ttl集成逻辑门参数考试

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1、TTL集成逻辑门参数测试 作者: 日期:2 个人收集整理,勿做商业用途实验三 TTL与CM0S集成逻辑门的参数测试一、实验目的1.掌握TTL“与非门”主要参数的意义及测试方法。2.掌握CMOS“与非门”主要参数的意义及测试方法。3.掌握TTL器件、CMOS器件的使用规则。二、实验原理 在数字电路设计时,要使用各种门电路。门电路的参数的好坏,在很大程度上影响整机的性能和可靠性。 本实验通过测试TTL型 74LS00和CMOS型CD4011两种四输入与非门的主要参数,掌握两类常用门电路的主要参数和测试方法。74LS00和CD4011集成电路外引脚排列图如图3-1(a)、(b)所示。(a)74LS0

2、0 (b) CD 4011 图3-1 74LS00和CD4011集成电路外引脚排列图门电路的参数按时间特性分为两种:静态参数和动态参数。静态参数指电路处于稳定的逻辑状态下测得的参数;而动态参数则指逻辑状态转换过程中与时间有关的参数。本讲义介绍的门电路参数和测试方法系根据“中国电子技术标准化研究所”出版的标准集成电路数据手册系列中TTL电路、TTL电路增补本、CMOS4000T和高速CMOS电路材料编写,符合国家标准GB4589.1-84半导体集成电路总规范。(一)TTL与非门主要参数1推荐工作条件常见TTL门电路最佳工作条件如表3.1所示。表3.1 推荐工作条件 型号参数名称7400系列74L

3、S00系列单位最小额定最大最小额定最大电源电压VCC4.555.54.555.5V输入高电平电压VIH22V输入低电平电压VIL0.80.8V输出高电平电流IOH-400-400A输出低电平电流IOL168mA2电源电流包括输出低电平时电源电流ICCL、输出高电平时电源电流ICCH。与非门处于不同的工作状态时,电源提供的电流是不同的。ICCL是指输入全部高电平,输出为低电平且空载时,电源提供给器件的电流。ICCH是指每个门各有一个以上输入端为低电平(或接地),输出为高电平和空载时,电源提供给器件的电流。通常ICCLICCH ,它们的大小标志着器件静态功耗的大小。器件的最大功耗为PCCVCCIC

4、CL (PCC 空载导通功耗指输入全部为高电平、输出为低电平且不带负载时的功耗,VCC 电源电压)。手册提供的电源电流和功耗值是指整个器件的电源电流和总的功耗。ICCL和ICCH测试电路如图3-3(a)所示。 【注意】TTL器件对电源电压要求较严格,电源电压VCC只许在5V10的范围内,超过5.5V将损坏器件,低于4.5V器件的逻辑功能不正常。低电平输入电流IIL与高电平输入电流IIHIIL是被测输入端接低电平0.2V、其余输入端悬空时,流经此输入端的电流值。(注:实验中可将输入端接地,这时测得为输入短路电流IIS,IISIIL。实际IIS的数值比IIL的数值约大一点)。在多级门电路中,IIL

5、为前级门输出低电平时,后级门的输入端向前级门灌入的电流,它会影响到前级门输出的低电平值(使输出低电平升高)。 IIH是被测输入端接高电平,其余输入端接地,流入被测输入端的电流值(也称输入漏电流IIH)。在多级门电路中,IIH是前级门输出为高电平时,流入后级门输入端的电流,它会影响到前级门输出的高电平值(使高电平降低)。由于IIH较小(IIH 为A级,而II 为mA级),用一般万用表难以测出。IIH 、II的测量电路如图3-3(b)、(c)所示。输入电流的值越小越好,可使输出门带动较多的同类门电路。4输入高电平电压VIH、输入低电平电压VILVIH2V VIL0.8V5输出高电平电压VOH 、输

6、出低电平电压VOL: 输出高电平电压VOH:输入端在施加规定电平下,被测输出端接拉电流负载,输出为高电平时的电压。对74LS00型门电路,测量时一个输入端接低电平(0.2V或接地),调节拉电流负载使输出电流IOH= - 400A时,VOH 2.4V。输出低电平电压VOL:输入端在施加规定电平下,被测输出端接灌电流负载,输出为低电平时的电压。对74LS00型门电路,测量时全部输入端接高电平(或悬空),调节灌电流负载使输出电流IOL= 8mA时,VOL 0.4V。 6高电平输出电流IOH 、低电平输出电流IOL由生产厂规定的额定输出电流值。对74LS型门电路,IOH= - 400A(由输出端流出)

7、,IOL=8mA(由外部灌入)。7扇出系数NONO是指门电路能正常驱动同类门的个数,它是衡量门电路带负载能力的一个参数。TTL与非门有两种不同性质的负载,即灌电流负载和拉电流负载,因此有两种扇出系数,即低电平扇出系数NOL和高电平扇出系数NOH 。应选择两者中小的为电路的扇出系数NO 。74LS00以NOL作为门的扇出系数。 通常NOL8电压传输特性 门电路的输出电压VO随输入电压Vi的变化用曲线描绘出来,称为门电路的电压传输特性,通过它可读得门电路的一些重要参数,如输出高电平电压VOH、输出低电平电压VOL、 关门电压Voff、开门电压Von 、阈值电压VT及抗干扰噪声容限VNL、 VNH等

