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1、写项目摘要的几个例子针对现状提出思路（假说）用方法进行研究探索问题得到结果对阐明/揭示机制/规律有意义思路（假说）法进/ /PDF created with pdfFactory trial version 针对薄膜磁致伸缩灵敏度低，已成为制约磁性MENS发展关键因素的问题，提出交换耦合的思路，通过计算机模拟和实验结合的方法，制备和研究高灵敏交换耦合磁致伸缩薄膜材料。在机理方面，从微磁学理论出发，研究材料微结构成分、交换耦合对磁致伸缩性能的影响，并建立理论模型；在实验方面，利用直流磁控溅射及晶化方法，制备在低场下具有高灵敏度的纳米晶交换耦合磁致伸缩薄膜，并研究材料配方及工艺对纳米晶形成的影响，
2、以及添加微量元素对材料性能的影响。为低场敏感磁致伸缩材料的设计提供理论基础，为材料的制备开辟新的途径。磁致伸缩薄膜、纳米晶交换耦合、微磁学MENS的问题，法，制 材料。在机计提高灵敏交换耦合磁致伸缩薄膜材料的研究-03PDF created with pdfFactory trial version 项目针对永磁材料高温下磁性能急剧衰减的问题，提出利用纳米双相交换耦合永磁/软磁复合材料的设计思想，通过控制其中软磁相的成分来调节其居里温度，从而控制永磁相间的耦合强度，达到调节材料的矫顽力随温度的变化关系，制备出高温度稳定性的复合永磁材料。在材料体系上，分别选择NdFeB+FexB和SmCo+Fe
3、xB的配方，实现材料在一定温区范围内的高性能；在工艺上，利用单辊快淬法，制备非晶态合金，再利用温度梯度快速循环退火的方法，实现纳米晶的受控析出，以便有效地控制和提高材料的性能。项目的研究将为高温度稳定性永磁材料的设计和制备提供新的技术途径。双相复合永磁；交换耦合；温度稳定性；温度梯度循环退火/ ，通过，制NdFeB+FexBSmCo+FexB制备提纳米双相交换耦合永磁/软磁复合材料研究-04PDF created with pdfFactory trial version 项目针对氧化物磁性半导体的铁磁居里温度及相关的电子输运性质的分散性问题，提出通过第一原理的相关计算，研究基片的状态、掺杂原
4、子的种类与构型对稀释磁性半导体氧化物薄膜的晶格常数、电子结构、磁性、电子输运特性的影响。并通过组合合成实验方法，利用RF/DC磁控溅射工艺，制备具有高可比研究性的材料芯片，并进行成分、结构、电、磁等的综合分析，找到影响氧化物稀释磁性半导体材料性能的关键因素，获得控制方法，为实现稳定性能的氧化物DMS的生长与制备奠定基础，推动高居里温度、高稳定氧化物稀释磁性半导体材料的研究。稀释磁性半导体；氧化物；电子结构；第一原理；组合合成题，提出RF/DCDMS氧化物基磁性半导体稳定性的关键因素研究-06PDF created with pdfFactory trial version 针对目前磁弹性薄膜结
5、构单一、应力阻抗效应低的问题，项目提出并研究“非晶磁弹性薄膜/非磁性金属箔/非晶磁弹性薄膜”三明治结构材料的应力阻抗效应。从理论上，建立大应力/应变情形下该结构多层膜的应力阻抗效应模型，研究材料畴结构、磁致伸缩系数、饱和磁化强度、磁各向异性、电导率等特性与应力阻抗效应的内在联系，以及几何结构参数对应力相关效应的影响规律。在实验中，通过在Cu箔等耐高温柔性基底上双面溅射沉积FeCoSiB 薄膜，研究该结构的高频阻抗与外加应力的变化关系，获得材料以及几何结构参数对应力阻抗效应的影响规律。为高灵敏、宽范围应力检测、薄膜型磁应力/应变传感器的研制和应用奠定基础。非晶磁弹性薄膜；多层膜；应力阻抗效应；微磁学项目提出“ / / ”/，研究规律。在实验Cu FeCoSiB 薄膜，/铜箔双面磁性薄膜的应力阻抗效应研究-09PDF created with pdfFactory trial version
