半导体材料应用与发展趋势

《半导体材料应用与发展趋势》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体材料应用与发展趋势（40页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。

1、半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性 能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mcm 1Gcm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电 路的电子材料。一、半导体材料主要种类半导体材料可 按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与 液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导 体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、 有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。1、元素半导 体：在元素周期表的A族至A族分布着11种具有半导 性半导体材料的元素，下表的黑框中即这11种元素半导 体,其中C表示金刚石。C、P、S e具有绝缘体与半导体两种形态;B、Si、

2、Ge、Te具有半导 性;Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸 点太低,的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价 值不大。As、Sb 、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、 Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被 利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素 已得到利用。Ge、Si 仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。（半导体 材料）2、无机化合物半导体：分二元系、三元系、四元 系等。 二元系包括：-族:SiC和Ge-Si合金都具有闪 锌矿的结构。-族: 由周期表中族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成 ，典型的代表为G

3、aAs。它们都具有闪锌矿结构,它们在应 用方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前途。-族:族 元素Zn、 Cd、Hg和族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要 的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具有闪锌矿结构。- 族：族元素Cu、Ag、Au和 族元素Cl、Br、I形成的 化合 物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。-族：族元 素As、Sb、Bi和族元素 S、Se、Te形成的化合物具有的 形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是 重要的温差电材料。第四周期中的B族和过渡族元素Cu 、 Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,为主 要的热敏电阻材

4、料。某些稀土族元素 Sc、Y、Sm、Eu 、Yb、 Tm与族元素N、As或族元素S、Se、Te形成的化合 物。 除这些二元系化合物外还有它们与元素或它们之间 的固溶体半导体，例如Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSb -GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究这些固溶体可以在改 善单一材料的某些性能或开辟新的应用范围方面起很大 作用。（半导体材料元素结构图）半导体材料三元系包 括：族:这是由一 个族和一个族原子去替代-族中两个族原子所 构成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、 CdSnSe2等。族：这是由一个族和一个族原子去替代

5、- 族中两个族原子所构成的, 如 CuGaSe2、AgInTe2、 AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。：这是由一个族和一个 族原子去替代族中两个族原子所组成,如Cu3A sSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，还有它 的结构基本为闪锌矿的四元系(例如Cu2FeSnS4)和更复杂 的无机化合物。3、有机化合物半导体：已知的有机半 导体有几十种，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一 些芳香族化合物等，它们作为半导体尚未得到应用。4、 非晶态与液态半导体：这类半导体与晶态半导体的最大 区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。 二、半导体材料实际运用制备不同的半

6、导体器件对半导 体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛 光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的 加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯 、单晶的制备和薄膜外延生长。半导体材料所有的半导 体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以 上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类 是不改变材料的化学组成进行提纯， 称为物理提纯;另一类是把元素先变成化合物进行提纯， 再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。物理 提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用 最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有 电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于 每一种方

7、法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方 法相结合的工艺流程以获得合格的材料。（半导体材料 ）绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片 为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用 熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80%的硅单晶、大 部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶 的最大直径已达300毫米。在熔体中通 入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均 匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直 拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较 大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触， 用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。 水平定向结晶法主要用于制备砷化镓

8、单晶，而垂直定向 结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体 单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片 、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部 或部分工序以提供相应的晶片。在单晶衬底上生长单晶 薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子 束外延等。工业生产使用的主要是化学气相外 延，其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子 束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。非晶、微 晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类 型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。三 、半导体材料发展现状相对于半导体设备市场，半导体 材料市场长期处于配角的位置，但随着芯片出货量增长 ，材料

9、市场将保持持续增长，并开始摆脱浮华的设备市 场所带来的阴影。按销售收入计算，半导体材 料日本保持最大半导体材料市场的地位。然而台湾、 ROW、韩国也开始崛起成为重要的市场，材料市场的崛 起体现了器件制造业在这些地区的发展。晶圆制造材料 市场和封装材料市场双双获得增长，未来增长 将趋于缓和，但增长势头仍将保持。（半导体材料）美 国半导体产业协会(SIA)预测，2008年半导体市场收入将 接近2670亿美元，连续第五年实现增长。无独有偶，半 导体材料市场也在相同时间内 连续改写销售收入和出货量的记录。晶圆制造材料和封 装材料均获得了增长，预计今年这两部分市场收入分别 为268亿美元和199亿美元。

10、日本继续保持在半导体材料 市场中的领先地位，消耗量占总市场的 22%。2004年台湾地区超过了北美地区成为第二大半导体 材料市场。北美地区落后于ROW(RestofWorld)和韩国排名 第五。ROW包括新加坡、马来西亚、泰国等东南亚国家 和地区。许多 新的晶圆厂在这些地区投资建设，而且每个地区都具有 比北美更坚实的封装基础。芯片制造材料占半导体材料 市场的60%，其中大部分来自硅晶圆。硅晶圆和光掩膜总 和占晶圆制造材料的62%。2007年 所有晶圆制造材料，除了湿化学试剂、光掩模和溅射靶 ，都获得了强劲增长，使晶圆制造材料市场总体增长16% 。2008年晶圆制造材料市场增长相对平缓，增幅为7

11、%。 预计2009年和2010年，增 幅分别为9%和6%。半导体材料市场发生的最重大的变化 之一是封装材料市场的崛起。1998年封装材料市场占半 导体材料市场的33%，而2008年该份额预计可增至43%。 这种变化是由于球栅阵列 、芯片级封装和倒装芯片封装中越来越多地使用碾压基 底和先进聚合材料。随着产品便携性和功能性对封装提 出了更高的要求，预计这些材料将在未来几年内获得更 为强劲的增长。此外，金价大幅上涨使引线键 合部分在2007年获得36%的增长。与晶圆制造材料相似， 半导体封装材料在未来三年增速也将放缓，2009年和 2010年增幅均为5%，分别达到209亿美元和220亿美元。 除去金

12、价因素，且碾 压衬底不计入统计，实际增长率为2%至3%。四、半导体 材料战略地位20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发 明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命;20 世纪70年代初石英光导纤维材料 和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并 逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超 晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制 成功，彻底改变了光电器件的设计思想， 使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能 带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从 原子、分子或纳米尺度水平上控制、操纵和制造功能强 大的新型器件与电路，深刻地影响着世界的政 治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活 方式建华管桩怎么样? 最新建华管桩价格混凝土搅拌机型 号 最新混凝土搅拌机价格大全 版权所有，禁止转载，谢谢支持。 app开发 ty913htvv