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1、模 拟 电 子 技 术胡宴如（第3版）自测题第1章 半导体二极管及其基本应用11 填空题1半导体中有 空穴 和 自由电子 两种载流子参与导电。2本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是 电子 ；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是 空穴 。3PN结在 正偏 时导通 反偏 时截止，这种特性称为 单向导电 性。4当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 增大 ，正向压降将 减小 。5整流电路是利用二极管的 单向导电 性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的 反向击穿 特性实现稳压的。6发光二极管是一种通以 正向 电流就会 发光 的
2、二极管。7光电二极管能将 光 信号转变为 电 信号，它工作时需加 反向 偏置电压。8测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于 650 ，交流电阻等于 26 。12 单选题1杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。 A温度 B掺杂工艺 C掺杂浓度 D晶格缺陷2PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。 A价电子 B自由电子 C空穴 D杂质离子3硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。 A减小 B基本不变 C增大4流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。 A增大 B基本不变 C减小5变容二极管在电路中主要用作( D
3、)。 、 A整流 B稳压 C发光 D可变电容器13 是非题1在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。( )2因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( ) 3二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。( )4只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( ) 14 分析计算题1电路如图T11所示，设二极管的导通电压UD(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0(60.7)V5.3 V。 (b)令二极管断开，可得UP6 V、UN10 V，UPUpUN2，故V1优先导通后，V2截止，所以输出电压U00.7 V。 2
4、电路如图T12所示，二极管具有理想特性，已知ui(sint)V，试对应画出ui、u0、iD的波形。解：输入电压ui为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即u00，而流过二极管的电流iDuiR，为半波正弦波，其最大值IDm10 V1 k10 mA；当ui为负半周时，二极管反偏截止，iD0，u0ui为半波正弦波。因此可画出电压u0电流iD的波形如图(b)所示。3稳压二极管电路如图T13所示，已知UZ5 V，IZ5 mA，电压表中流过的电流忽略不计。试求当开关s 断开和闭合时，电压表和电流表、读数分别为多大?解：当开关S断开，R2支路不通，IA20，此时R1与稳压二极管V相串联，因此由
5、图可得可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5 V。当开关S闭合，令稳压二极管开路，可求得R2两端压降为 故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此，R1、R2构成串联电路，电流表A1、A2的读数相同，即而电压表的读数，即R2两端压降为3.6 V。第2章 半导体三极管及其基本应用21 填空题1晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型，它工作时有 2 种载流子参与导电。 2晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏 ，集电结 反偏 。 3晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大 、 饱和 、 截止 。 4当温度升高时，晶体管的参数 增大 ，ICBO 增大
6、 ，导通电压UBE 减小 。 5某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10A变化到20A时，集电极电流从1mA变为1.99 mA，则交流电流放大系数约为 99 。 6某晶体管的极限参数ICM=20mA、PCM=100mW、U(BR)CEO=30V，因此，当工作电压UCE=10V时，工作电流IC不得超过 10 mA；当工作电压UCE=1V时，IC不得超过 20 mA；当工作电流IC=2 mA时，UCE不得超过 30 V。 7场效应管从结构上可分为两大类： 结型 、 MOS ；根据导电沟道的不同又可分为 N沟道 、 P沟道 两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：
