加，也随 Rs 和 Cj 而增加。表示二极管损耗的另一个参数是截止频率 fc 为jsc CRf 21 图 9-2 混频管芯等效电路通常，混频管的截止频率 f c 要足够高，希望达到 sc ff 2010 。比如

9、 f c = 20f s 时，将有 rmin = 0.4dB 。根据实际经验，硅混频二极管的结损耗最低点相应的本振功率大约为 12mW ，砷化镓混频二极管最小结损耗相应的本振功率约为 35mW 。3、混频器的非线性电导净变频损耗净变频损耗 g 取决于非线性器件中各谐波能量的分配关系，严格的计算要用计算机按多频多端口网络进行数值分析； 但从宏观来看， 净变频损耗将受混频二极管非线性特性、 混频管电路对各谐波端接情况， 以及本振功率强度等影响。 当混频管参数及电路结构固定时， 净变频损耗将随本振功率增加而降低，如图 9-3 所示。本振功率过大时，由于混频管电流散弹噪声加大， 从而引起混频管噪声系数

10、变坏。 对于一般的肖特基势垒二极管， 正向电流为 l3mA时，噪声性能较好，变频损耗也不大。图 9-3 变频损耗、噪声系数对本振功率的关系三、动态范围动态范围是混频器正常工作时的微波输入功率范围。（ 1）动态范围的下限通常指信号与基噪声电平相比拟时的功率。可用下式表示ififm fFMkTP 0min式中 m 混频器变频损耗； Fif 中频放大器噪声系数；f if中放带宽； M 信号识别系数。例如混频器有 m = 6dB，中放噪声系数为 Fif = 1dB ，中频带宽 fif = 5MHz ，要求信号功率比热噪声电平高 10 倍，即 M = 10 ，此时混频器动态范围下限是dBmWP90100

11、3.1105258.143001038.11012623min在不同应用环境中， 动态范围下限是不一样的。 比如在辐射计中由于采用了调制技术， 能接收远低于热噪声电平的弱信号。 雷达脉冲信号则要高于热噪声约 8dB， 而调频系统中接收信号载噪比约需要 812dB。数字微波通信信号取决于要求的误码率，一般情况下比特信噪比也要在 1015dB 以上。（ 2）动态范围的上限受输出中频功率饱和所限。通常是指 1dB 压缩点的微波输入信号功率Pmax，也有的产品给出的是 1dB 压缩点输出中频功率。二者差值是变频损耗。本振功率增加时， 1dB 压缩点值也随之增加。平衡混频器由 2 支混频管组成，原则上

12、1dB 压缩点功率比单管混频器时大 3dB。 对于同样结构的混频器， 1dB 压缩点取决于本振功率大小和二极管特性。一般平衡混频器动态范围的上限为 210dBm 。混频器动态范围曲线如图 9-4 所示。图 9-4 混频器动态范围四、双频三阶交调与线性度如果有两个频率相近的微波信号 s1、 s2 和本振 p一起输入列混频器， 这时将有很多组合谐波频率， 其中 21 ssp mn 称双频交调分量。 定义 m + n = k 为交调失真的阶数，例如 k = 2（当 m = 1， n = 1）是二阶交调，二阶交调产物有212 sspm当 k = 2 + 1 = 3 时是三阶交调，其中有两项213 2

13、sspm 和 123 2 sspm三阶交调分量出现在输出中频附近的地方。当 s1 和 s2 相距很近时， m3 将落入中频放大器工作额带内， 造成很大干扰。 这种情况在微波多路通信系统中是一个严重问题， 如果各话路副载波之间有交叉调制，将造成串话和干扰。上述频谱关系如图 9-5 所示。图中 if 是中频带宽。图 9-5 混频器频谱分布四、双频三阶交调与线性度1、混频器三阶交调系数三阶交调系数 M i 的定义为ifi PPdBM m 3lg10lg10 有用信号功率三阶交调分量功率其值为负分贝数，单位常用 dBc，其物理含义是三阶交调功率比有用中频信号功率小的分贝数。三阶交调功率 3mP 随输入

14、微波信号功率 Ps 的变化斜率较大，而中频功率 Pif 随 Ps 的变化呈正比关系，基本规律是 Ps 每减小 1dB， M i 就改善 2dB，如图 7、6 所示。图 9-6 混频器基波和三阶交调成分随信号功率的变化2、三阶交调截止点Mi 值与微波输入信号强度有关，是个不固定的值。所以有时采用三阶交调截止点 Ma 对应的输入功率 PM 作为衡量交调特性的指标。三阶交调截止点 Ma 是 Pi 直线和直线段延长的交点，此值和输入信号强度无关。 1dB 压缩点 P1dB 和三阶交调截止值 PM 都常作为混频器线性度的标志参数。 有关三阶交调变化特性的改进可参见第六章， 区别仅在于混额器的输出饱和是指

15、中频功率。 通常三阶交调截止值比1dB 压缩点值高 1015dB，微波低频端约高出 15dB，微波高频段高 10dB。在混频器应用中，只要知道了三阶交调截止值就能计算出任何输入电平时的三阶交调系数。由于三阶交调截止值处， Mi 为 0dB，输入信号每减弱 1dB， Mi 就改善 2dB，例如信号功率比 PM 小 15dB 时， Mi 将为 30dBc。三阶交调特性及饱和点， 都和使用时的本振功率及偏压有关。 混频管加正偏压时， 动态范围上限下降， 三阶交调特性变坏， 但可节省本振功率或改善变频损耗；加负偏压时， 上述情况刚好相反。另外。混领管反向饱和电流越小，接触电位越大时，要求的本振功率大，

16、此时1dB 压缩点提高，三阶交调特性也较好。五、工作频率混频器是多频率器件， 除了应指明信号工作频带以外， 还应该注明本振频率可用范围及中频频率。分支电桥式的集成混频器工作频带主要受电桥频带限制，相对频带约为 10%30%，加补偿措施的平衡电桥混频器可做到相对频带为 30%40%。双平衡混频器是宽频带型，工作频带可达多个倍频程。六、隔离度混濒器隔离度是指各频率端口之间的隔离度，该指标包括三项，信号与本振之间的隔离度，信号与中频之间的隔离度， 本振与中频之间的隔离度。 隔离度定义是本振或信号泄漏到其他端口的功率与原有功率之比，单位为 dB。例如信号至本振的隔离度定义是信号至本振隔离度是个重要指标， 尤其是在共用本振的多通道接收系统中， 当一个通道的信号泄漏到另一通道时， 就会产生交叉干扰。 例如， 单脉冲雷达接收机中的合信号漏入差信号支路时将使跟踪精度变坏。 在单通道系统中信号泄漏就要损失信号能量， 对接收灵敏度也是不利的。本振至微波信