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1、1、极化会对晶体结构产生显著影响，可使键性由（B）过渡，最终使晶体结构类型发生变化。（A）共价键向离子键（B）离子键向共价键（C）金属键向共价键（D）键金属向离子键2、离子晶体中，由于离子的极化作用，通常使正负离子间的距离（B），离子配位数（）。（A）增大，降低（B）减小，降低（C）减小，增大（D）增大，增大3、氯化钠具有面心立方结构，其晶胞分子数是（C）。（A）5（B）6（C）4（D）34、NaCl单位晶胞中的“分子数”为4，Na+填充在Cl-所构成的（B）空隙中。（A）全部四面体（B）全部八面体（C）1/2四面体（D）1/2八面体5、CsCl单位晶胞中的“分子数”为1，Cs+填充在Cl-所
2、构成的（C）空隙中。（A）全部四面体（B）全部八面体（C）全部立方体（D）1/2八面体6、MgO晶体属NaCl型结构，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子组成，其一个单位晶胞中有（B）个MgO分子。（A）2（B）4（C）6（D）87、萤石晶体可以看作是Ca2+作面心立方堆积，F-填充了（D）。（A）八面体空隙的半数（B）四面体空隙的半数（C）全部八面体空隙（D）全部四面体空隙8、萤石晶体中Ca2+的配位数为8，F-配位数为（B）。（A）2（B）4（C）6（D）89、CsCl晶体中Cs+的配位数为8，Cl-的配位数为（D）。（A）2（B）4（C）6（D）810、硅酸盐晶体的分类原则是（
3、B）。（A）正负离子的个数（B）结构中的硅氧比（C）化学组成（D）离子半径11、锆英石ZrSiO4是（A）。（A）岛状结构（B）层状结构（C）链状结构（D）架状结构12、硅酸盐晶体中常有少量Si4+被Al3+取代，这种现象称为（C）。（A）同质多晶（B）有序无序转变（C）同晶置换（D）马氏体转变13.镁橄榄石Mg2SiO4是（A）。（A）岛状结构（B）层状结构（C）链状结构（D）架状结构14、对沸石、萤石、MgO三类晶体具有的空隙体积相比较，其由大到小的顺序为（A）。（A）沸石萤石MgO（B）沸石MgO萤石（C）萤石沸石MgO（D）萤石MgO沸石15、根据鲍林（Pauling）规则，离子晶体M
4、X2中二价阳离子的配位数为8时，一价阴离子的配位数为（B）。（A）2（B）4（C）6（D）816、构成硅酸盐晶体的基本结构单元SiO4四面体，两个相邻的SiO4四面体之间只能（A）连接。（A）共顶（B）共面（C）共棱（D）A+B+C17、点缺陷与材料的电学性质、光学性质、材料的高温动力学过程等有关，以下点缺陷中属于本征缺陷的是（D）。（A）弗仑克尔缺陷（B）肖特基缺陷（C）杂质缺陷（D）A+B18、位错的（A）是指在热缺陷的作用下，位错在垂直滑移方向的运动，结果导致空位或间隙原子的增值或减少。（A）攀移（B）攀移（C）增值（D）减少19、对于形成杂质缺陷而言，低价正离子占据高价正离子位置时，该
5、位置带有负电荷，为了保持电中性，会产生（D）。（A）负离子空位（B）间隙正离子（C）间隙负离子（D）A或B20、对于形成杂质缺陷而言，高价正离子占据低价正离子位置时，该位置带有正电荷，为了保持电中性，会产生（D）。（A）正离子空位（B）间隙负离子（C）负离子空位（D）A或B21、形成固溶体后对晶体的性质将产生影响,主要表现为（D）。（A）稳定晶格（B）活化晶格（C）固溶强化（D）A+B+C22、固溶体的特点是掺入外来杂质原子后原来的晶体结构不发生转变，但点阵畸变，性能变化。固溶体有有限和无限之分，其中（B）。（A）结构相同是无限固溶的充要条件（B）结构相同是无限固溶的必要条件，不是充分条件（C
