SDRAM认识

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1、SDRAM内存的识别 一般电路板上都有SDRAM内存，看到上面的字母数字也许你不知道是什么意思，但是看了下面这篇文章。你就会对它有一些了解了。 一、 HYUNDAI （现代） 现代的SDRAM芯片上的标识为以下格式： HY 5X X XXX XX X X X X XX -XX HY代表是现代的产品。 5X表示芯片类型，57为一般的SDRAM，5D为DDR SDRAM。 第2个X代表工作电压，空白为5V，V为3.3V, U为2.5V。 第3-5个X代表容量和刷新速度，分别如下： 16： 16Mbits，4K Ref。 64： 64Mbits，8K Ref。 65： 64Mbits，4K Ref。

2、 128：128Mbits，8K Ref。 129：128Mbits，4K Ref。 256：256Mbits，16K Ref。 257：256Mbits，8K Ref。 第6、7个X代表芯片输出的数据位宽，40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 第8个X代表内存芯片内部由几个Bank组成，1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank。是2的幂次关系。 第9个X一般为0，代表LVTTL（Low Voltage TTL）接口。 第10个X可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新。 第11个X如为L则代表低功耗的芯片，如为空白则为普通芯片。 第12、13个X代表封装形

3、式，分别如下： JC ： 400mil SOJ TC ： 400mil TSOP- TD ： 13mm TSOP- TG ： 16mm TSOP- 最后几位为速度： 7： 7ns （143MHz） 8： 8ns （125MHz） 10p： 10ns （PC-100 CL2 &3） 10s： 10ns （PC-100CL 3） 10 ： 10ns （100MHz） 12 ： 12ns （83MHz） 15 ： 15ns （66MHz） 注：例如常见的HY57V658010CTC-10s，HY是现代的芯片，57说明是SDRAM，65是64Mhbit和4K refresh cycles/64ms，下

4、来的8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-封装，10S代表CL=3的PC-100。 二、 LGS（LG Semicon Co.,Ltd。） LGS的SDRAM芯片上的标识为以下格式： GM72V XX XX X 1 X X T XX GM代表为LGS的产品。 72代表SDRAM。 第1、2个X代表容量，类似现代，16为16Mbits ，66为64Mbits。 第3、4个X表示数据位宽，一般为4、8、16等，不补0。 第5个X代表Bank ，2对应2个Bank，4对应4个Bank，和现代的不一样，属于直接对应。 第6个X表示是第几人版本的内核，现在

5、至少已经排到E了。 第7个X如果是字母L，就是低功耗，空白则为普通。 T? 见的TSOP封装，现在还有一种BLP封装出现，为I。 最后的XX自然是代表速度： 7.5：7.5ns （133MHz） 8： 8ns （125MHz） 7K：10ns （PC-100 CL 2&3） 7J：10ns （100MHz） 10K：10ns （100MHz） 12： 12ns （83MHz） 15： 15ns （66MHz） 注：例如GM72V661641CT7J，这是64Mbit，16 位输出，4个Bank，刚达到PC-100的要求（CL=3）SDRAM。 三、 SEC （Samsung Electroni

6、cs）SEC 三星的SDRAM芯片的标识为以下格式： KM4 XX S XX 0 X X XT-G/FX KM代表是三星的产品。 三星的SDRAM产品KM后均为4，后面的S代表普通的SDRAM，如为H，则为DDR SDRAM。 S前两个XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 三星的容量需要自己计算一下。方法是用S后的X乘S前的数字，得到的结果即为容量。 0后的第一个X代表由几个Bank构成。2为2个Bank，3 为难个Bank。 0后的第2个X，代表interface，1为SSTL，0为LVTTL。 0后的第3个X与版本有关，如B、C等，但每个字母下又有各个版

7、本，在表面上并不能看得出来。 T为TSOP封装。 速度前的G和F的区别在自刷新时的电流，F需要的电流较G小，相当于一般的低功耗版。 G/F后的X代表速度： 7： 7ns（143MHz） 8： 8ns（125MHz） H： 10ns（PC100 CL2&3） L： 10ns（PC100CL 3） 10：10ns（100MHz） 注：例如KM416S4031BT-GH，是64Mbit（16*4），16，4个Bank，在100MHZ时CL=2。 四、Micron MT Micron的SDRAM芯片上标识为以下格式： MT48 XX XX M XX AX TG-XX X MT代表是Micron的产品。

8、 48代表是SDRAM系列。其后的XX如为LC则为普通SDRAM。46V为DDR SDRAM。 Mricron的容量需要自己计算一下。方法是将XX M XX中的M前后的数字相乘，得到的结果即为容量。 M后的XX表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 AX代表Write Recovery（Twr），如A2表示Twr=2clk。 TG为TSOP封装。LG为TGFP封装。 最后的XX是代表速度： 7： 7ns（143MHz） 75： 7.5ns（133MHz） 8X：8ns（125MHz） 其中X为AE，字母越后性能越好。按CL-TRCD-TRP的表示方法AE分别为：3

