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1、蓝宝石材料=CN98226909.9=人造蓝宝石表面内拱度磨削机床=张元胜=张元胜=1998.05.28=518034广东省深圳市商报路天健工业区8栋4楼悦目光学公司=本实用新型涉及石料或类似材料的磨削设备，尤其是进行曲面磨削的设备。它由电机和传动件带动砂轮沿着与主轴同轴的圆桶内侧既作往返直线运动又作转动；同时，圆桶内粘贴被磨削物(如人造蓝宝石表面)，使砂轮在运动时对其内拱面产生磨削。该设备对砂轮的弧度不需作严格限定，其加工精度不受砂轮弧度的限制，而由测量精度决定，可达到0.05mm；亦无需频繁更换砂轮，还可实现一次多片加工。=CN89105430.8=人造蓝宝石气体放电器件的封装端=卢义生=
2、卢义生;俞鹤庆=1989.05.09=江苏省南京市五所村310-2-710室=本发明提出的是一种气体放电器件采用人造蓝宝石管、塞、环的封装结构人造蓝宝石气体放电器件的封装端。管、塞、环系采用同一晶向(C轴)生长的人造蓝宝石材料，它可有效地提高放电器件的寿命和性能。实现人造蓝宝石气体放电器件的研究进入广泛应用的实用阶段。它可用于各系列的高压金属蒸气放电灯和普通高压钠灯和高显色性高压钠灯以及钾铷激光光泵等。=CN200510003405.1=蓝宝石基无掩膜横向外延生长高质量的族氮化物薄膜=深圳大学;=彭冬生;冯玉春;牛憨笨;王文欣=2005.12.29=518060广东省深圳市南山区南海大道233
3、6号=一种蓝宝石衬底上无掩膜横向外延生长高质量的III族氮化物薄膜的新技术，该技术采用化学腐蚀的方法腐蚀蓝宝石衬底，以形成一定图案的蓝宝石衬底1，提供横向外延基底，缓冲层2为低温GaN薄膜，3为横向外延生长的高温GaN薄膜。缓冲层2首先在没有腐蚀坑位置的蓝宝石衬底1处外延生长，形成一定的籽晶，在籽晶处外延生长的同时，改变外延生长工艺条件，使其横向外延，以使两翼在腐蚀坑处翼合，形成高质量、低位错密度的GaN薄膜3，这样就可以在GaN薄膜3上沉积高质量的III族氮化物薄膜4。这种横向外延技术不仅可以降低位错密度，而且克服了传统横向外延技术工艺复杂和晶向倾斜高的缺点。=CN95102002.1=将掺
4、杂的多晶材料转化成单晶材料=通用电气公司=柯蒂斯E斯科特;玛丽S卡利赛夫斯基;莱昂内尔M莱维森=1995.02.14=美国纽约州=将多晶陶瓷体转变成单晶体的固相方法，用能提高转化的掺杂剂掺杂多晶陶瓷材料，在选定温度下加热多晶体至足以将多晶体转变成单晶的时间。所择温度低于多晶材料的熔化温度，但高于该材料熔化温度的一半。所述掺杂剂的实例包括+3价阳离子如铬、镓和钛。多晶体还可以被不均匀地掺杂，以形成掺杂至预定掺杂剂量的第一部分多晶体和未掺杂的第二部分，以致加热掺杂多晶体会使第一部分转化成单晶结构，而第二部分仍保持多晶结构。=CN200610088287.3=铟镓氮外延薄膜及生长方法和在太阳能电池的
5、应用=南京大学=谢自力;张荣;刘斌;韩平;修向前;文博;刘成祥;赵红;郑有炓;顾书林;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群=2006.07.07=210093江苏省南京市汉口路22号=高结晶铟镓氮单晶外延膜，在蓝宝石衬底先设有GaN缓冲层，且为20200nm的低温GaN缓冲层；然后生长厚度可达到180m的高结晶的InxGa1x (0x1)材料。高结晶铟镓氮单晶外延膜的生长方法，在蓝宝石衬底上利用MOCVD系统先生长GaN缓冲层，在500700温度范围生长厚度在20200nm的低温GaN缓冲层；然后利用MOCVD生长高结晶的InxGa1xN材料；接着在GaN缓冲层上以5001050生长高质量InxGa1
6、xN材料；生长压力在0700Torr，尤其控制在300700Torr；其中0X1材料厚度1m以上。太阳能电池采用材料In0.3Ga0.7N薄膜，电极采用MSM结构。=CN99104715.X=包含透镜的手表面玻璃及该透镜的制造方法=科马杜尔公司=G德拉布雷=1999.04.01=瑞士洛科=本发明涉及一种由坚硬矿物材料特别是结晶材料例如刚玉、蓝宝石或尖晶石制成的手表面玻璃,其包含一在表玻璃材料厚度范围内成形的非圆形光学透镜(4)。该透镜是通过对最好位于表玻璃下表面(5)中的槽进行机加工和抛光形成的。它的外形可以具有入射角,以及可以例如为矩形,利用刷同时添加抛光用介质撞击槽的底面进行机加工。=CN
