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1、2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-1,第11章 电力电子器件的应用基础,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-2,本章内容,11.1 晶闸管触发电路 11.3电力MOSFET和IGBT驱动电路 11.4电力电子器件的串并联 11.5器件使用中的保护措施 11.6电力电子器件的缓冲电路,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-3,11 . 1 晶闸管触发电路,一、概述 电力电子装置主电路、控制电路。 主电路用于电能变换： 控制电路将给定控制信号转换为能满足主电路开关器件要求的开关控制信号，以使主电路实现相应功能。 控制电路开关控制逻辑信号发生电路（通常称为控
2、制电路）、功率放大电路（通常称为驱动电路）。,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-5,11 . 1 晶闸管触发电路,二、对晶闸管触发电路的要求 要求触发电路能产生满足以下要求的触发脉冲 1、触发脉冲形式可以是宽脉冲（脉冲列） 、窄脉冲。 2、触发脉冲应有足够的功率要求触发电压和触发电流大于额定值，保证可靠触发；但应小于最大允许峰值。一般触发电流取额定触发电流值的35倍。,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-6,3、触发脉冲应有足够的宽度保证在触发脉冲消失前阳极电流已大于擎住电流。 4、触发脉冲应有足够的前沿陡度以提高晶闸管导通速度，从而提高晶闸管承受的di/dt能力
3、。要求触发电压前沿陡度10V/us；触发电流前沿陡度达到12A/us。,11 . 1 晶闸管触发电路,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-7,5、触发脉冲应与主电路电源电压同步使每个周期触发脉冲都能在同一时刻出现，保证输出电压稳定。 6、触发脉冲移相范围应满足电力电子装置的要求。,11 . 1 晶闸管触发电路,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-8,三、晶闸管触发电路的基本组成环节 1、同步环节提供触发脉冲的参考时刻信号； 2、移相环节产生能反映角度的移相信号； 3、脉冲发生环节产生具有一定形式的触发脉冲，如宽脉冲（脉冲列）、窄脉冲或双窄脉冲；,11 . 1 晶闸管
4、触发电路,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-9,4、脉冲分配环节将一定形式的触发脉冲按照主电路所要求的工作逻辑分配给各个晶闸管； （以上环节构成了开关控制逻辑信号发生电路，即控制电路。它可以由分立元件组成，也可以由微机组成或由专用集成电路组成）。 5、功率放大环节用于放大、整形和隔离。,11 . 1 晶闸管触发电路,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-10,四、常见的功放电路 T1、T2构成脉冲放大环节； 脉冲变压器TM和附属电路构成脉冲输出环节； T1、T2导通时，通过脉冲变压器向晶闸管的门极和阴极之间输出触发脉冲； D1和R3是构成脉冲变压器能量泄放回路。,1
5、1 . 1 晶闸管触发电路,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-11,11 . 3 电力MOSFET和IGBT的驱动电路,一、概述 电力MOSFET与IGBT的输入特性基本相同，因此两者的驱动电路也基本相同。所不同的是IGBT的输入电容较电力MOSFET的稍大，要求驱动电路提供的驱动电流也稍大。,驱动电路的形式 直接驱动（用于单管） 隔离驱动（变压器隔离、光耦隔离）,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-12,驱动电路的构成 分立元件驱动电路 专用驱动模块 抗干扰能力强、保护功能完善、性能可靠； 集成化程度高、使用方便； 应用普遍。,电力MOSFET和IGBT的驱动电
6、路,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-13,（）富士公司IGBT驱动模块,电力MOSFET和IGBT的驱动电路,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-14,（）东芝公司IGBT驱动模块,电力MOSFET和IGBT的驱动电路,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-15,二、设计驱动电路要考虑的主要因素 柵极驱动电压UGE(UGS) 柵极负偏电压-UGE(-UGS) 柵极驱动电阻RG 隔离用光耦,电力MOSFET和IGBT的驱动电路,、柵极驱动电压UGE(UGS) UGE对管子通态损耗和短路电流有影响： UGEUCE通态损耗、短路电流 一般取UGE 15V,
7、2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-16,电力MOSFET和IGBT的驱动电路,2、柵极负偏电压-UGE(-UGS),加-UGE的主要原因：防止管子误导通 管子在关断期间将承受较大的dUCG /dt，可能会关不断。加-UGE后可以提高关断可靠性。,一般取负偏电压为：-5V或-10V,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-17,电力MOSFET和IGBT的驱动电路,、柵极驱动电阻RG RG对管子动态性能影响较大： RG 管子开关速度、开关损耗 关断时管子承受的尖峰电压 开通时承受的尖峰电流 RG一般取330欧，管子容量越大， RG应越小；管子工作频率越高， RG应越小。
8、,、隔离用光耦 主要考虑快速和耐du/dt能力 常用的隔离光耦有：TLP559、HCLP-4503、HCLP-4505,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-18,电力MOSFET和IGBT的驱动电路,、柵射极电阻RGE和柵射极稳压管 （）RGE的作用：防止管子误导通 在管子受到外界干扰时，集射极电压有可能超过其阀值，引起管子误导通，加RGE可阻止这一现象发生。 RGE 管子开通时间 一般取RGE =(10005000)RG （）柵射极稳压管的作用：阻止短路电流形成正反馈。 当电路发生短路时，Ic柵射极产生尖峰电压脉冲Ic形成正反馈。加稳压管可阻止正反馈现象发生。一般取稳压值=UG
