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1、设计规则 N well 符号名称含 义 1 1 Well Minimum Width 10 阱的最小宽度 1 2 Well to Well different potential 0 不同电位阱的阱间距 1 3 Well to Well Same Potential 6 相同电位阱的阱间距 P Active P N N Active 1 3 2 设计规则 active 符号名称含 义 2 1 Active Minimum Width 3 有源区的最小宽宽度 最小沟道宽宽度 2 2 Active to Active Spacing 3 有源区最小间间距 N P P N P 1 1 2 2 1 1
2、 2 3 a Source Drain Active to Well Edge 5 阱对对其中器件有源区 最小覆盖 2 3 b Source Drain Active to Well Space 5 阱外器件有源区距阱 最小间间距 设计规则 active N P P N P 1 1 2 2 3b 1 1 3a N P P N P 1 1 2 2 3b 1 1 3a 4a 4b 2 4a WellContact Active to Well Edge 3 阱对对其中阱接触 有源 区 最小覆盖 2 4bSubsContact Active to Well Spacing 3 阱外衬衬底接触距阱的
3、最小间间距 2 5Covered in 4 2a同4 2a为为同一规则规则 设计规则 active 设计规则 poly 符号名称含 义义 3 1Poly Minimum Width 2 poly最小宽宽度 3 2Poly to Poly Spacing 2 Poly最小间间距 3 3Gate Extension out of Active 2 硅栅栅最小出头头量 N P 33 2 2 1 1 2 1 N P 33 2 2 1 1 2 1 N P 5 5 4a 4b 设计规则 poly 符号名称含 义义 3 4aSource Drain Width 3 硅栅栅与N 有源区最小内 间间距 N 超出
4、Poly的距离 3 4b Source Drain Width 3 硅栅栅与P 有源区最小内 间间距 P 超出Poly的距离 3 5Poly to Active Spacing 1 场场区硅栅栅与有源区最小 间间距 设计规则 Select 符号名称含 义义 4 2a Active to N Select Edge 2 N 注入区对对有源区最小包 围围 4 2b Active to P Select Edge 2 P 注入区对对有源区最小包 围围 4 3a Select Edge to ActCnt 1 N型注入区对对有源区接触孔 最小包围围 4 3b Select Edge to ActCnt
5、 1 P型注入区对对有源区接触孔 最小包围围 4 3c Not Exists ActCnt not on Active 非有源区不能打有源区接触 孔 2a2b N P 3a 3b 设计规则 Select 符号名称含 义义 4 4a Select Minimum Width 2 N 注入区最小宽宽度 4 4b Select Minimum Width 2 P 注入区最小宽宽度 4 4cSelect to Select Spacing 2 N型注入区最小间间距 4 4d Select to Select Spacing 2 P型注入区最小间间距 4a 4c 4b 4d nSelect pSelec
6、t 设计规则 Select 符号名称含 义义 4 5 Not Existing pSel Overlap of nSel P 注入区不能和N 注入区重叠 4 6Not Existing Not Selected Active 不能存在没有注入的 有源区 设计规则 Poly contact 符号名称含 义义 5 1APoly Contact Exact Size 2 多晶硅接触孔确 切宽宽度 5 2AFieldPoly Overlap of PolyCnt 1 5 多晶硅与多晶硅 接触孔最小围绕围绕 5 3APolyContact to PolyContact Spacing 2 接触孔间间距
7、定义为金属1与多晶硅 的所有连接 1A 3A 2A 设计规则 Active contact 定义为金属1与有 源区的所有连接 符号名称含 义义 6 1A Active Contact Exact Size 2 有源区接触孔确切宽宽度 6 2A FieldActive Overlap of ActCnt 1 5 有源区与有源区接触孔 最小围绕围绕 6 3AActive Contact to Active Contact Spacing 2 接触孔间间距 6 4A Active Contact to Gate Spacing 2 源漏区接触孔与栅栅最小 间间距 1A 3A 2A 4A 设计规则 m
8、etal1 符号名称含 义义 7 1 Metal1 Minimum Width 3 金属1最小宽宽度 7 2 Metal1 to Metal1 Spacing 3 金属1最小间间距 7 3Metal1 Overlap of PolyContact 1 金属1对对多晶硅最小 接触孔的最小围绕围绕 7 4Metal1 Overlap of ActiveContact 1 金属1对对有源区接触 孔的最小围绕围绕 1 2 3 4 4 设计规则 Via 定义为两层金属之 间的连接孔 符号名称含 义义 8 1Via Exact Size 2 通孔确切面积积 8 2Via to Via Spacing 3
9、通孔间间距 8 3Metal1 Overlap of Via 1 金属1对对通孔的最小 围绕围绕 1 2 3 8 4a 8 4b Via to PolyContact ActiveContact spacing 2 通孔与多晶硅 有源区 接触孔的最小间间距 8 5a 8 5c Via to Poly Active Spacing 2 Poly与有源区对对通孔 的最小间间距 8 5b 8 5d Via On Poly Active to Poly Active Edge 2 Poly与有源区对对通孔 的最小围绕围绕 设计规则 Via 4b 4a 5a 5c 5b 5d 设计规则 metal2 可
10、用于电源线 地线 总线 时钟线及各种低阻连接 符号名称含 义义 9 1Metal2 Minimum Width 3 金属2最小宽宽度 9 2Metal2 to Metal2 Spacing 4 金属2最小间间距 9 3Metal2 Overlap of Via1 1 金属2对对通孔的最小围绕围绕 1 2 3 设计规则总结 大绘图层对小绘图层的最小围绕 例如 阱对有源区的最小围绕 n select p select对有源区的最小围绕 n select p select对有源区接触孔的最小围绕 有源区对有源区接触孔的最小围绕 多晶硅对多晶硅接触孔的最小围绕 金属1对有源区接触孔的最小围绕 金属1对
11、多晶硅接触孔的最小围绕 金属对通孔的最小围绕 绘图层的最小宽度 例如 阱的最小宽度 有源区最小宽度 多晶硅最小宽度 n select p select最小宽度 多晶硅接触孔最小宽度 有源区接触孔最小宽度 金属1最小宽度 金属2最小宽度 通孔最小宽度 绘图层与绘图层的最小间距 例如 阱跟阱的最小间距 有源区最小间距 阱跟阱外有源区最小间距 多晶硅最小间距 n select p select最小间距 有源区接触孔最小间距 多晶硅接触孔最小间距 有源区接触孔与栅最小间距 金属1最小间距 通孔间距 等等 练习 用该设计规则 分别设计NMOS管和PMOS管的版图 并 组装成CMOS反相器的版图 要求 1 版图面积最小 2 NMOS管和PMOS的沟道宽度均为22 NMOS晶体管 多晶硅 2 26 有源区 13 22 N select 17 26 有源区接触孔 2 2 NMOS晶体管衬底 有源区接触孔 2 2 有源区 5 5 P select 9 9 PMOS晶体管 多晶硅 2 26 有源区 13 22 P select 17 26 N well 23 32 有源区接触孔 2 2 PMOS晶体管衬底 有源区接触孔 2 2 有源区 5 5 P select 9 9 N well 11 11 此课件下载可自行编辑修改 供参考 感谢您的支持 我们努力做得更好
