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1、内存参数含义介绍一：DDR2 与 DDRDDR2 与 DDR 的区别与 DDR 相比，DDR2 最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于 DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM 核心来实现的。作为对比，在每个设备上 DDR 内存只能够使用一个 DRAM 核心。技术上讲， DDR2 内存上仍然只有一个DRAM 核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理 4 个数据而不是两个数据。DDR2 与 DDR 的区别示意图与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2 内存实现了在每个时钟周期处理多达 4bit 的数据，比传统 DDR 内存可以处理的 2bit 数据高
2、了一倍。DDR2 内存另一个改进之处在于，它采用 FBGA 封装方式替代了传统的 TSOP 方式。然而，尽管 DDR2 内存采用的 DRAM 核心速度和 DDR 的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配 DDR2 内存，因为 DDR2 的物理规格和 DDR 是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2 的针脚数量为240 针，而 DDR 内存为 184 针；其次，DDR2 内存的 VDIMM 电压为 1.8V，也和 DDR 内存的 2.5V 不同。DDR2 的定义：DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM 是由 JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与
3、上一代 DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但 DDR2 内存却拥有两倍于上一代 DDR 内存预读取能力（即：4bit 数据读预取） 。换句话说，DDR2 内存每个时钟能够以 4 倍外部总线的速度读/ 写数据，并且能够以内部控制总线 4 倍的速度运行。此外，由于 DDR2 标准规定所有 DDR2 内存均采用 FBGA 封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II 封装形式，FBGA 封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为 DDR2 内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起 DDR 的发展历程，从第一代应
4、用到个人电脑的 DDR200 经过 DDR266、DDR333 到今天的双通道 DDR400 技术，第一代 DDR 的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着 Intel 最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2 内存将是大势所趋。DDR2 与 DDR 的区别：在了解 DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组 DDR 和 DDR2 技术对比的数据。 1、延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下， DDR2的实际工作频率是 DDR 的两倍。这得益于 DDR2 内存拥有两倍于标准 DDR 内存的 4BIT 预读取能力。
5、换句话说，虽然 DDR2 和DDR 一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但 DDR2 拥有两倍于 DDR 的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样 100MHz 的工作频率下， DDR 的实际频率为200MHz，而 DDR2 则可以达到 400MHz。这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的 DDR 和 DDR2 内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR200 和 DDR2-400 具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400 和 DDR400 具有相同的带宽，它们都是 3.2GB/s，但是 DDR400 的核心工作频率是200M
6、Hz，而 DDR2-400 的核心工作频率是 100MHz，也就是说DDR2-400 的延迟要高于 DDR400。2 、封装和发热量：DDR2 内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于 DDR 的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2 可以获得更快的频率提升，突破标准 DDR 的 400MHZ 限制。DDR 内存通常采用 TSOP 芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz 上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是 DDR的核心频率很难突破 275MHZ 的原因。而 DDR2 内存均采用
7、FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的 TSOP 封装形式，FBGA 封装提供了更好的电气性能与散热性，为 DDR2 内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。DDR2 内存采用 1.8V 电压，相对于DDR 标准的 2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。DDR2 采用的新技术：除了以上所说的区别外，DDR2 还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT 和 Post CAS。OCD （Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II 通过 OCD 可以提高信号的完整性。DDRII 通过调整上拉（pull-up）/