9、-3-3、3-2-3、 3-2-2、2-2-2、2-2-2。 10：10ns（100MHz CL=3） 速度后如有L则为低耗。 注：例如MT48LC8M8A2TG-8E，64Mbit（8*8），8位，且是性能相当不错的芯片，完全符合PC-100规范。 五、 IBM IBM的SDRAM芯片上的标识为以下格式： IBM03 XX XX X XT3X -XXX IBM代表为IBM的产品。 IBM的SDRAM产品均为03。 第1、 2个X代表容量。 第3、4个X表示数据位宽，为40、80、16等。 一般的封装形式为TSOP。对4位数据位宽的型号，如第4个X不为0而为B，则为TSOJ封装。 第5个X意义

10、不详，16Mbit上多为9，64Mbit上多为4。 第6个X为P为低功耗，C为普通。 第7个X表示内核的版本。 最后的XXX代表速度： 68： 6.8ns (147MHz) 75A: 7.5NS(133MHz) 260（或222）：10ns（PC100 CL2&3）* 360(或322)： 10ns（PC-100 CL3）* 10： 10NS（100MHz） *在B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ。 注：例如IBM0316809CT3D-10，16Mbit，8位，不符合PC-100规范。 六、 HITACHI （日立） HITACHI的SDRAM芯片

11、上的标识为以下格式： HM 52 XX XX 5 X X TT-XX HM代表是日立的产品，52是SDRAM，如为51则为EDO DRAM。 第1、2个X代表容量。 第3、4个X表示数据位宽，40、80、16分别代表4位、8位、16位。 第5个X表示是第几个版本的内核，现在至少已经排到F了。 第6个X如果是字母L就是低功耗。空白则为普通。 TT为TSOP封装。 最后XX代表速度： 75： 7.5ns(133MHz) 80： 8ns （125MHz） A60： 10ns （PC-100 CL2&3） B60： 10ns（PC-100 CL3） 注：例如HM5264805F-A60，是64Mbit

12、，8位输出，100MHZ时CL可为2。 七、 NEC NEC的SDRAM芯片上的标识通常为以下格式： PD45 XX X X XG5-AXX X-XXX PD4代表是NEC的产品。 5代表是SDRAM。 第1、2个X代表容量。 第3（4）个X表示数据位宽，4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位。当数 据位宽为16位和32位时，使用两位，即占用第4个X。由于NEC的标识的长度固定， 这会对下面的数字造成影响。 第4（5）个X代表Bank。3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank。 第5个X，如为1代表LVTTL。如为16位和32位的芯片，第5个

13、X已被占用，则第5个X有双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL。 G5为TSOP封装。 -A后的XX是代表速度： 80： 8ns （125MHz） 10： 10ns（PC100 CL 3） 10B：10ns 较10慢，Tac 为7，不完全符合PC100规范。 12：12ns 速度后的X如果是字母L就是低功耗，空白则为普通。 -XXX：第一人X通常为数字，如64Mbit芯片上常为准，16Mbit芯片上常为7，规律不详。其后的XX的JF、JH、NF等。估计与封装外型有关：NF对应: 44-pinTSOP-（）；JF对应54-pin TSOP（）；JH对应86-p

14、in TSOP-（）。 注：例如PD4564841G5-A80-9JF，64Mbit，8位，4个Bank，在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2。 八、 TOSHIBA（东芝） TOSHIBA的芯片上的标识为以下格式： TC59S XX XX X FT X-XX TC代表是东芝的产品。 59代表是SDRAM系列。其后的S为普通SDRAM，R为Rambus SDRAM，W为 DDR SDRAM。 第1、2个X代表容量。64为64Mbit，M7为128Mbit。 第3、4个X表示数据位宽，04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位。 第5 个X估计是用来表示

15、内核的版本。目前常见的为B。 FT为TSOP封装。 FT后如果有字母L就是低功耗，空白则为普通。 最后的XX是代表速度： 75： 7.5ns (133MHz) 80： 8ns （125MHz） 10： 10ns（100MHz CL=3） 注：例如TC59S6408BFTL-80，64Mbit，8位，可正常工作在125MHz，且为低功耗型号。 九、 华邦（Winbond） 华邦（Winbond）是国际知名的半导体研发及制造企业。相对其他内存芯片来说，华邦内存芯片的编号规则会简单些，下面，就向大家介绍华邦SDRAM、DDR SDRAM内存芯片的编号规则（如图所示）。 A字段由W组成，代表华邦（Wi

16、nbond）内存芯片的前缀。 B字段表示产品类型。98代表SDRAM内存94代表DDR SDRAM内存。 C字段表示内存芯片的容量。16代表16Mbit（2MB）32代表32Mbit（4MB）64代表64Mbit（8MB）12代表128Mbit（16MB）25代表256Mbit（32MB）。要计算内存条的总容量，只需将内存芯片的容量乘上内存芯片的数量即可。 D字段表示内存结构。08代表816或G6代表1632或G2代表32。 E字段表示内存芯片的修正版本。A代表第1版B代表第2版C代表第3版D代表第4版。 F字段表示内存芯片的封装方式。B代表60balls BGA、90balls BGA或144-Ball LF BGA封装D代表100-Pin LQFP封装H代表50-Pin 400mil TSOP、66-Pin 400mi