第3章高频谐振放大器(4)高频功放状态分析及高频效应讲义教材

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1、第 3 章 高频功率放大器,3.2.2 高频谐振功率放大器的工作状态 3.2.3 高频谐振功率放大器的外部特性 3.4 高频谐振功率放大器的实际电路,作业: 3-8、3-9,1. 谐振功率放大器的动特性,动特性是指当加上激励信号和接上负载时,集电极电流ic与集电极电压uce的变化关系.它是由晶体管的输出特性曲线和负载线共同决定。,3.2.2 高频谐振功率放大器的工作动态,当放大器工作于谐振状态时,它的外部电路关系式为,uBE= Eb+Ubcost,uCE= ECUccost,消去cost可得,,uBE= Eb+Ub,另一方面,晶体管的折线化方程为,ic = gc(uBEEb),得出在icuCE

2、坐标平面上的动态特性曲线(负载线或工作路)方程:,(4.3.19),= gd(uCE V0),负载线的斜率为 ,截距为,Uc、ic随负载变化的波形如图所示,放大器的输入电压是一 定的,其最大值为Ubemax,在负载电阻RP由小至大变化时,负 载线的斜率由大变小,如图中123。不同的负载,放大器 的工作状态是不同的,所得的ic波形、输出交流电压幅值、功 率、效率也是不一样的。,三种工作状态:, 欠压状态-B点以右的区域。在欠压区至临界点的范围内,根据Uc=RpIc1,放大器的交流输出电压在欠压区内必随负载电阻RP的增大而增大,其输出功率、效率的变化也将如此。,2. 高频功放的工作状态, 临界状态

3、-负载线和ubemax正好相交于临界线的拐点。放大器工作在临界线状态时,输出功率大,管子损 耗小,放大器的效率也就较大。, 过压状态 放大器的负载较大,在过压区,随着负载Rp的加大,Ic1要下降,因此放大器的输出功率和效率也要减小。,电压、电流随负载变化波形,1. 功率放大器的负载特性,什么是负载特性呢? 即EC、Eb、Ub不变时, 与负载之间的关系。 在其他条件不变(EC、Eb、Ub为一定),只变化放大器的负载电阻而引起的放大器输出电压、输出功率、效率的变化特性称为负载特性。,电压、电流随负载变化波形,3.2.3 高频功放的外部特性,外部特性指的是放大器的性能随外部参数变化的规律(关系)。

4、包括负载特性、振幅特性、调制 特性、调谐特性。,过压状态的优点是,当负载阻抗变化时,输出电压比较平稳且幅值较大,在弱过压时,效率可达最高,但输出功率 有所下降,发射机的中间级、集电极调幅级常采用这种状 态。,负载特性曲线,欠压状态的功率和效率都比较低,集电极耗散功率也较大,输出电压随负载阻抗变化而变化,因此较少采用。但晶体管基极调幅,需采用这种工作状态。,临界状态的特点是输出功率最大,效率也较高,比最大效率差不了许多,可以说是最佳工作状态,发射机的末级常设计成这种状态,在计算谐振功率放大器时,也常以此状态为例。,负载特性曲线,掌握负载特性,对分析集电极调幅电路、基极调幅电路的工作原理,对实际调

5、整谐振功率放大器的工作状态和指标是很有帮助的。,2. 高频功放的振幅特性,振幅特性是指放大器电流、 电压、功率及效率随激励信号 振幅Ub的变化特性。,Ub变化,但EC、(-Eb)、Rp不变或(-Eb)变化,但EC、Ub、Rp不变,这两种情况所引起放大器工作状态的变化是相同的。因为无论是Ub还是Eb的变化,其结果都是引起uBE的变化。,由 uBE= -Eb+Ubcost uBEmax= -Eb+Ub,当(-Eb)或ub由小到大变化时,放大器的工作状态由欠压经临界转入过压。,Ub变化时电流、功率的变化,3. 高频功放的调制特性,调制特性是指放大器的偏置直流电压改变时,输出的高频信 号的振幅随之变化