7、01123674.4=氮化物半导体激光器=日本电气株式会社=山口敦史;仓本大;仁道正明=2001.09.03=日本东京=本发明的课题是降低使用氮化镓系材料的半导体激光器的阈值电流密度。根据本发明,在低位错密度的n型GaN衬底21上,形成包含n型覆盖层33、和具有InxAlyGa1xyN(0x1,0y0.2)发光层的多量子阱层24的氮化镓系半导体层层叠的结构,其特征在于,每一个量子阱的阈值模式增益是12cm1以下,发光层的带隙能量的微观波动的标准偏差是75至200meV。=CN200410077378.8=一种发光二极管芯片及其制备方法=方大集团股份有限公司=李刚;潘群峰;吴启保=2004.12
8、.08=518055广东省深圳市南山区西丽镇龙井方大工业城=本发明涉及一种发光二极管芯片，包括蓝宝石衬底、在所述衬底上外延生长的N型氮化镓和P型氮化镓半导体材料，还包括在所述氮化镓半导体材料上制备的透明导电薄膜，所述透明导电薄膜包括氧化铟锡层和镍金合金层。制备所述发光二极管芯片的步骤包括：1)刻蚀部分暴露N型氮化镓；2)在P型氮化镓上先后蒸镀或溅射镍金，然后再进行合金；3)蒸镀或溅射氧化铟锡层，然后再进行合金；4)蒸镀或溅射PN电极。由于本发明的发光二极管芯片保留了传统的氧化镍金与P型氮化镓接触，可以获得较理想的欧姆接触；并且在镍金合金上加了一层较厚的氧化铟锡，有利于电流的横向传输，可以改善电
9、流分布，对于整个发光二极管还可以保持较好的透光率。=CN200610011685.5=在透明电介质材料内部制备波导光栅的方法=北京大学;=李焱;刘大勇;杨宏;龚旗煌=2006.04.14=100871北京市海淀区颐和园路5号=本发明提供一种在透明电介质材料内部制备波导光栅的方法，属于精密微光电子学器件制备技术领域和光学信息处理领域。该方法采用钛蓝宝石飞秒激光器等脉冲激光系统，通过相应的透镜将激光束聚焦到透明的电介质材料样品体内，根据波导光栅的根据对于器件性能的要求比如反射波长、反射率、透射率的需要设计波导光栅的结构和尺寸，通过控制激光束焦点在透明的电介质材料样品体内移动的方向、次数和速度，让透
10、明的电介质材料样品被激光焦点照射发生周期性地折射率改变，形成波导光栅。利用本发明只要控制激光脉冲能量、脉宽、聚焦物镜数值孔径、样品移动速度、重复扫描次数等参数，即可实现快速高精度制备波导光栅及其相关器件。=CN200510043168.1=GaN半导体材料的异质外延方法=西安电子科技大学=郝跃;李德昌=2005.09.01=710071陕西省西安市太白路2号=本发明公开了一种GaN半导体系列材料的异质外延方法。该方法是在SiC衬底(111)面和蓝宝石衬底(0001)面上，利用金属有机物化学气相淀积MOCVD工艺，首先淀积过渡层和掩膜，并按照涉及图案刻蚀掩膜，进入并暴露出缓冲层AlN作为生长种子
11、区域；然后将该种子区GaN的生长温度置于10501100的范围，压力置于40tor左右，在种子区的缓冲层AlN上成核形种子，并以金字塔式外延生长，即在种子区以纵向垂直生长为主，横向缓慢生长，当垂直生长到适当高度后，改变生长工艺参数，在线进入SiN掩膜上部覆盖的冠状生长过程，即从长成的塔顶部开始，以横向悬挂生长为主，纵向缓慢生长。本发明具有工艺简单，薄膜质量高之优点，可用于对低缺陷密度半导体薄膜材料的制备。=CN200610098234.X=新型半导体材料铟镓氮表面势垒型太阳电池及其制备方法=南京大学=江若琏;谢自力;张荣;文博;周建军;刘斌;陈敦军;郑有炓;韩平;刘成祥=2006.12.06=
12、210093江苏省南京市汉口路22号=铟镓氮表面势垒型太阳电池，选用半导体材料InxGa1xN(0x1)为光吸收区和InxGa1xN MS或MIS结构表面势垒型太阳电池，在蓝宝石衬底材料上生长20200nm厚度的低温GaN缓冲层，退火后接着外延生长10002000nm厚度的高温GaN缓冲层和2001000nm厚度的InxGa1XN光吸收层，然后在InxGa1xN上设有肖特基接触金属Ni和厚引线金属Au形成肖特基结构，以及在InxGa1xN上淀积220nm厚度的Si3N4绝缘薄膜后再设肖特基接触金属和厚引线金属形成金属半导体金属结构，并在nInGaN材料上设有Ti/Al/Ni/Au多层金属导电电极，形成MS和MIS两种结构的表面势垒InGaN太阳电池。=CN200510011901.1=光子晶体结构GaN基蓝光发光二极管结构及制作方法=中国科学院半导体研究所=许兴胜;陈弘达;马勇=2005.06.09=100083北京市海淀区清华东路甲35号=一种光子晶体结