8、值。测试电路如图3-3(e)所示,采用逐点测试法,调节RW 逐点测Vi及Vo,然后绘成曲线。其中: 阀值电压VT:指传输特性曲线的转折区所对应的输入电压,也称门槛电压。VT是决定与非门电路工作状态的关键值。ViVT时,门输出低电平VOL,ViVT时门输出高电平VOH。 关门电压Voff:在保证输出为额定高电平的90条件下,允许的最大输入低电平值。 开门电压VON:在保证输出为额定低电平时,所允许的最小输入高电平值。 Voff 和VOn 表明了在正常工作情况下,输入电平的极限值。即如果与非门可靠输出高电平,则必ViVoff ,而要可靠输出低电平则必ViVon。 VNL 低电平噪声容限:在保证输出

9、高电平不低于额定值的90的前提下,允许叠加在输入低电平的噪声。VNLVoffVIL 。 VNH 高电平噪声容限:在保证输出低电平的前提下,允许叠加在输入高电平的噪声。 VNHVIHVon。噪声容限是用来说明门电路抗干扰能力的参数,噪声容限大,则抗干扰能力强。图3.2 门电路延迟时间9平均传输延迟时间tpd tpd是衡量门电路开关速度的参数,是指输出波形相对于输入波形的滞后时间。它包括导通延迟时间和截止延迟时间,如图3-2所示。图中的tpdL为导通延迟时间,也称为“输出由高电平至低电平的传输延迟时间tPHL”;tpdH为截止延迟时间,也称为“输出由低电平至高电平的传输延迟时间tPLH”。其数值为

10、由输入波形的UREF处至输出波形对应边沿UREF处的时间间隔(UREF是参考电压值,对74LS型门电路UREF = 1.5V)。平均传输时间是导通延迟时间和截止延迟时间的算术平均值:tpd=0.5(tpdLtpdH)平均传输时间的测量可采用两种方法,我们分别用于测量TTL门电路和CMOS门电路。使用双踪示波器测量平均传输时间:测试电路如图3-3(g)所示,由于单个TTL门电路的延迟时间较小(纳秒数量级),使用一般的示波器不易直接观察和测量,所以我们将多个(例如4个)门电路串起来,经4级延迟后,最后输出信号的延迟时间为单个门延迟时间的4倍,这样便于用示波器观察。测量时,将信号发生器输出的500K

11、Hz 的TTL脉冲加入在第一级门的输入端,在最后一级门电路输出经延时后的方波脉冲,将输入方波和输出方波脉冲分别加在双踪波示波器的Y1和Y2两个输入端。得到4级门的传输延迟时间。则单个门的平均延迟时间为:tpd0.5(tpdLtpdH)4 。 (二)CMOS门电路参数CMOS门电路的的特点是: 功耗低,其静态工作电流在10-8A数量级,是目前数字电路中最低的。 输入阻抗高,通常大于1010,远远高于TTL的输入阻抗。 接近理想传输特性曲线,输出高电平可达电源电压的90%以上,低电平可达电源电压的0.1%以下,因此输出逻辑电平的摆幅很大,噪声容限很高。 电源电压范围广,可在3V 18V范围内正常运

12、行。 由于输入阻抗很高,要求驱动电流很小,约0.1A,输出电流在+5V电源下约500A(远远小于TTL电路),如以此来驱动同类门电路,其扇出系数将非常大。在一般低频率时,无需考虑扇出系数,但在高频时,后级门的输入电容将成为主要负载,使其扇出能力下降,所以在较高频率工作时,CMOS 电路的扇出系数一般取1020。 CMOS 门电路的参数定义与测试方法与TTL门电路大致相同,不再赘述。下面只介绍使用单踪示波器测量平均传输时间的方法。使用单踪示波器测量平均传输时间的方法:由于CMOS门电路的传输延迟时间较长(约为TTL的10倍),较易观察。所以可以采用单踪示波器进行测量。采用单踪示波器的测试精度较高

13、,能够免除由双踪示波器Y1、Y2两个通道传输时间不一致所带来的误差。采用由奇数个与非门组成的环形振荡器,通过测量振荡周期T来间接求得。其工作原理是:假设电路在接通后某一瞬间,电路中的A点为逻辑1,经过三级门的延迟后,使A点电平由原来的1变为0;再经过三级门的延迟后,A点电平又重新回到逻辑1,输出一个完整的方波。如此周而复始,A点便有持续的方波输出。由于A点电平由低变高需要经过3级门的传输延迟,由高变低又要经过3级门的延迟,所以一个周期中包含6级门的延迟。每个门的平均延迟时间为:三、实验内容及步骤(一)TTL门电路参数测试:选用四2输入与非门74LS00一块。首先检验其所有门的逻辑功能,在模拟实

14、验箱合适的位置选14P插座,连接电源线5V和地线,门的两个输入端接逻辑开关K1、K2,提供输入逻辑信号0、1,开关向上输出逻辑1,向下输出逻辑0。门的输出端接由LED发光二极管组成的状态指示灯,亮为逻辑1,不亮为逻辑0,根据Y=的关系逐个门进行检验,正确后,才能进行下面参数测试。实验中为节省时间,对TTL电路需要接高电平VOH的输入端可以悬空,接低电平VOL的输入端可以接地,但CMOS电路的输入端不允许悬空(必须按门电路逻辑关系将输入端接电源VDD或VSS)。1TTL与非门参数测试 (注:各门的闲置端悬空) 输出低电平时电源电流ICCL:测试电路的接线见图3-3(a)。用数字万用表测电流、用500型万用表测电压。逻辑开关K1、K2置1(电平)合上电源开关读出ICCL和Vcc值。 输出高电平时电源电流ICCH:测试电路的接线见图3-3(a);用数字万用表测电流。逻辑开关K1或K2置0(低电平),再合上电源开关读出ICCH值。 低电平输入电流IIL:测试电路

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