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1、2016 年中考试试题汇总1、电池1.1 单选1、下列哪项不是太阳能电池的主要参数：（D ）A 短路电流 B 开路电压 C 填充因子 D 电阻率2、Schmid 二洗不需要用到的化学品是（C）A. HF B.HNO3 C.HCl D.KOH3、目前车间生产的硅片电阻率大致范围是：（B）A.0.1-1 B.1-3 C.3-5 D.5-84、对电池电性能没有影响的是（C）A.硅片厚度 B.车间洁净度 C 测试仪的准确性 D 水导电率5、能形成 P 型半导体的掺杂元素是（A）A.硼 B.磷 C.氮 D.砷6、本征半导体是指（C）的半导体。A 电阻率很高 B 电子浓度与空穴浓度相等C 不含杂质与缺陷
2、D 电子浓度与本征载流子浓度相等7、如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料为（ C ） 。 A. 金属 B. 本征半导体 C. 掺杂半导体 D. 高纯化合物半导体8、约束晶体硅效率提升的主要因素有（ D ） 。A.正面栅线遮光及光的反射 B. 光传导过程中的损失 C. 载流子的内部及表面复合 D. 以上都是9、SE 电池是在哪一步骤印刷磷浆（ A ） 。A. 一洗后 B. 扩散后 C. 二洗后 D. 镀膜后10、在太阳光中的可见光波段，哪种颜色的光所占百分比最高（ A ） 。A. 红 B. 黄 C. 绿 D. 紫11、单晶 SM125 的面积是（ A ）cm2 。A、154.83 B、
3、148.76 C、243.28 D、238.9512、电池车间纯水电阻率要求在（ C ）M 以上才能生产。 A、16 B、16.5 C、17 D、17.513、在我司电池生产线，多晶硅片酸制绒后显微镜下观察其外观形貌是（ C ） 。A、蜂窝状 B、金字塔状 C、虫孔状 D、光滑平面14、下列关于多晶硅太阳能电池制绒后表面“暗纹”表述错误的是（ C ）A“暗纹”区域少子寿命降低， EL 及 QE 变差。B“暗纹”一般出现在晶粒范围内。C“暗纹”由于 QE 变差会导致电池效率的下降，解决此问题的根本办法是改善制绒技术。D 在形成初期彼此不相连的腐蚀坑洞，随着腐蚀的加深，腐蚀坑洞不断变大，并逐渐连成
4、 一条线，形成“暗纹” 。15、 是衡量电池输出特性的重要指标，其值越大表明太阳能电池的输出特性约好。( A ) A.填充因子 B.短路电流 C.开路电压 D.光谱响应 16、一次清洗制绒后的多晶硅片用 去中和残留的酸液，用盐酸去除金属离子，用 去除硅片表面的氧化层，用去离子水通过漂洗的方式去除可溶污染物，借助工艺气体将硅片表面吹干。 （ D ）A、NaOH HNO3 B、HF NaOH C、NaOH HCl D、NaOH HF17、多晶一次清洗工艺流程是（ A ） 。A、去损伤层并制绒中和残留酸 去金属离子、去氧化层吹干B、去损伤层并制绒吹干 去金属离子、去氧化层中和残留酸C、去损伤层并制绒
5、去金属离子、去氧化层 中和残留酸吹干D、去损伤层并制绒中和残留酸 形成氧化层吹干18、硅太阳能电池片典型厚度在（ A ）之间。A、180 m- 260 m B、300 m - 450 m C、60m - 150 m D、430 m- 580 m19、 采用什么方法可以增加电池片对太阳光的吸收？分别体现在哪些工艺段？（ D ）A、降低表面反射。清洗制绒B、改变光在电池体内的路径。制减反射膜C、采用背面反射。印刷铝背场 D、以上都是20、单晶硅中，碱腐蚀速度最慢的晶面是_ 。 （ B ）A、(110) B、(111) C、(100) D、(101）21、光具有 和 两种特性。 （ C ）A、波动性
6、、光动性 B、波动性、浮动性C、波动性、粒子性 D、粒子性、光动性22、目前单晶硅太阳电池的实验室最高效率为 ，由澳大利亚新南威尔士大学创造并保持。 （ D ）A、17.8% B、30.5% C、20.1% D、24.7%23、下列哪项不属于太阳能开发利用的特点 。 （ D ）A、数量巨大 B、安全C、分散性 D、效率高24、下列选项中，不属于印刷过程常见的印刷不良有（ D ） 。A、漏浆 B、断栅 C、印刷不全 D、色差25、二次清洗工艺的作用：用 去除扩散工序在硅片表面形成的磷硅玻璃层。（B）A、HCl 酸 B、HF 酸 C、NaOH 溶液 D、异丙醇26、太阳光谱主要是分布在哪一个波段？
