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1、1二模后备考的几点建议一、二模考试中存在问题从二模阅卷的信息看，学生文字表达能力依旧较差，不仅缺乏化学学科素养，而且文字表达能力差。如：结构式与电子式混为一谈，结构简式书写不规范（H O- OH，写成 CH O- CO OH ），基本反应原理弄不清，如苯环上先引入卤素原子再加氢还是先加氢再引入卤素原子，教材上候氏制碱原理及硝酸受热分解不清楚，氧化还原反应中氧化剂、还原剂弄不清楚导致解题失分，CaH 2 是共价化合物还是离子化合物弄不清楚，导致电子式书写错误，审题不清，27 题，题中已告诉溶液中只有 NO ，并且是有氧气参反应， 3但仍有很多学生在书写离子反应方程式时产物中还出现 NO，28 题
2、则体现出学生作图能力和计算能力差，离子浓度大小关系比较时，题要求由小到大，但有 86%的2写成由大到小，审题不清。二、后期备考建议1、后期的复习除注重知识重现和巩固外，还必须加强答题用语准确和书写规范训练。在非选择型题目中，经常出现文字叙述和书写计算过程及化学用语等问题，很多考生经常在此处马虎，造成非知识性失分，可惜至极。特别是文字叙述中，考生经常答不到采分点上，如实验中装置气密性检查中的三个环节：1、构建封闭系统，2、制造压差，3、现象和结论，三个采分点答不全。再如化学实验 操作中缺少步聚，如：一碱性溶液中只含 Na2CO3 和 NaOH，怎样用实验的方法说明 NaOH 和 Na2CO3 的
3、存在？（学生答题时缺少合理的思维逻辑,操作 现象 结论），建议平时做完题后，仔细分析参考答案的语言，弄清楚每句话的意义，还要做到言简意赅，最后形成习惯，切忌模棱两可或者有歧义。化学用语要注意如：化学方程式、离子方程式;元素符号、元素名称;电子式、结构式、结构简式，原子结构示意图、电3子排布式（价电子排式或外围电子排布式）、电子排布图等等。2. 在临近高考还不到 45 天的时间,我们老师要不断想办法帮学生树立信心。有些时候需要创造条件提升自信。比如，可以适当做些简单的题目，在逐渐增加难度等，另外，一定要提高效率，切忌搞疲劳战术。一定要让学生的头脑处在清晰最好是兴奋的状态，累的时候可以适当放松，然
4、后集中精力去备考，高考的效率也将是最大化。具体做法:1、错题反思整理模拟考试卷及以前做过的试卷将自己常错的点找出来，进行数据统计，明确自己的不足之处在哪里，然后各个击破。比如非选题部分，确定自己的错是没思路造成的还是基础知识欠缺造成的。若是思路问题，就要明确解题的思路过程，并形成模型进行固化；若是基础知识的问题，比如元素化合物、氧化还原反应、离子反应、实验基础等知识点不熟练，那你需要回头解决相应的问题。最好做个便签本将自己的盲点和易忘点记在上面，便于4后期的冲刺备考。2、回归教材回归教材，教材是化学总复习的根本，它的作用是任何资料都无法替代的；在模拟考备考的阶段，考生把时间大量花在做各地的模拟
5、试卷上，没有时间去回归教材，一些基本概念、原理、符号、反应和实验等可能会成为此阶段复习的盲点，而高考的考题中，这些最基本的知识往往就是高考命题的依据、题设的条件、甚至是解题的关键因素。因此回归教材就非常有必要性。3、精选模拟题在模拟备考阶段要注重精做题，强化解题的有效思路，规范作答，做到对解答题目的流程、规范、格式做到心中有数，选做的题可从历年高考真题和模考题中选择，进而研读命题角度。比如氧化还原反应在考题中的命题角度有：氧化还原反应，氧化剂，还原剂，氧化产物，还原产物；判断氧化剂的氧化性或还原剂的还原性强弱；配平氧化还原反应方程式；计算电子转移的数目；根据质量守恒、5电子守恒、电荷守恒等解决
6、一些计算问题等。4、对三道选做题看法化学与技术、有机化学基础(选修 5)和物质结构(选修 3)三选一的问题，建议不要过早做出选择而放弃另两模块的复习。从前四年高考试题分析看，学生答结构和有机的偏多，并且结构与有机难、易交替出现，而技术则趋于流程式化学实验模式体现出来，涉及物质的除杂、分离、提纯与制备等。从考题分析看，化学与技术与化学反应原理化学实验联系紧密，通过框图分析，依据题中信息还是较容易得分的，不过化学与技术涉及面相当广，出题角度多，相对而言把握难度还是大一点；而物质的结构题型较单调，模式固定，只在对原子核外电子排布中的电子排布式、轨道式，原子轨道的杂化类型， 键、 键、配位键及配位数，
7、元素的电负性、第一电离能、晶体密度（要清楚每个晶胞中有多少个原子，晶胞的体积怎么求）就能得较高分分数；有机化学基础，题型也相当固定，推断方法也基本相似，6题目的落脚点常落在反应类型、物质的命名、官能团名称、有机化学反应方程式书写、同分异构的种类及同分异构体结构简式的书写上，近几年有可能出现合成路线的自我设计。有机题目中，思维题较大，书写量也大，并且在写结构式时，丢氢多氢的事时有发生，反应方程式丢 H2O，不配平的事也大有人在，特别是同分异构体数的判断更是容易出错。(说明:1、关于过渡元素电子排布式书写的技巧：如 26 号元素Ar 3d 64s2 而 24 号应写成与 29 号反常,分别写成Ar
8、 3d54s1 和 Ar 3d104s1 (“五一”, “ 十一”两个节日特殊)2、关于杂化类型技巧: 如 H2O, 我把O 为中心原子,H 为配位体,2 为配位数, 配位数 2+=N (若中 心 原 子 最 外 层 电 子 成 键 电 子 数2有余数 1,则 N 值加 1)N=2 s1p1 1+1=2 sp 杂化，N=3 s 1p2 2+1=3 即 sp2 杂化，N=4 s 1p3 1+3=4 即 sp3 杂化。如 SO2 S 原子采取 72+ =3 sp2 杂化。NO 中心原子 N6 42 3最外层电子全部成键，N=3 为 sp2 杂化。3、有机框图题的解题解度：关注反应条件对你的提示，通
9、过反应条件判断官能团和反应类型；关注题目中已给物质对你的提示，对已有物质进行对比分析，找差异，特别是官能团的变化及部位；关注题给信息，努力在框图中找到信息对应物质与条件，信息中出现的条件必然对应与信息反应相似的反应与相似的物质；关注不饱和度的运用）五、应试策略1、理综考试中 150 分钟的时间完成的题量较大，所以要把握好试卷中的基础题，拿稳基础分，做到会全对，余舍去全不会。力求在难度低的试题中少失分，在难度高的试题中多得分，以期全面提高得分率。2、做选择题的时间每道题应控制81.52 分钟之内，卷四道题，平均每道题 9 分钟，如果到了 9 分钟应停下来做另一题，这样才能保证每道中易得分的部分把分都得到，而不至于考完才说， “我有的题根本就没来得及做”。总之后期备考要根据不同学校和所教班学生的具体情况，灵活备考，千篇一律。以上只是我们对备考的一点看法,不妥之处请各位同仁批评指正。
