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1、薄膜材料与薄膜技术第一章1.真空度划分：粗真空：105-102Pa 接近大气状态 热运动为主低真空：102-10-1Pa 高真空：10-1-10-6Pa超高真空：500）、冷壁（LTCVD）发生的典型化学反应（记住四条）：分解反应、还原反应、氧化反应、氮化反应、碳化反应按照不同激活方式分类：激光化学气相沉积（LCVD）定义：利用激光源产生出来的激光束实现化学气相沉积的一种方法（激光加热非常局域化）光化学气相沉积（PCVD）定义：高能光子有选择性地激发表面吸附分子或气体分子而导致键断裂、产生自由化学粒子形成膜或在相邻的基片上形成化学物等离子体增强化学气相沉积（PECVD）定义：在等离子体中电子平
2、均能量足以使大多数气体电离或分解优点：比传统的化学气相沉积低得多的温度下获得单质或化合物薄膜材料缺点：由于等离子体轰击，使沉积膜表面产生缺陷，反应复杂，也使薄膜的质量有所下降。应用：用于沉积各种材料，包括SiO2、Si3N4，非晶Si：H、多晶Si、SiC等介电和半导体膜。分类：射频（R-PECED）、高压电源（PECVD）、微波（m-PECVD）、回旋电子加速微波 （mECR-PECVD）辨析PCVD 、LCVD 、PECVD？4.电镀定义：电流通过导电液中的流动而产生化学反应最终在阴极上（电解）沉积某一物质的过程。5.化学镀定义：不加任何电场、直接通过化学反应而实现薄膜沉积的方法6.阳极沉
3、积反应定义：不需采用外部电流源，在待镀金属盐类的溶液中，靠化学置换的方法在基体上沉积出该金属的方法。（依赖阳极反应）7.辨析电镀、化学镀、阳极沉积反应：化学镀、阳极沉积反应不可单独作为镀膜技术，一般作为前驱镀处理衬底或后续镀做保护层。电镀可单独作为镀膜技术。阳极沉积反应与化学镀的区别在于无需在溶液中加入化学还原剂，因为基体本身就是还原剂。化学镀需添加还原剂。两者都不需要外加电场。8.LB技术定义：利用分子活性气体在气液界面上凝结成膜，将该膜逐次叠积在基片上形成分子层。应用：应用这一技术可以生长有序单原子层、高度有序多原子层，其介电强度较高。过程：LB film第三章1.PVD与CVD相比优缺点
4、：优点：化学气相沉积对于反应物和生成物的选择，且基片需要处在较高温度下，薄膜制备有一定的局限性。物理气相沉积对沉积材料和基片没有限制。缺点：速率慢、对真空度要求高2.PVD三个过程：从源材料发射粒子、粒子输运到基片、粒子在基片上凝结、成核、长大、成膜。3.真空蒸发定义：将待成膜的物质置于真空中进行蒸发或升华，使之在工件或基片表面析出的过程。优点（相对于其他物理制备）：简单便利、操作容易、成膜速度快、效率高、广泛使用。缺点：薄膜与基片结合较差、工艺重复性不好。六种技术：电阻加热法定义：将支撑加热材料做成适当形状，装上蒸镀材料，让电流通过蒸发源加热蒸镀材料，使其蒸发。闪烁蒸发定义：把合金做成粉末或
5、微细颗粒，在高温加热器或坩锅蒸发源中，使一个一个的颗粒瞬间完全蒸发。激光蒸发定义：激光作为热源使蒸镀材料蒸发。电子束蒸发定义：把被加热的物质放置在水冷坩锅中，利用电子束轰击其中很小一部分，使其熔化蒸发，而其余部分在坩锅的冷却作用下处于很低的温度。电弧蒸发定义：属于物理气相沉积，有等离子体产生。射频蒸发（f13.6MHz）定义：通过射频线圈的适当安置，可以使待镀材料蒸发。优缺点：蒸发速度快，成本高，设备复杂。辨析电阻蒸发、电子束蒸发：电子束蒸发可以直接对蒸发材料加热；可避免材料与容器的反应（避免污染）和容器材料的蒸发；可蒸发高熔点材料。电阻蒸发难加到高温度，需要蒸发源材料低熔点和高蒸气压；加热时
6、容器（如坩埚）易产生污染。电子束蒸发需要靶材导电，装置复杂，只适合于蒸发单质元素；残余气体分子和蒸发材料的蒸气会部分被电子束电离。电阻蒸发装置相对简单。4.溅射定义： 溅射是指荷能粒子(如正离子)轰击靶材，使靶材表面原子或原子团逸出的现象。逸出的原子在工件表面形成与靶材表面成分相同的薄膜。溅射与蒸发的异同点 同：在真空中进行 异：蒸发制膜是将材料加热汽化 溅射制膜是用离子轰击靶材，将其原子打出。优点和缺点 参数控制较蒸发困难 但不存在分馏，不需加热至高温等直流辉光放电伏安特性曲线：A-B:电流小，主要是游离状态的电子，离子导电；电子原子碰撞为弹性碰撞；B-C: 增加电压，粒子能量增加，达到电离
