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1、l 英特尔CPU封装及点胶摘要:英特尔成都工厂是一家主要从事于CPU的封装和测试的公司，生产员工则主要是从事于CPU生产和机器的维护与维修。CPU 是非常精密的器件,它的制造和其它的有很大的不同,需要更先进的工艺和设备.这里主要介绍的是 CPU 芯片的填充工艺,及设备的故障处理情况。【关键词】封装 测试 维护 维修 环氧树脂Abstract: Intel company of Chengdu is done CPUs package andtesting,asemployeer of Intel is made of CPU by machine and keep the machine in
2、 the good environment.CPU is very accurate devices, Its manufacture and other has the very big difference , The need for more advanced technology and equipment. Here mainly introduces is the CPU chip packing craftHere mainly introduces is the CPU chip packing craft, and equipment breakdown processin
3、g situation【Key Words】:package testing maintenance repair epoxy 目 录第1章 集成电路的发展情况11.1世界集成电路的发展历史11.2我国集成电路的发展历史21.2未来中国集成电路发展方向2第2章 集成电路芯片制作基本工艺流程简介52.1封装的概念52.2芯片封装的目的62.3芯片封装的分类 62.4封装的形式及特点82.5芯片的封装流程 122.6英特尔CPU封装工厂各站点的作用 18第3章 EPOXY 填充工艺 22 3. 1填充环氧树脂的目的及其要求的性能 223. 2填充工艺需要用到的设备及材料 223. 3安全用品 23
4、3. 4危险化学品 233.5流程的控制 24第4章 设备的介绍及故障处理 31 4.1 烘箱的介绍 31 4.2 点胶机的介绍. 314.3 故障的处理 32总结 33参考文献34.谢辞 35附录 36第一章 集成电路的发展情况1.1世界集成电路的发展历史1947年：贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑；1950年：结型晶体管诞生；1950年： R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺；1951年：场效应晶体管发明；1956年：C S Fuller发明了扩散工艺；1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子
5、学的历史； 1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺；1962年：美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管；1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺；1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍；1966年：美国RCA公司研制出CMOS集成电路，并研制出第一块门阵列（50门）；1967年：应用材料公司（Applied Materials）成立，现已成为全球最大的半导体设备制造公司；1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集
6、成电路出现；1971年：全球第一个微处理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工艺，这是一个里程碑式的发明；1974年：RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802；1976年：16kb DRAM和4kb SRAM问世；1978年：64kb动态随机存储器诞生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临；1979年：Intel推出5MHz 8088微处理器，之后，IBM基于8088推出全球第一台PC；1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世；1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM；1985
