《02340线性电子电路 浙江省2013年7月自考 试题》由会员分享,可在线阅读,更多相关《02340线性电子电路 浙江省2013年7月自考 试题(9页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。
1、浙江省 2013 年 7 月高等教育自学考试线性电子电路试题课程代码:02340本试卷分 A、B 卷,使用 1999 年版本教材的考生请做 A 卷,并将答题纸上卷别“A”涂黑;使用 2010 年版本教材的考生请做 B 卷,并将答题纸上卷别“B”涂黑。A 卷一、单项选择题(本大题共 15 小题,每小题 2 分,共 30 分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其选出并将“答题纸”的相应代码涂黑。错涂、多涂或未涂均无分。1利用二极管的单向导电特性可实现_功能。A.电压放大 B.电流放大C.稳压 D.整流2在题 2 图所示的各种元器件中,_是无源器件。题 2 图3晶体三极管中的
2、是描述_控制作用的参数。A.发射极电流 ie 对集电极电流 ic B.基极电流 ib 对发射极电流 ieC.发射极电流 ie 对基极电流 ib D.基极电流 ib 对集电极电流 ic4晶体三极管的频率参数 是 ()下降到_时所对应的角频率。A.0.1 B.0.5C.0.707 D.0.95晶体三极管组成的共发放大电路,当输入信号 Vi 增加到足够大时,可能引起的非线性失真为A.频率失真 B.幅度失真C.相位失真 D.截止和饱和双向失真6某硅晶体三极管的直流电位如题 6 图所示,则三极管的工作状态为A.放大状态 B.截止状态C.击穿状态 D.饱和状态 题 6 图7集成运放偏置电路主要为各组成级提
3、供稳定的工作点,一般采用_电路。A.差分 B.恒流源C.共集电极 D.共发射极8差动放大电路,已知输入信号 Vi1=30mV,V i2=10mV,则共模信号 Vic 和差模信号 Vid分别为A.Vic=20mV Vid=20mV B.Vic=40mV Vid=20mVC.Vic=20mV Vid=40mV D.Vic=40mV Vid=40mV9N 沟道和 P 沟道 MOS 场效应管的区别在于A.衬底材料前者为硅,后者为锗B.衬底材料前者为 N 型,后者为 P 型C.导电沟道中载流子前者为电子,后者为空穴D.导电沟道中载流子前者为空穴,后者为电子10晶体三极管工作在放大状态时,i c 与 vb
4、e 之间近似为_ 关系。A.对数律 B.指数律C.线性 D.平方律11电路如题 11 图所示,其中_是基本 MOS 管镜像电流源电路。题 11 图12负反馈放大器中,在满足深度负反馈条件下,存在虚短路和虚开路,即A.xi0 B.xi0C.x00 D.xf013设计一负反馈放大器,实现电流电压的变换,应引入A.电压串联负反馈 B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈 D.电流并联负反馈14当输入信号为阶跃电压时,设计一运算电路实现延时,可选用_实现。A.同相放大电路 B.反相放大电路C.积分电路 D.微分电路15在题 15 图所示电路中,两个二极管的工作状态是A.D1 导通,D 2 截止B.D1 截
5、止,D 2 导通C.D1 和 D2 都截止D.D1 和 D2 都导通 题 15 图二、填空题(本大题共 10 小题,每空 1 分,共 10 分)16半导体中的载流子由于浓度差而产生的定向运动称为_运动。17当外电源正极接 N 区,负极接 P 区时,称反偏,此时 PN 结的结电阻通常非常_。18集成运放组成的比例运算电路中,_比例放大电路的放大倍数大于 1。19直接耦合放大电路的通频带为 100kHz,说明其上限截止频率为 _。20场效应管常用跨导 gm 表示栅源电压 vGS 对_的控制能力。21随着温度升高,晶体管的穿透电流 ICEO 将_,使共发射极输出特性曲线上移。22负反馈放大电路的开环
6、放大倍数为 1000,而闭环放大倍数为 50,则该电路的反馈深度为_。23差分放大电路中常用 KCMR 来表示抑制共模信号的能力,希望它越 _越好。24根据 vGS=0 时,导电沟道是否已存在,将场效应管分为增强型和_型。25晶体三极管的三种基本组态放大器中,有电流增益,但无电压增益的是_电路。三、简答题(本大题共 3 小题,每小题 5 分,共 15 分)26电路如题 26(a)图所示,设二极管 D 为理想的,当输入电压为题 26(b)所示的波形时,试用二极管的理想模型画出电压传输特性(V OVi)和输出电压波形(V Ot)。题 26 图27题 27 图所示电流源电路,已知各晶体管特性相同,V
7、 BE(on) =0.7V,试求 IR、I c2 和Ic3。题 27 图 题 28 图28题 28 图所示电路,设 A 为理想运算放大器,最大输出电压为12V。画出电压传输特性(V OVi) ,并标出各电压值。四、分析计算题(本大题共 5 小题,每小题 9 分,共 45 分)29.如题 29 图所示放大电路,设所有电容对交流均视为短路,=80,V BE(on)=0.7V,r ce 可忽略不计。(1)要求 IEQ=1.5mA,V CEQ=6V,R b1+Rb2=120k,确定电阻 Rb1、R b2、R c;(2)求电压放大倍数 Av,输入电阻 Ri,源电压放大倍数 Avs。题 29 图 题 30