7、耗尽型 、 增强型 。 8UGS(off)表示 夹断 电压，IDSS表示 饱和漏极 电流，它们是 耗尽 型场效应管的参数。 22 单选题 1某NPN型管电路中，测得UBE=0 V，UBC= 5 V，则可知管子工作于( C )状态。 A放大 B饱和 C截止 D不能确定2根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为( B )。 ANPN型低频小功率硅晶体管 BNPN型高频小功率硅晶体管 CPNP型低频小功率锗晶体管 DNPN型低频大功率硅晶体管3输入( C )时，可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。 A正弦小信号 B低频大信号 C低频小信号 D高频小信号4( D )具有不同的低频
8、小信号电路模型。 ANPN型管和PNP型管 B增强型场效应管和耗尽型场效应管 CN沟道场效应管和P沟道场效应管 D晶体管和场效应管5当UGS0时，( B )管不可能工作在恒流区。 AJFET B增强型MOS管 C耗尽型MOS管 DNMOS管6下列场效应管中，无原始导电沟道的为( B )。 AN沟道JFET B增强AI PMOS管 C耗尽型NMOS管 D耗尽型PMOS管23 是非题 1可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。( ) 2MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。( ) 3EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。( ) 4结型场效应管外加的栅源电压应使
9、栅源间的PN结反偏。( ) 5场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。( )24 分析计算题 1图T21所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。解：(a)UBE=UBUE0.700.7V，发射结正偏；UBC=UBUC0.732.3 V，集电结反偏 因此晶体管工作在放大状态。 (b) UBE=UBUE231V，发射结反偏；UBC=UBUC253 V，集电结反偏 因此晶体管工作在截止状态。 (c) UBE=UBUE32.30.7V，发射结正偏；UBC=UBUC32.60.4V，集电结正偏 因此晶体管工作在饱和状态。(d)该管为PNP型晶体管UEB=UEUB(2)(2.7)0.7V，发射结正偏；
10、UCB=UCUB(5)(2.7)2.3V，集电结反偏 因此晶体管工作在放大状态。 2图T22所示电路中，晶体管均为硅管，=100，试判断各晶体管工作状态，并求各管的IB、IC、UCE。解：(a)方法一： 设晶体管工作在放大状态，则有 ICIB1000.0535.3mAUCE125.333.9 VIBS，所以晶体管处于饱和状态，因而有IB0.053 mA、ICICS3.9 mA、UCEUCE(Sat)0.3 V (b) 设晶体管工作在放大状态，则有 IC1000.008 4 mA0.84 mA UCE5 V0.8432.48 V UCE(Sat)说明晶体管工作在放大状态，故上述假设成立，计算结果
11、正确。 (c)基极偏压为负电压，发射结和集电结均反偏，所以晶体管截止，则IB0，IC0，UCE5 V 3放大电路如图T23所示，试图中所有电容对交流信号的容抗近似为零，试画出各电路的直流通路、交流通路和小信号等效电路。解：(a)将C1、C2断开，即得直流通路如下图(a)所示；将C1、C2短路、直流电源对地短接，即得交流通路如下图(b)所示；将晶体管用小信号电路模型代人，即得放大电路小信号等效电路如下图(c)所示。 (b)按上述相同方法可得放大电路的直流通路、交流通路、小信号等效电路如下图 (a)、(b)、(c)所示。4场效应管的符号如图T24所示，试指出各场效应管的类型，并定性画出各管的转移特
12、性曲线。解：(a)为P沟道耗尽型MOS管，它的转移特性曲线如下图(a)所示，其特点是uGS0时，iDIDSS (b)为N沟道增强型MOS管，它的转移特性曲线如下图(b)所示，其特点是uGS0时， iD0 (c)为N沟道结型场效应管，它的转移特性曲线如下图(c)所示，其特点是uGS0时，iDIDSS，且uGS0第3章 放大电路基础31 填空题1放大电路的输入电压Ui10 mV，输出电压U01 V，该放大电路的电压放大倍数为 100 ，电压增益为 40 dB。2放大电路的输入电阻越大，放大电路向信号源索取的电流就越 小 ，输入电压也就越 大 ；输出电阻越小，负载对输出电压的影响就越 小 ，放大电路的负载能力就越 强 。3共集电极放大电路的输出电压与输入电压 同 相，电压放大倍数近似为 1 ，输入电阻 大 ，输出电阻 小 。4差分放大电路的输入电压Ui11 V，Ui20.98 V，则它的差模输入电压Uid 0.02 V，共模输入电压UiC 0.99 V。5差分放大电路对 差模 输入信号具有良好的放大作用，对 共模 输入信号具有很强的抑制作用，差分放大电路的零点漂移 很小 。6乙类互补对称功放由 NPN 和 PNP 两种类型晶体管构成，其主要优点是 效率高 。7两级放大电路，第一级电压增益为40
