半导体器件-半导体工艺介绍-薄膜淀积-医学资料

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1、半导体工艺简介,物理与光电工程学院 张贺秋,参考书:芯片制造半导体工艺制程实用教程,电子工业出版社,赵树武等译,2004-10,薄膜淀积(沉积),为满足微纳加工工艺和器件要求,通常情况下关注薄膜的如下几个特性: 1、台阶覆盖能力 2、低的膜应力 3、高的深宽比间隙填充能力 4、大面积薄膜厚度均匀性 5、大面积薄膜介电电学折射率特性 6、高纯度和高密度 7、与衬底或下层膜有好的粘附能力,二种薄膜沉积工艺,化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition) 利用化学反应生成所需的薄膜材料,常用于各种介质材料和半导体材料的沉积,如SiO2, poly-Si, Si3N4 物理气相沉积

2、(Physical Vapor Deposition) 利用物理机制制备所需的薄膜材料,常用于金属薄膜的制备,如Al, Cu, W, Ti,化学气相沉积装置,一高温和低温CVD装置 二. 低压CVD装置 三. 激光辅助CVD装置 四. 金属有机化合物CVD装置 五. 等离子辅助CVD装置,金属有机化学气相沉积 (Metal organic chemical vapor deposition ),它是利用有机金属如三甲基镓、三甲基铝等与特殊气体如砷化氢、磷化氢等,在反应器内进行化学反应,并使反应物沉积在衬底上, 而得到薄膜材料的生产技术。 特点:使用有机金属化合物作为反应物。,作为有机化合物原料

3、必须满足的条件: a)在常温左右较稳定,且容易处理。 b)反应生成的副产物不应妨碍晶体生长,不应污染生长层。 c)为了适应气相生长,在室温左右应有适当的蒸气压(1Torr)。 原料的优点: 这类化合物在较低的温度即呈气态存在,避免了液态金属蒸发的复杂过程。,MOCVD综合评价: MOCVD设备相对其他设备价格要贵,不光是设备本身贵而且维护费用也贵。 MOCVD设备还是有很多优势的,一是控制极为精密,能生产出高质量的材料;二是便于规模化生产,只要材料研发成功极易转产业化。所以使用MOCVD设备是很多高校和科研单位的首选。,存在问题,设备复杂、投资大、外延生长速度慢、经济效益差。 对晶体平滑度、稳

4、定性和纯度等参数要过严格,缺陷和杂质会导致外延膜表面缺陷密度大。 尽管已广泛用于多种新型半导体器件制备,但其原子级生长机制仍很不清楚。,MOCVD设备,物理沉积PVD (Physical Vapor Deposition),采用蒸发或溅射等手段使固体材料变成蒸汽,并在基底表面凝聚并沉积下来。 没有化学反应出现,纯粹是物理过程,物理沉积方法,Thermal Evaporation (热蒸发) E-beam Evaporation (电子束蒸发) Sputtering (溅射) Filter Vacuum Arc (真空弧等离子体) Thermal Oxidation (热氧化) Screen P

5、rinting (丝网印刷) Spin Coating (旋涂法) Electroplate (电镀) Molecular Beam Epitaxy (分子束外延),高真空 环境,10-3 Pa,热蒸发技术 (Thermal Evaporation Technique),蒸发工艺是最早出现的金属沉积工艺,钨W(Tm=3380) 钽Ta(Tm=2980) 钼Mo(Tm=2630),热蒸发-几种典型结构,挡板,蒸发源,晶振,电子束蒸发 (E-beam Evaporation Technique),when V= 10 kV Electron Velocity = 6104 km/s Tempera

6、ture 5000-6000 ,E-beam Evaporation Machine,溅射技术 (Sputtering),溅射技术基本原理:在真空腔中两个平板电极中充有稀薄惰性气体,在施加电压后会使气体电离,离子在电场的加速下轰击靶材(阴极),在使靶材上撞击(溅射)出原子,被撞击出的原子迁移到衬底表面形成薄膜。,驱动方式: 直流型 DC Diode 射频型 RF Diode 磁场控制型 Magnetron,离子溅射技术物理过程,1,2,3,4,分子束外延,是一种可在原子尺度上精确控制外延厚度、掺杂和界面平整度的薄膜制备技术。物理沉积单晶薄膜方法;在超高真空腔内,源材料通过高温蒸发、辉光放电离子化、气体裂解,电子束加热蒸发等方法,产生分子束流。入射分子束与衬底交换能量后,经表面吸附、迁移、成核、生长成膜。 主要用于半导体薄膜制备(超薄膜、多层量子结、超晶格); 新一代微波器件和光电子器件的主要技术方法,经典范例GaAs薄膜的生长,优点,源和衬底分别进行加热和控制,生长温度低 ,可形成超精细结构。 生长速度低,容易在过程中控制,有利于生长多层异质结构 是一个动力学过程,可以生长一般热平衡生长难以得到的晶体 。 生长过程中,表面处于真空中,利于实时监控检测。,

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