8、 图30题 30 图所示差分放大电路,设场效应管的低频跨导为 gm=1mS,r ds 可忽略不计,电流源 I0 的交流内阻 r0=100k。(1)求差模放大倍数 Avd2、共模放大倍数 Avc2、共模抑制比 KCMR2、输出电阻 Ro;(2)单端输入时,当 vi=10mV,求输出电压 vo。31题 31 图所示放大电路,所有电容对交流均视为短路。(1)指出级间反馈元件,判断反馈的类型,并说明对输入、输出电阻的影响;(2)满足深度负反馈条件下,求反馈系数 kf,源电压增益 Avfs。题 31 图32题 32 图所示电路,设集成运放均为理想的。(1)说明 A1、A 2 组成何种基本运算电路;(2)
9、写出 Vo1、V o 的表达式;(3)设 t=0 时,电容的初始电压为 0,若要求 t=10ms 时输出电压 Vo=5V,求 R5。题 32 图33题 33 图所示电路,已知稳压管的 VZ=5.3V,V D(on) =0.7V,运放的最大输出电压为12V。(1)要求上门限电压 VIH=5V,试确定参考电压 VREF 的值,并求出下门限电压 VIL;(2)画出电压比较特性(v ovi) ;题 33 图B 卷一、单项选择题(本大题共 15 小题,每小题 2 分,共 30 分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其选出并将“答题纸”的相应代码涂黑。错涂、多涂或未涂均无分。1晶体三
10、极管的发射极电流是另外两个电极电流(基极和集电极)的A.差 B.和C.积 D.积分2晶体三极管的 是描述_ 控制作用的参数。A.基极电流 ib 对集电极电流 ic B.基极电流 ib 对发射极电流 ieC.发射极电流 ie 对基极电流 ib D.发射极电流 ie 对集电极电流 ic3放大电路进行信号放大时,其基本前提是A.不失真 B.电压放大C.电流放大 D.接入直流电源4集成运放的输出级一般采用互补推挽的共集电路,是为了A.提高电压增益 B.减小输出电流C.提高带载能力 D.增大输出电阻5测得晶体三极管三个极的直流电位为-9V,-6V ,-6.3V,则该三极管是A.NPN 型硅管 B.PNP
11、 型硅管C.NPN 型锗管 D.PNP 型锗管6电流并联负反馈放大电路对输入、输出电阻的影响是A.输入电阻减小、输出电阻增大 B.输入电阻减小、输出电阻减小C.输入电阻增大、输出电阻减小 D.输入电阻增大、输出电阻增大7当高内阻的信号源与低负载相连接时,为降低负载的影响,可在信号源和负载间接入_电路。A.共射 B.共基C.共集电极 D.共射-共基8NPN 管组成的共射放大电路的输出电压波形出现下半周失真时为A.频率失真 B.饱和失真C.截止失真 D.交越失真9如题 9 图所示,其中_是光敏二极管的电路符号。题 9 图10与迟滞电压比较器相比,单门限电压比较器A.灵敏度高,抗干扰能力差 B.灵敏
12、度低,抗干扰能力差C.灵敏度高,抗干扰能力强 D.灵敏度低,抗干扰能力强11放大电路交流输出功率是由_提供的。A.偏置电阻 B.交流输入信号 viC.直流电压源 VCC D.晶体三极管 BJT12差分放大电路的差模放大倍数的大小取决于A.差模输入信号的大小 B.信号的输入方式是单端或双端C.共模输入信号的大小 D.信号的输出方式是单端或双端13场效应管工作在饱和区时,可等效为A.电阻 B.电压源C.电流源 D.受控电流原14如题 14 图所示,增强型场效应管的转移特性曲线是题 14 图15负反馈放大电路中,反馈信号仅与_有关。A.输入信号 B.输出信号C.电压增益 D.电流增益二、填空题(本大
13、题共 10 小题,每空 1 分,共 10 分)16当集成运放线性工作时,i +=i 0,称_。17晶体管工作在截止状态时,集电极和发射极间的阻抗,可等效为_路。18场效应管仅利用_数载流子导电,故可将其视为单极性器件。19当差分放大电路空载时,单端输出差模电压增益为双端输出时的_。20晶体管放大电路进行交流小信号分析时,电路中的大电容可等效为_路。21输入信号不变时,若反馈使净输入信号比无反馈时减小了,称为_反馈。22某电压放大器,当 V1=0.1V 时,V O=10V,则该放大器的 AV=_dB。23晶体三极管的三个极对地电位分别为 VA=2V,V B=2.7V,V C=6V,则该管工作状态
14、是_状态。24低频时场效应管的 ig=0,所以共源和共漏放大器的输入电阻和电流增益均趋于_。25放大器级联时的总分贝增益,是各级电路分贝增益的_。三、简答题(本大题共 3 小题,每小题 5 分,共 15 分)26题 26 图所示为二极管电路的电压传输特性,设二极管为理想的。试画出该电路,并求出电路中的各参数。题 26 图 题 27 图 27题 27 图所示为 MOS 场效应管放大电路,已知场效应管的低频跨导为 gm=1.0mS,r ds很大,可忽略不计。试求电压放大倍数 Av、输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro。28电路如题 28(a)图所示,其幅频特性如题 28(b)图所示,试求电压增益 Av1,带宽BW0.7;当带宽变为 150kHz 时,电压增益 Av2 变为多少,当其它参数不变时,求电阻 Rf 的值。题 28(a)图 题 28(b)图四、分析计算题(本大题共 5 小题,每小题 9 分,共 45 分)29.如题 29 图所示放大电路,设所有电容对交流均视为短路,=100,V BE(on)=0.7V,r ce 可忽略不计。(1)估算静态工作点 Q(I CQ、V CEQ) ;(2)求源电压放大倍数 Avs;(3)若旁路电容 Ce 不小心开路,则工作点 Q、电压放大倍数 Av 和输入电阻 Ri 如何变化?题 29 图 题 30 图30如题 30