6、的特性。分为基极和集电极调制特性。,( 1)集电极调制特性-EC变化时对工作状态的影响: EC由小变大,负载线向右平移,状态由过压进入欠压,,EC变化时对工作状态的影响,在欠压区内,输出电流的振幅基本上不随EC变化而变化,故输出功率基本不变;而在过压区,输出电流波形出现凹陷,振幅随EC的减小而下降,故输出电压也随之下降。,在过压区中输出电压随EC改变而变化的特性为集电极调幅的实现提供依据;因为在集电极调幅电路中是依靠改变EC来实现调幅过程的。改变EC时,其工作状态和电流、功率的变化如上图所示。,(2)基极调制特性,在欠压区,电压、电流随(-Eb)变化明显,调制特性显著。,4. 高频功放的调谐特

7、性,调谐特性是指当谐振回路失谐时,放大器的电流、电压、 功率及效率随之变化的特性。利用调谐特性,可以指示放大器 是否处于谐振状态。,当回路失谐时,无论实感性 还是容性失谐,阻抗的模制要减 小,且有相角,工作状态会发 生变化。 (1)若原来处于弱过压区,当 失谐时,由于阻抗模值变小,根 据负载特性,此时会向临界或欠 压区变化,使Uc减小,Ic1、Ico 增大。Ico变化较为明显。故可依据Ico的变化作为调谐指示。 特别注意:失谐时直流功率增加,而输出功率因cos 而减 小,集电极功耗迅速增加,长时间可能损坏管子。调谐时,可 用降低Ec或减小激励的办法避免损坏管子。,谐振功率放大器的工作状态调整:

8、,思考题:已知谐振功率放大器工作在过压状态,欲将它调整到临界状态,应改变那些参数?不同的调整方法所得到的输出功率是否相同?,谐振功率放大器的计算,谐振功率放大器的主要指标是功率和效率。以临界状态为例:,1)首先要求得集电极电流脉冲的两个主要参量ic max和,导通角,集电极电流脉冲幅值 ic max,电流余弦脉冲的各谐波分量系数0(c)、1(c) n(c)可查表求得,并求得个分量的实际值。,3) 谐振功率放大器的功率和效率,直流功率:,PO=Ic0 EC,交流输出功率:,集电极效率:,4) 根据,可求得最佳负载电阻:,在临界工作时,接近于1,作为工作估算,可设定=1。,“最佳”的含义在于采用这

9、一负载值时,调谐功率放大器的效率较高,输出功率较大。,可以证明,放大器所要求的最佳负载是随导通角改变而变 化的。小,则Rp大。要提高放大器的效率,就要求放大器具有大的最佳负载电阻值。,在实际电路中,放大器所要求的最佳电阻需要通过匹配网络和终端负载(如天线等)相匹配。,临界状态的计算公式,当t=0时,uce=ucemin,uBE=uBEmax,因此,icmax=Scucemax,ucemax=icmax/Scr,集电极电压利用系数,=Uc/Ec=(Ec-ucemin)/EC=1-(ucemin/ Ec) =1-(icmax/ScEc),由于 P1=1/2UcIc1=0.5ECIcmaxa1(),

10、所以 Icmax=2P1/Eca1(),因此,有,例3-1 某高频功率管工作在临界状态,通角为70,输出功率为 3W,EC=24v,Eb=-0.5v,所用高频功率管的临界饱和线斜率SC =0.33A/V,转移特性曲线斜率SC=0.8A/V,Eb=0.65v,管子能安全 工作。试计算:P0、Ub以及负载阻抗的大小。,解:(1),(2) ICO=icma0()=0.158 A po=IC0EC=3.79w IC1=icma1()=0.273A pC=P0-P1=0.79w =P1/P0=79% 或 =/2=0.921x(a1/a0)/2 =0.921x0.273/0.158x2=0.796% RL

11、Cr=UC/IC1=Ec/0.273=0.921X24/0.273=82欧姆,(3)Ub=icm/(1-cos )S=1.19v Eb=Eb-Ubcos =0.24v,3.3 晶体管功率放大器的高频效应,一、概述,用折线法分析高频功率放大器时要引入相当的误差,低频时误差还是允许的。但随着工作频率的提高,由于晶体管的高频特性及大信号的注入效应而引入的误差将更大,严重时,使放大器无法工作。,一方面应该考虑晶体管基区少数载流子的渡越时间、晶体管的体电阻(特别是rbb的影响)。饱和压降及引线电感等因素的影响;另一方面,功率放大管基本工作在大信号,即大注入条件下,必须考虑大注入所引起的基极电流和饱和压降

