晶体管放大电路分析及计算.doc

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1、晶体管放大电路分析及计算一、共发射极放大电路(一)电路的组成:电源VCC通过RB1、RB2、RC、RE使晶体三极管获得合适的偏置,为三极管的放大作用提供必要的条件,RB1、RB2称为基极偏置电阻,RE称为发射极电阻,RC称为集电极负载电阻,利用RC的降压作用,将三极管集电极电流的变化转换成集电极电压的变化,从而实现信号的电压放大。与RE并联的电容CE,称为发射极旁路电容,用以短路交流,使RE对放大电路的电压放大倍数不产生影响,故要求它对信号频率的容抗越小越好,因此,在低频放大电路中CE通常也采用电解电容器。 Vcc(直流电源): 使发射结正偏,集电结反偏;向负载和各元件提供功率 C1、C2(耦

2、合电容): 隔直流、通交流; RB1、RB2(基极偏置电阻): 提供合适的基极电流 RC(集极负载电阻): 将 DIC DUC,使电流放大 电压放大 RE(发射极电阻): 稳定静态工作点“Q ” CE(发射极旁路电容): 短路交流,消除RE对电压放大倍数的影响 (二)直流分析:开放大电路中的所有电容,即得到直流通路,如下图所示,此电路又称为分压偏置式工作点稳定直电流通路。电路工作要求:I1 (510)IBQ,UBQ (5 10)UBEQ 838电子求静态工作点Q:方法1.估算工作点Q不稳定的主要原因:Vcc波动,三极管老化,温度变化稳定Q点的原理: 方法2.利用戴维宁定理求 IBQ(三)性能指

3、标分析将放大电路中的C1、C2、CE短路,电源Vcc短路,得到交流通路,然后将三极管用H参数小信号电路模型代入,便得到放大电路小信号电路模型如下图所示。1.电压放大倍数 2.输入电阻计算 3.输出电阻Ro= RC没有旁路电容CE时:1.电压放大倍数 源电压放大倍数 2.输入电阻 3.输出电阻Ro= RC二、共集电极放大电路 (射极输出器、射极跟随器) (一)电路组成与静态工作点共集电极放大电路如下图(a)所示,图(b)、(c)分别是它的直流通路和交流通路。由交流通路看,三极管的集电极是交流地电位,输入信号ui和输出信号uo以它为公共端,故称它为共集电极放大电路,同时由于输出信号uo取自发射极,

4、又叫做射极输出器。 IBQ=(VccUBEQ)/RB+(1+b) RE ICQ= bIBQ,UCEQ=VccICQRE (二)性能指标分析 1.电压放大倍数 2.输入电阻 RL=RE/RL3.输出电阻 共集电极电路特点共集电极电路用途1.Uo与Ui同相,具有电压跟随作用1.高阻抗输入级2.无电压放大作用 Au12.低阻抗输出级3.输入电阻高;输出电阻低3.中间隔离级一、共基极放大电路共基极放大电路如下图所示。由图可见,交流信号通过晶体三极管基极旁路电容C2接地,因此输入信号ui由发射极引入、输出信号uo由集电极引出,它们都以基极为公共端,故称共基极放大电路。从直流通路看,也构成分压式电流负反馈偏置。(一)求“Q”略(二)性能指标分析 RO=RC(三)特点:共基极放大电路具有输出电压与输入电压同相,电压放大倍数高、输入电阻小、输出电阻大等特点。由于共基极电路有较好的高频特性,故广泛用于高频或宽带放大电路中。

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