6、）结构相同是有限固溶的必要条件（D）结构相同不是形成固溶体的条件23、缺陷对晶体的性能有重要影响，常见的缺陷为（D）。（A）点缺陷（B）线缺陷（C）面缺陷（D）A+B+C24、按照晶体结构缺陷形成的原因，可将晶体结构缺陷的类型分为（D）。（A）热缺陷（B）杂质缺陷（C）非化学计量缺陷（D）A+B+C25、晶体中的热缺陷的浓度随温度的升高而增加，其变化规律是（B）。（A）线性增加（B）呈指数规律增加（C）无规律（D）线性减少26、间隙式固溶体亦称填隙式固溶体，其溶质原子位于点阵的间隙中。讨论形成间隙型固溶体的条件须考虑（D）。（A）杂质质点大小（B）晶体（基质）结构（C）电价因素（D）A+B+C
7、27、位错的滑移是指位错在（A）作用下，在滑移面上的运动，结果导致永久形变。（A）外力（B）热应力（C）化学力（D）结构应力28、柏格斯矢量（BurgersVector）与位错线垂直的位错称为（A），其符号表示为（）。（A）刃位错；（B）刃位错；VX（C）螺位错；（D）刃位错；29、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottkydefect）时，（B）。（A）正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小（B）正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加（C）正离子空位和负离子间隙是同时
8、成对产生的，同时伴随晶体体积的增加（D）正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加30、热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。生成弗仑克尔缺陷（Frenkeldefect）时，（A）。（A）间隙和空位质点同时成对出现（B）正离子空位和负离子空位同时成对出现（C）正离子间隙和负离子间隙同时成对出现（D）正离子间隙和位错同时成对出现31、位错的具有重要的性质，下列说法不正确的是（C）。（A）位错不一定是直线（B）位错是已滑移区和未滑移区的边界（C）位错可以中断于晶体内部（D）位错不能中断于晶体内部32、位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移
9、，其中（A）。（A）螺位错只作滑移，刃位错既可滑移又可攀移（B）刃位错只作滑移，螺位错只作攀移（C）螺位错只作攀移，刃位错既可滑移又可滑移（D）螺位错只作滑移，刃位错只作攀移33、硅酸盐熔体中各种聚合程度的聚合物浓度（数量）受（D）因素的影响。（A）组成（B）温度（C）时间（D）A+B+C34、当熔体组成不变时，随温度升高，低聚物数量（C），粘度（）。（A）降低；增加（B）不变；降低（C）增加；降低（D）增加；不变35、当温度不变时，熔体组成的O/Si比高，低聚物（C），粘度（）。（A）降低；增加（B）不变；降低（C）增加；降低（D）增加；不变36、硅酸盐熔体的粘度随O/Si升高而（B），随温
10、度下降而（）。（A）增大，降低（B）降低，增大（C）增大，增大（D）降低，降低37、由结晶化学观点知，具有（A）的氧化物容易形成玻璃。（A）极性共价键（B）离子键（C）共价键（D）金属键38、Na2OAl2O34SiO2熔体的桥氧数为（D）。（A）1（B）2（C）3（D）439、Na2OCaOAl2O3SiO2玻璃的桥氧数为（B）。（A）2.5（B）3（C）3.5（D）440、如果在熔体中同时引入一种以上的R2O时，粘度比等量的一种R2O高，这种现象为（B）。（A）加和效应（B）混合碱效应（C）中和效应（D）交叉效应41、对普通硅酸盐熔体，随温度升高，表面张力将（A）。（A）降低（B）升高（C