7、（ C ）A、200nm 以下 B、200-900nm C、900nm-1200nm D、1200nm 以上27、不是串联电阻的来源是 （D ） A 半导体的体电阻，B 电极及互联金属电阻，C 电极与半导体之间的接触电阻D 旁路电阻28、正常生产过程中，扩散源三氯氧磷需要在恒温 下进行保存。 （ C ） 。A、25 B、30 C、 20 D、1529、太阳电池是利用半导体_ _的半导体器件（C） 。A光热效应 B.热电效应C. 光生伏特效应 D. 热斑效应30、随着温度的上升，短路电流有所增加，这是由于半导体的 是随温度的上升而减小，这使得光吸收增加，从而导致载流子的增多，最终使短路电流增加
8、（B） 。A 扩散浓度 B 禁带宽度 C 电子数量 D 杂质浓度31、当光照在半导体上时，光所具有的能量被 吸收，使其可以跃迁到更高的能级。（A）A 电子 B 空穴 C 质子 D 少子32、电极附着力测试拉力为，电池主栅线焊接引线经过不小于（ ）的拉力，背面焊接拉力不小于（ ） ， （ C ） 。 A、3N/2N B、2N/3N C、4N/3N D、3N/4N33、费米能级代表电子的填充情况，掺进的施主杂质越多，电子浓度越高，相应的费米能级就 。（ B ） A、越高 B、越低 C、先升高后降低 D、先降低后升高34、黑暗环境中在太阳电池两端电极加上反向电压V ，产生的电流称之为 （ C ）中A
9、、反向饱和电流 B、漏电流 C、暗电流 D、以上都不是35、硅片在电池工艺过程中受到金属污染，容易造成的复合是 。（ B ）A、俄歇复合 B、复合中心复合 C、辐射复合 D、界面复合36、 我 司 太 阳 能 电 池 多 晶 制 作 工 艺 中 ， 库 特 勒 一 洗 M2 槽 的 主 要 作 用 是 （ B）A. 清 洗 硅 片 B 去 除 硅 片 损 伤 层 并 制 作 绒 面 C. 去 除 硅 片 表 面 杂 质 C 去 除 金 属 离 子37、 气 体 扩 散 法 是 将 含 有 磷 的 气 体 在 高 温 （ B） 度 下 向 硅 片 进 行 扩 散 。A、 200-400 B、 8
10、00-900 C、 10001500 D、 2000500038、 我 司 镀 膜 后 产 生 大 量 大 面 积 发 红 返 工 片 ， 应 （ D）A. 减 小 第 一 层 膜 工 艺 时 间 B 增 加 第 一 层 膜 工 艺 时 间C 减 小 第 二 层 膜 工 艺 时 间 D 增 加 第 二 层 膜 工 艺 时 间39、 太 阳 能 电 池 供 给 负 荷 的 电 力 在 电 流 流 动 时 从 电 极 到 半 导 体 容 体 内 的 电 阻 焦 耳 热 的（ C） 。A. 复 合 损 失 B. 反 射 损 失 C. 串 联 电 阻 损 失 D. 体 面 复 合 损 失40、正常生产
11、过程中，PECVD 的石墨舟使用（C）次清洗一次。A、50 B、70 C、90 D、15041、PECVD 减反射的原理是 。 （ A ） A、利用光程差形成相消干涉。 B、形成陷光效应。 C、利用光程差形成衍射。 D、SiH 膜具有吸光效应42、影响金属电极和硅之间的接触电阻最直接的工艺是 （ C ）A.刻蚀工艺 B.印刷工艺 C.烧结工艺 D.镀膜工艺43、环境温度升高，电池片的电流会 ，电压会 （ B ） A、不变 降低 B、升高 升高 C、升高 降低 D、降低 不变44、电子许可占据的能带叫 ，允许带与允许带间不许可电子存在的范围叫 。（ A ） A、允许带 禁带 B、禁带 允许带。
12、C、允许带 能带 D、禁带 能带45、电池烧结过程中出现弓片是由于冷却过程中浆料的_高于硅。 （C）A、挥发速度 B、结晶速度 C、热膨胀系数 D、温度46.太阳能电池开路电压与光强的关系（ C ）A.线性关系 B.平行关系 C.对数关系 D.指数关系47、 接触能形成整流特性接触和良好的欧姆接触。 （ B ）A、半导体与半导体 B、金属与半导体 C、金属与金属 D、金属与绝缘体48、在衡量太阳电池输出特性参数中，表征最大输出功率与太阳电池短路电流和开路电压乘积比值的是 。 （ B ）A、转换效率 B、填充因子 C、光谱响应 D、方块电阻49、太阳能电池片被掺杂了磷的那部分，称为：（ B）A、耗尽区 B、N 区 C、 P-N 结 D、P 区50、硅的带隙能量为 （ B ）A、1.0eV B、1.1V C.、1.2eV D、1.3eV 51.太阳能光伏发电系统中， （ A ） 指在电网失电的情况下，发电设