7、年：80386微处理器问世，20MHz；1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（ULSI）阶段；1989年：1Mb DRAM进入市场；1989年：486微处理器推出，25MHz，1m工艺，后来50MHz芯片采用 0.8m工艺；1992年：64M位随机存储器问世；1993年：66MHz奔腾处理器推出,采用0.6工艺；1995年:Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35工艺；1997年：300MHz奔腾问世,采用0.25工艺；1999年：奔腾问世，450MHz，采用0.25工艺，后采用0.18m工艺；2000
8、年: 1Gb RAM投放市场；2000年：奔腾4问世，1.5GHz，采用0.18工艺；2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13工艺。1.2.我国集成电路的发展历史我国集成电路产业诞生于六十年代，共经历了三个发展阶段：1965年-1978年：以计算机和军工配套为目标，以开发逻辑电路为主要产 品，初步建立集成电路工业基础及相关设备、仪器、材料的配套条件；1978年-1990年：主要引进美国二手设备，改善集成电路装备水平，在“治散治乱”的同时，以消费类整机作为配套重点，较好地解决了彩电集成电路的国产化；1990年-2000年：以908工程、909工程为重点，以CAD为突破口，抓好科技攻
9、关和北方科研开发基地的建设，为信息产业服务，集成电路行业取得了新的发展。1.3 未来中国集成电路设计产业发展方向中国拥有巨大的电子产品消费能力，并且是世界最大的电子制造基地 ，毫无疑问，集成电路设计业在中国有良好的前景。适时调整思路，是中国集成电路设计业崛起的关键： 1)建立多方业务，实现业务多元化 任何产品都有生命周期，要长久发展，多元化是必然之路。只有紧扣市场需求，不断丰富产品线，才能在业绩上不断提升。 中国IC设计企业应立足本土优势领域，如政府采购、IC卡、多媒体、动漫文化、新型能源等，加强创新能力，实现业务多元化。树立本土技术 、产品和应用标准，抢占市场先机。培育集成电路设计企业与电子
10、整机生产企业经常性沟通联系和产品技术供需交流的渠道，通过电子整机生产企业的发展需求带动集成电路设计业的发展，努力实现电子整机产品集成电路设计本地化，提升产品竞争力。 2)立足自身状况，进行技术创新 如今，IC（集成电路）制造技术进步的代价越来越大，产业 链各方必须通力协作以降低技术创新的成本。本土企业在技术创新的道路上，必须针对自身的实际情况，选择适合自己的发展策略。 一方面，目前，半导体工艺技术已接近极限，国际上采用90纳米技术已是主流，65纳米的项目 也有100多个，少数公司已切入45纳米技术，而中国本土公司目前90纳米和65纳米的项目还非常少见。中国设计公司应与全球领先公司合作，大幅度提
11、升自己的技术能力。积极参与国际化竞争，通过开拓国际市场把规模做大。 另一方面，近年来，全球0.16微米以下工艺产能迅速增长 。中国半导体行业协会的统计数字显示，从2003年第一季度到2007年第三季度，0.16微米以下工艺产能由24.8万片/周增至123.7万片/周。为缩短与国际先进企业在技术上的差距，持续投资以增强创新能力是本土集成电路设计企业的必然选择。 如今，半导体产业垂直分工日益细化，晶圆代工厂与IC设计公司彼此间的领域划分也相当分明。工艺制程技术的档次越高，集成电路产品设计与制造、封测各环节之间的关联性、协同性要求也就越高。先进工艺需要设计公司、晶圆厂共同定义工艺要求，并将产品参数优
12、化放到首位。IC设计公司应与各环节企业有效沟通，提高技术进步。 3)整合全球资源，做大做强 整合全球资源不只是请几个有硅谷工作 经验的技术人员或引进硅谷成熟的技术，它还包括引入风险投资、海外资本运作、企业管理运作模式等一系列硅谷机制。目前在NASDAQ上市的三家公司中，展讯的启动资金 即是来自海外的风险投资，公司的现代化企业管理运作模式也是取自硅谷。此外，展讯在硅谷设立的分支机构既能获取最新的科技进步信息，同时也成为展讯向全球展示和销售产品的窗口。中星微电子成功的另一要素也是引入硅谷机制。2005年11月15日，中星微电子正式在美国纳斯达克挂牌交易，成为第一家在纳斯达克上市的中国芯片设计公司，
13、为加快全球布局，中星微电子计划在硅谷、韩国和台湾加大市场推广的投入，使企业更趋国际化。有效地整合全球资源，是这些企业做大做强的捷径。第二章 集成电路芯片制作基本工艺流程简介2.1 芯片的封装概述.电子产品是由半导体器件(集成电路和分立器件)、印刷线路板、导线、整机框架、外壳及显示等部分组成，其中集成电路是用来处理和控制信号，分立器件通常是信号放大，印刷线路板和导线是用来连接信号，整机框架外壳是起支撑和保护作用，显示部分是作为与人沟通的接口。所以说半导体器件是电子产品的主要和重要组成部分，在电子工业有“工业之米的美称 我国在上世纪60年代自行研制和生产了第一台计算机，其占用面积大约为100 m2以上，现在的便携式计算机只有书包大小，而将来的计算机可能只与钢笔一样大小或更小。计算机体积的这种迅速缩小而其功能越来越强大就是半导体科技发展的一个很好的佐证，