12、增加的影响。上述的这些影响都会使放大器的功率增益、最大输出功率及效率的急骤下降。,二、基区渡越时间的影响,在高频小信号工作时,渡越角是以扩散电容的形式来表示基区渡越时间的影响的,由于信号的幅度小结电容可等效成线性的。而在大信号高频工作时,必须考虑其非线性特性。,高频情况下功放管 各电极电流波形,为什么发射极电流出现负脉冲呢?这是由于少数载流子在基区渡越时间所引起(基区内的空间电荷储存效应)。 1、当发射结电压由正变负时,基区内的非平衡少数载流子来不及扩散到集电极,又重新推斥回发射极,形成负脉冲。同时频率升高后,增加了通过发射结电容的电流,使基极电阻上的电压降增加,因而结电压下降,也使主脉冲的高

13、度降低. 正脉冲的通角与频率无关,负脉冲的通角为。 2、集电极电流峰值点落后于发射极电流脉冲峰值点的角度0 ,这是由于发射极到集电极的渡越时间引起的。直到渡越结束,集电极电流才下降到零。,在工作频率很高, 渡越角在0=1020时。,发射极电流ie 随着工作频率提高,存贮在基区中的载 流子由于输入信号vb迅速向负极性变化而返回发射极,因 而ie出现反向脉冲,管子的导通角加大,工作频率越高,ie 反向脉冲的宽度就越大,幅值也越高,导通角也越扩展。,(2) 集电极电流ic 峰值滞后于Ie 的峰值二者差一渡越角0,ic 导通角也由低频时的 c增大到c+20,峰值下降。,高频情况下功放管 各电极电流波形

14、,(3) 基极电流ib 由于ie出现反向脉冲,根据 ib= ie ic,所以ib也出现反向电流脉冲,渡越角增大,负脉冲也增大,使平均值电流(直流)减小,平均值甚至变负。同时正脉冲幅度增大,使基波电流增大。,1、ic的导通角加大,将使电压增益下降,使功率管的效率大大降低; 2、基极基波电流Ib1的加大和集电极基波电流下降,将使激励功率增加,这会使放大器的功率增益降低,这种现象将随工作频率升高而加剧。,高频情况下功放管各电极电流波形,三、晶体管基极体电阻rbb的影响,当频率增高时,已经证明基极电流的基波振值Ib1是迅速增加的,这表明be间呈现的交流阻抗显著减小,因此rbb的影响便相对增加,要求的激

15、励功率将更大,这会使功率增益进一步减小。,四、饱和压降Vces,大信号注入时,功率管的饱和压降将增大,在高频工作时,集电极体电阻也要提高,致使饱和压降进一步增加。,例如: 当f=30MHz时,实测某管的Vces=1.5V, 当f=200MHz时,Vces则可大到3.5V。,Vces的增加,会使功率放大器的输出功率、效率、功率增益均减少。,五、发射极引线电感的影响,在更高频率工作时,要考虑管子各电极引线电感的影响,其中以发射极的引线电感影响最严重,因为它能使输出输入电路之间产生寄生耦合。,一般长度为10mm的引线,其电感约为103H,在工作频率为300MHz时,感抗值约为1.9,若通过1A高频电

16、流,则会在此感抗上产生约1.9V的负反馈电压。这种负反馈当然会使输出功率及功率增益下降,并使激励增加。,1. 集电极馈电电路,根据直流电源连接方式的不同,集电极馈电电路又分为串联馈电和并联馈电两种。,3.4.1 直流馈电电路,3.4 高频功率放大器的实际电路,管外电路由二部分组成:直流馈电电路和滤波匹配网络,串馈电路 指直流电源VCC、负载回路(匹 配网络)、功率管三者首尾相接的一种直流馈 电电路。C、L为低通滤波电路,A点为高频 地电位,既阻止电源VCC中的高频成分影响放 大器的工作,又避免高频信号在LC负载回路 以外不必要的损耗。C、L的选取原则为 1/ C 回路阻抗R1/(50100) L1/ C (50100),(2) 并馈电路 指直流电源VCC、负载回路(匹配网络)、功率管三者为并联连接的一种馈电电路。如图L为高频扼流圈,C1为高频旁路电容,C2为隔直流通高频电容,LC、C1、C2的选取原则与串馈电路基本相同。,(3) 串、并馈直流供电电路的优缺点 在并馈电路中,信号回路两端均处于直流地电

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