8、下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用 OCD 通过减少 DQ-DQS 的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。ODT：ODT 是内建核心的终结电阻器。我们知道使用 DDRSDRAM 的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2 可以根据自已的特点内
9、建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2 不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR 不能比拟的。Post CAS：它是为了提高 DDR II 内存的利用效率而设定的。在 PostCAS 操作中，CAS 信号（读写/命令）能够被插到 RAS 信号后面的一个时钟周期，CAS 命令可以在附加延迟（AdditiveLatency）后面保持有效。原来的 tRCD（RAS 到 CAS 和延迟）被 AL（AdditiveLatency）所取代，AL 可以在0，1 ，2 ，3 ，4 中进行设置。由于 CAS 信号放在了 RAS 信号后面一个时钟周期，因此 ACT 和 CAS
10、信号永远也不会产生碰撞冲突。总的来说，DDR2 采用了诸多的新技术，改善了 DDR 的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决二：双通道内存双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。在几年前，英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的 i820 芯片组，它与RDRAM 内存构成了一对黄金搭档，所发挥出来的卓绝性能使
11、其一时成为市场的最大亮点，但生产成本过高的缺陷却造成了叫好不叫座的情况，最后被市场所淘汰。由于英特尔已经放弃了对 RDRAM的支持，所以目前主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道 DDR内存技术，主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔 865/875 系列，而 AMD 方面则是 NVIDIANforce2 系列。双通道内存技术是解决 CPU 总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。现在CPU 的 FSB（前端总线频率）越来越高，英特尔 Pentium4 比AMD Athlon XP 对内存带宽具有高得多的需求。英特尔 Pentium 4处理器与北桥芯片的数据传输采用 QDR（Quad Da
12、taRate，四次数据传输）技术，其 FSB 是外频的 4 倍。英特尔 Pentium4 的 FSB分别是 400/533/800MHz，总线带宽分别是 3.2GB/sec，4.2GB/sec和 XXGB/sec，而 DDR 266/DDR333/DDR400 所能提供的内存带宽分别是 2.1GB/sec， 2.7GB/sec 和 3.2GB/sec。在单通道内存模式下，DDR 内存无法提供 CPU 所需要的数据带宽从而成为系统的性能瓶颈。而在双通道内存模式下，双通道 DDR 266/DDR 333/DDR400 所能提供的内存带宽分别是 4.2GB/sec，5.4GB/sec和 XXGB/s
13、ec，在这里可以看到，双通道 DDR400 内存刚好可以满足 800MHz FSB Pentium 4 处理器的带宽需求。而对 AMD AthlonXP 平台而言，其处理器与北桥芯片的数据传输技术采用DDR（Double DataRate，双倍数据传输）技术，FSB 是外频的 2倍，其对内存带宽的需求远远低于英特尔 Pentium4 平台，其 FSB分别为 266/333/400MHz，总线带宽分别是 2.1GB/sec，2.7GB/sec和 3.2GB/sec，使用单通道的 DDR266/DDR 333/DDR 400 就能满足其带宽需求，所以在 AMDK7 平台上使用双通道 DDR 内存技
14、术，可说是收效不多，性能提高并不如英特尔平台那样明显，对性能影响最明显的还是采用集成显示芯片的整合型主板。NVIDIA 推出的 nForce 芯片组是第一个把 DDR 内存接口扩展为 128-bit 的芯片组，随后英特尔在它的 E7500 服务器主板芯片组上也使用了这种双通道 DDR 内存技术，SiS 和 VIA 也纷纷响应，积极研发这项可使DDR 内存带宽成倍增长的技术。但是，由于种种原因，要实现这种双通道 DDR（128 bit 的并行内存接口）传输对于众多芯片组厂商来说绝非易事。DDRSDRAM 内存和 RDRAM 内存完全不同，后者有着高延时的特性并且为串行传输方式，这些特性决定了设计
15、一款支持双通道 RDRAM 内存芯片组的难度和成本都不算太高。但 DDR SDRAM 内存却有着自身局限性，它本身是低延时特性的，采用的是并行传输模式，还有最重要的一点：当 DDRSDRAM 工作频率高于 400MHz 时，其信号波形往往会出现失真问题，这些都为设计一款支持双通道 DDR 内存系统的芯片组带来不小的难度，芯片组的制造成本也会相应地提高，这些因素都制约着这项内存控制技术的发展。普通的单通道内存系统具有一个 64 位的内存控制器，而双通道内存系统则有 2 个 64 位的内存控制器，在双通道模式下具有 128bit 的内存位宽，从而在理论上把内存带宽提高一倍。虽然双64 位内存体系所
16、提供的带宽等同于一个 128 位内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，理论上来说，两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。比如说两个内存控制器，一个为 A、另一个为 B。当控制器 B 准备进行下一次存取内存的时候，控制器 A 就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让等待时间缩减 50%。双通道 DDR 的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容量、速度的 DIMM 内存条，此时双通道 DDR 简单地调整到最低的内存标准来实现 128bit 带宽，允许不同密度 /等待时间特性的 DIMM内存条可以可靠地共同运作。三：内存频率内存主频和 CPU 主频一样，习惯上被用来表示内存的速度，它代表着该内存所能达到的最高工作频率。内存主频是以MHz（兆赫）为单位来计量的。内存主频越高在一定程度上代表着内存所能达到的速度越快。内存主频决定