11、）不变（D）A或B42、熔体的组成对熔体的表面张力有很重要的影响，一般情况下，O/Si减小，表面张力将（A）。（A）降低（B）升高（C）不变（D）A或B43、由熔融态向玻璃态转变的过程是（C）的过程。（A）可逆与突变（B）不可逆与渐变（C）可逆与渐变（D）不可逆与突变44、当组成变化时，玻璃的物理、化学性质随成分变化具有（C）。（A）突变性（B）不变性（C）连续性（D）A或B45、熔体组成对熔体的表面张力有重要的影响，一般情况下，O/Si减小，表面张力将（A）。（A）降低（B）升高（C）不变（D）A或B46、不同氧化物的熔点TM和玻璃转变温度Tg的比值（Tg/TM）接近（B）易形成玻璃。（A）
12、二分之一（B）三分之二（C）四分之一（D）五分之一47、可用三T（Time-Temperature-Transformation）曲线来讨论玻璃形成的动力学条件，三T曲线前端即鼻尖对应析出106体积分数的晶体的时间是最少的，由此可得出形成玻璃的临界冷却速率，通常，该临界冷却速率愈大，则系统形成玻璃（A）。（A）愈困难（B）愈容易（C）质量愈好（D）质量愈差48、不同O/Si比对应着一定的聚集负离子团结构，形成玻璃的倾向大小和熔体中负离子团的聚合程度有关。聚合程度越低，形成玻璃（A）。（A）越不容易（B）越容易（C）质量愈好（D）质量愈差49、当熔体中负离子集团以（C）的歪曲链状或环状方式存在时
13、，对形成玻璃有利。（A）低聚合（B）不聚合（C）高聚合（D）A或C25、桥氧离子的平均数Y是玻璃的结构参数，玻璃的很多性质取决于Y值。在形成玻璃范围内，随Y的增大，粘度（D），膨胀系数（）。（A）增大；不变（B）降低；增大（C）不变；降低（D）增大；降低50、对于实际晶体和玻璃体，处于物体表面的质点，其境遇和内部是不同的，表面的质点处于（A）的能阶，所以导致材料呈现一系列特殊的性质。（A）较高（B）较低（C）相同（D）A或C51、由于固相的三维周期性在固体表面处突然中断，表面上原子产生的相对于正常位置的上、下位移，称为（B）。（A）表面收缩（B）表面弛豫（C）表面滑移（D）表面扩张52、固体的
14、表面能与表面张力在数值上不相等，一般说来，同一种物质，其固体的表面能（B）液体的表面能。（A）小于（B）大于（C）小于等于（D）等于53、重构表面是指表面原子层在水平方向上的周期性与体内（），垂直方向的层间距与体内（A）。（A）不同；相同（B）相同；相同（C）相同；不同（D）不同；不同54、粘附剂与被粘附体间相溶性（C），粘附界面的强度（）。（A）越差；越牢固（B）越好；越差（C）越好；越牢固（D）越好；不变55、离子晶体MX在表面力作用下，极化率小的正离子应处于稳定的晶格位置，易极化的负离子受诱导极化偶极子作用而移动，从而形成表面（C，这种重排的结果使晶体表面能量趋于稳定。（A）收缩（B）弛
15、豫（C）双电层（D）B+C56、表面微裂纹是由于晶体缺陷或外力作用而产生，微裂纹同样会强烈地影响表面性质，对于脆性材料的强度这种影响尤为重要，微裂纹长度（），断裂强度（A）。（A）越长；越低（B）越长；越高（C）越短；越低（D）越长；不变57、界面对材料的性质有着重要的影响，界面具有（D）的特性。（A）会引起界面吸附（B）界面上原子扩散速度较快（C）对位错运动有阻碍作用（D）A+B+C58、只要液体对固体的粘附功（B）液体的内聚功，液体即可在固体表面自发展开。（A）小于（B）大于（C）小于等于（D）等于59、当液体对固体的润湿角90时，即在润湿的前提下，表面粗糙化后，液体与固体之间的润湿（C）。（A）更难（B）不变（C）更易（D）A或B60、当液体对固体的润湿角90时