7、所需能量；碰撞产生更多的带电粒子；电源的输出阻抗限制电压(类似稳压源)。C-D: 起辉（雪崩）；离子轰击产生二次电子，电流迅速增大，极板间压降突然减小(极板间电阻减小从而使分压下降)；D-E: 电流与极板形状、面积、气体种类相关，与电压无关；随电流增大，离子轰击区域增大；极板间电压几乎不变；可在较低电压下维持放电；E-F: 异常辉光放电区；电流随电压增大而增大；电压与电流、气体压强相关（可控制区域，溅射区域）；F-G: 弧光放电过渡区；击穿或短路放电；比较DE、EF区（正常辉光放电和异常辉光放电）辉光放电：真空度为10-110-2 Torr，两电极间加高压，产生辉光放电。电流电压之间不是线性关
8、系，不服从欧姆定律。DE段：电流增大电压不变。EF段：电压增大电流增大DE段不可控，EF段可控辉光放电时明暗场分布：阿斯顿暗区：慢电子区域；阴极辉光：激发态气体发光；克鲁克斯暗区：气体原子电离区，电子离子浓度高；负辉光：电离；电子离子复合；正离子浓度高(阴极位降区) 基片所在位置。法拉第暗区：慢电子区域，压降低，电子不易加速；溅射六种装置：辉光放电直流溅射三级溅射射频溅射：射频溅射是利用射频放电等离子体中的正离子轰击靶材、溅射出靶材原子从而沉积在接地的基板表面的技术。磁控溅射离子束溅射交流溅射速度：射频磁控交流三级直流离子束还有几种：对靶溅射 反应溅射 热溅射 校准溅射磁控溅射：磁力线延伸到衬
9、底，对衬底进行适当溅射，通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。优点：可在较低工作压强下得到较高的沉积率，可在较低基片温度下获得高质量薄膜。缺点：靶材利用率低，表面不均匀溅射、非均匀腐蚀及内应力 不适用于强磁体磁控热反应溅射：加热衬底。到达衬底前靶材粒子与反应气体发生化学反应形成化合物。（先解释溅射，再解释磁控溅射，再解释热反应溅射）非平衡磁控溅射：靶材非平衡使用磁线外延到靶材时，少量外延到衬底，可以对衬底进行预清洗。靶材中毒：判断依据：溅射速率急速下降 枪内真空度下降原因：化学反应没有发生在衬底上，发生在靶材上，使靶材钝化，产额下降。辨析直流、交流、
10、三极溅射？直流溅射：施加直流电压，使真空室内中性气体辉光放电，正离子打击靶材，使靶材表面中性原子溢出。交流溅射：施加交流电压。三极溅射：采用直流电源，将一个独立的电子源（热阴极）中的电子注入到放电系统中，而不是从靶阴极获得电子。5.离子镀定义：真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物部分离化，产生离子轰击效应，最终将蒸发物或反应物沉积在基片上。优点：结合蒸发与溅射两种薄膜沉积技术。膜与基片结合好，离子镀的粒子绕射性，沉积率高，对环境无污染。6.离子束沉积（IBD）在离子束溅射沉积过程中，高能离子束直接打向靶材，将后者溅射并沉积到相邻的基片上。离子助沉积（IAD）7.外延生长分子束外延(MBE)
11、定义：在超高真空条件下精确控制原材料的中性分子束强度，并使其在加热的基片上进行外延生长的一种技术。优点：超高真空、可以实现低温过程、原位监控、严格控制薄膜成分及掺杂浓度液相外延生长(LPE)定义：从液相中生长膜，溶有待镀材料的溶剂是液相外延生长所必需的。热壁外延生长(HWE)定义：一种真空沉积技术，在这一技术中外延膜几乎在接近热平衡条件下生长，通过加热源材料与基片材料间的容器壁实现的。有机金属化学气相沉积(MOCVD)定义：采用加热方式将化合物分解而进行外延生长半导体化合物的方法。原料含有化合物半导体组分。特点：可对多种化合物半导体进行外延生长。优点（相对于其他几种外延生长）：反应装置较为简单，生长温度较宽可对化合物的组分进行精确控制，膜的均匀性和膜的电化学性质重复性好原料气体不会对生长膜产生刻蚀作用。只通过改变原材料即可以生长出各种成分的化合物缺点：所用的有机金属原料一般具有自燃性。原料气体具有剧毒。比较MBE、LPE、MOCVD温度/生长速率/膜纯度：液相外延生长（LPE）有机金属化学气相沉积（MOPVD）分子束外延（MBE）辨析溅射、蒸发、离子镀类型粒子荷电性能 量沉积速率绕射性基片负荷蒸发中性0.1-0.3 高差接0溅射中性3 -10低差接正离子镀带正电10-100 高好接负第四章1.薄膜形成：凝结过程、核形成与生长