9、E+1V。,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-19,11 . 4电力电子器件的串并联,一、概述 1、电力电子器件串并联 的目的 扩大装置容量 2、串并联 的要求 当器件的额定电压小于实际要求时可以用多个同型号器件串联，串联使用时要求各器件承受的电压相等； 当器件的额定电流小于实际要求时可以用多个同型号器件并联，并联使用时要求各器件承受的电流相等。,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-20,3、串并联带来的问题 （1）串联器件的均压问题 串联器件静态特性不一致会造成串联器件静态不均压，阻断电阻大的管子承受较大的电压； 串联器件动态特性不一致会造成串联器件动态不均压。
10、,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-21,不均压的后果： 承受正向电压时，承受电压高的器件首先达到转折电压而导通，使另一个器件承担全部电压也导通，失去控制作用； 承受反向电压时，可能使其中一个器件先反向击穿，另一个随之击穿。,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-22,（2）并联器件的均流问题 并联器件静态特性不一致会造成并联器件静态不均流，通态压降（通态电阻）小的管子承受较的大电流； 并联器件动态特性不一致会造成并联器件动态不均流。,不均流的后果： 承受电流大的器件首先因过流而损坏，然后使另一个器件承担全部电流也损坏。,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,
11、11-23,二、晶闸管的串、并联,1、串联晶闸管的均压措施 尽量选用特性一致的器件 并接均压电阻RP 使其中流过的电流远大于器件漏电流静态均压 （注意：RP若过大则起不到均压效果，过小则会造成上RP损耗过大）。,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-24,并接电容Cb、电阻Rb支路 利用电容电压不能突变的特性减慢电压的上升速度动态均压 （ Rb用于防止晶闸管导通瞬间，电容Cb对晶闸管放电造成过大的di/dt）。,采用门极强脉冲触发可以显著减小器件开通时间上的差异，达到动态均压效果。,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-25,2、并联晶闸管的均流措施 晶闸管的均流措施较
12、多，不论采用哪种措施，首先应尽量选用特性一致的器件。,串耦合电抗器 具有动态均流和静态均流作用 能限制di/dt的变化 电抗器本身较笨重，接线也较复杂。 一般用于两个晶闸管的并联，多个晶闸管并联时，串独立电抗器。,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-26,2、并联晶闸管的均流措施（续） 串电阻 静态均流作用 电阻损耗大。 用门极强脉冲触发也有助于动态均流。,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-27,三、 功率MOSFET、IGBT的串、并联,功率MOSFET和IGBT的导通电阻Ron具有正温度系数，它能使多个并联的功率MOSFET自动均流 ，因此一般情况下，多个功率
13、MOSFET可以直接并联使用，不需要采取均流措施。,串联均压措施 尽量选用特性一致的器件 在各IGBT集电极和发射极之间并联阻值相等的电阻。,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-28,器件串、并联小结,1、电力电子器件串、并联的目的。 2、串、并联带来的问题：串联带来均压问题；并联带来均流问题 。 3、任何器件的串、并联，首先要保证各器件的特性基本一致。 4、SCR串联：需要解决均压问题。并联均压电阻可以解决静态均压问题，并联阻容支路可以解决动态均压问题 。,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-29,器件串、并联小结,5、SCR并联：需要解决均流问题。串联耦合电抗器
14、或独立电抗器既可以解决静态均流问题，又可以解决动态均流问题 。 6、对SCR 采用强脉冲触发有助于动态均压和动态均流。 7、MOSFET和IGBT的导通电阻Ron具有正温度特性，本身具有一定的均流能力，因此一般不需要考虑均流问题，其均压问题一般通过并联均压电阻来解决。,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-30,11 . 5器件使用中的保护措施,电力电子器件的保护包括 过电压保护 过电流保护 du/dt保护 di/dt保护 过热保护,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-31,过电流产生的原因 过电压产生的原因 外部原因 操作过电压：由分闸、合闸等开关操作引起 浪涌过电
15、压：雷击等外来冲击引起的过电压,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-32,内部原因 换相过电压 ：器件恢复阻断能力时，反向恢复电流急剧减小，因而在线路电感上产生过电压 。 关断过电压 ：当器件关断时，正向电流迅速减小，因而在线路电感上产生过电压 。 （注：换相过电压和关断过电压也属于操作过电压，它们都是由电磁过程引起的过电压，而浪涌过电压则是有外部侵入的偶然性过电压。）,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-33,一、晶闸管的保护措施,常用的保护措施：过电压保护 、过电流保护、du/dt限制、 di/dt限制 （1）过电压保护 阻容吸收回路能有效抑制操作过电压：可接在
16、电路的交流侧、直流侧或并接在晶闸管的阳极与阴极之间 。 由硒堆及压敏电阻等非线性元件造成吸收回路 能有效抑制浪涌过电压：可接在变流装置的进线端。,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-34,（2）过电流保护 快速熔断器 电流继电器、过负荷继电器、直流快速断路器等。,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-35,快速熔断器的接法,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-36,晶闸管的保护措施,（3）du/dt限制 造成du/dt过大的原因：（1）由电网侵入的过电压造成，（2）由晶闸管换相造成。 限制方法：加缓冲电路,（4）di/dt限制 造成di/dt过大的原因：（1）晶闸管导通时阻容保护电容向晶闸管放电，（2）晶闸管换相 限制方法：加缓冲电路,2020/8/5,北京交通大学电气工程学院,11-37,二、功率MOSFET的保护,常用的保护措施： （1）防止静电击穿； （2）过电压保护防止栅极开路工作、缓冲电路、主电路跳闸； （2）过电流保护检测到电流异常时迅速撤除驱动信号。 （4）过热保护利用温度传感器检测管子的壳温，当超过允许温度时迅速撤除驱动信号
