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1、5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.3 结型场效应管（JFET） *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.2 MOSFET放大电路 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压
2、时，没有导电沟道 场效应管的分类： 5.1 金属-氧化物-半导体（ MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构（N沟道）L ：沟道长度W ：沟道宽度tox ：绝缘层厚度 通常 W L 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 剖面图 1. 结构（N沟道） 符号 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 （1）vGS对沟道的控制作用 当vGS0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也 无电流产生
3、。 当0VT ）时， vDS ID 沟道电位梯度 整个沟道呈楔形分布 当vGS一定（vGS VT ）时， vDS ID 沟道电位梯度 当vDS增加到使vGD=VT 时， 在紧靠漏极处出现预夹断。 2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 在预夹断处：vGD=vGS-vDS =VT 预夹断后，vDS 夹断区延长 沟道电阻 ID基本不变 2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 2. 工作原理 （3） vDS和vGS同时作用时 vDS一定，vGS变化时 给定一个vGS ，就有一条不同 的 iD vDS 曲线。 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 截止区
4、当vGSVT时，导电沟道尚 未形成，iD0，为截止工 作状态。 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 可变电阻区 vDS（vGSVT） 由于vDS较小，可近似为 rdso是一个受vGS控制的可变电阻 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 可变电阻区 n ：反型层中电子迁移率 Cox ：栅极（与衬底间）氧 化层单位面积电容 本征电导因子 其中 Kn为电导常数，单位：mA/V2 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 饱和区 （恒流区又称放大区） vGS V T ，且vDS（vGSVT） 是vGS2
5、VT时的iD V-I 特性： 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （2）转移特性 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1. 结构和工作原理（N沟道） 二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子 可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 2. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （N沟道增强型） 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 实际上饱和区的曲线并不是平坦的 L的单位为m 当不考虑沟道调制效应时，0，曲线是平坦的。 修正后 5.1.5 MOSFET的主要参数 一、直流参数 NMOS增强型 1. 开启电压VT （增强型参数） 2.
6、 夹断电压VP （耗尽型参数） 3. 饱和漏电流IDSS （耗尽型参数） 4. 直流输入电阻RGS （1091015 ） 二、交流参数 1. 输出电阻rds 当不考虑沟道调制效应时，0，rds 5.1.5 MOSFET的主要参数 2. 低频互导gm 二、交流参数 考虑到 则 其中 5.1.5 MOSFET的主要参数 end 三、极限参数 1. 最大漏极电流IDM 2. 最大耗散功率PDM 3. 最大漏源电压V（BR）DS 4. 最大栅源电压V（BR）GS 5.2 MOSFET放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 2. 图解分析 3. 小信号模型分析 5.
7、2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 直流通路共源极放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 假设工作在饱和区，即 验证是否满足 如果不满足，则说明假设错误 须满足VGS VT ，否则工作在截止区 再假设工作在可变电阻区 即 假设工作在饱和区 满足假设成立，结果即为所求。 解： 例：设Rg1=60k，Rg2=40k，Rd=15k， 试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源 电压VDSQ 。 VDD=5V， VT=1V， 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直
8、流偏置及静态工作点的计算 （2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路 饱和区 需要验证是否满足 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 静态时，vI0，VG 0，ID I 电流源偏置 VS VG VGS （饱和区） 5.2.1 MOSFET放大电路 2. 图解分析 由于负载开路，交流负 载线与直流负载线相同 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）模型 静态值 （直流） 动态值 （交流） 非线性 失真项 当，vgs 2(VGSQ- VT )时， 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）模型 0时 高频小信号模型 3. 小信号
9、模型分析 解：例5.2.2的直流分析已 求得： （2）放大电路分析（例5.2.5） s 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.5） s 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.6） 共漏 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析 end 5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 # # 符号中的箭头方向表示什么？符号中的箭头方向表示什么？ 2. 工作原理 vGS对沟道的控制作用 当vGS0时 （以N沟道JFET为例）
10、 当沟道夹断时，对应 的栅源电压vGS称为夹断 电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏耗尽层加厚 沟道变窄。 vGS继续减小，沟道 继续变窄。 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS ID G、D间PN结的反向 电压增加，使靠近漏极 处的耗尽层加宽，沟道 变窄，从上至下呈楔形 分布。 当vDS增加到使 vGD=VP 时，在紧靠漏 极处出现预夹断。 此时vDS 夹断区延长 沟道电阻 ID基本不变 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） vGS和vDS同时作用时 当VP vGS0 时，导电沟道更容易
11、夹断， 对于同样的vDS ， ID的值比vGS=0时的值要小。 在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后， iD趋于饱和。 # # 为什么为什么JFETJFET的输入电阻比的输入电阻比BJTBJT高得多？高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG0，输入电阻很高。 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 2. 转移特性 1. 输出特性 与MOSFET类似 3. 主要参数 5.3.2 JFET的
12、特性曲线及参数 5.3.2 FET放大电路的小信号模型分析法 1. FET小信号模型 （1）低频频模型 （2）高频频模型 2. 动态指标分析 （1）中频小信号模型 2. 动态指标分析 （2）中频电压增益 （3）输入电阻 （4）输出电阻 忽略 rds，由输入输出回路得 则 通常 则 end *5.4 砷化镓金属-半导体 场效应管 本节不做教学要求，有兴趣者自学 5.5 各种放大器件电路性能比较 5.5 各种放大器件电路性能比较 组态对应关系： CE BJTFET CS CCCD CBCG电压增益： BJTFET CE： CC： CB： CS： CD： CG： 输出电阻： BJTFET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 5.5 各种放大器件电路性能比较 解： 画中频小信号等效电路 例题 放大电路如图所示。已知 试求电路的中频 增益、输入电阻和输出电。 例题 则电压增益为 由于 则 end 根据电路有
