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1、ETCH PROCESS TRAINING,2000/8/28,WHAT IS ETCH？,什么是腐蚀？ 腐蚀就是通过一定的方法（化学药液，特气等）把光刻曝光显影后形成的图形转移到硅片上，从而形成管芯的各种结构和图形。 腐蚀课工艺分：腐蚀； 去胶； 清洗；,ETCH BASE PARAMETER,腐蚀速率（ETCH RATE）=单位时间内同种衬底损失掉的厚度； E/R=（A-B）/ETCH TIME,A,B,ETCH BASE PARAMETER,腐蚀速率的均匀性（UNIF）=在同一硅片不同位置的腐蚀速率的差异； UNIF=MAX E/R（1，5）MIN E/R（1，5）/2AVG E/R（1
2、，5） 1 5 2 3 4,ETCH BASE PARAMETER,选择比（SELECITY）=在同样腐蚀条件下，不同材料的腐蚀速率的比值。 SEL A/B= （E/R A）/（E/R B） 选择比反映腐蚀过程中对另一种材料（光刻胶或衬底）的影响。,材料A,材料B,ETCH BASE PARAMETER,形貌（PROFILE）=反映腐蚀后硅片表面的地貌特征； 负载效应=反映不同光刻图形（即PR/ETCH RATIO）对腐蚀速率，形貌等的影响。 条宽损失（CD LOSS）=腐蚀对图形条宽的影响。 CD LOSS=FINAL CDPHOTO CD,ETCH BASE PARAMETER,各向同性腐
3、蚀=腐蚀速率在纵向和横向上均一样的腐蚀；如湿法腐蚀就是各向同性腐蚀。,衬底,衬底,PR,PR,腐蚀前,腐蚀后,ETCH BASE PARAMETER,各向异性腐蚀=腐蚀速率在纵向和横向上不一样的腐蚀，一般纵向速率远大于横向速率；如大部分干法腐蚀就是各向异性腐蚀。,衬底,衬底,PR,PR,腐蚀前,腐蚀后,刻蚀设备简介（5”）,1612-干法AL刻蚀 H200-干法AL刻蚀 1611-POLY ，SiCr 刻蚀 901-SDG，POLY2，PESiN刻蚀 8111-SiO2刻蚀（栅孔，孔，PAD） CDE-PESiN，LPSiN全剥，Plasma处理 DES-干法去胶,刻蚀设备简介（5”）,T-1
4、1-SiO2腐蚀 T-14-AL-G产品湿法孔，栅孔腐蚀 T-15-Si-G产品湿法孔腐蚀 SH-AL前湿法去胶，清洗 S-13-AL后湿法去胶 S-12-AL后湿法清洗 T-16-湿法AL腐蚀,刻蚀设备简介（6”）,8330-干法AL刻蚀 P5000 METAL-干法AL刻蚀 P5000 POLY A 腔体-POLY 刻蚀 P5000 POLY B 腔体-SiN 刻蚀 P5000 POLY A 腔体-POLY 刻蚀 P5000 SiN A 腔体-POLY ，SiN刻蚀 P5000 SiN B腔体-SiN 刻蚀,刻蚀设备简介（6”）,P5000 SiN C腔体-OXIDE刻蚀 P5000 OX
5、IDE -OXIDE刻蚀 384-1.0um以上产品SiN刻蚀 384T-SPACER刻蚀 ASIQ-OXIDE刻蚀 AE2001-ISO 孔刻蚀 A1000-干法去胶,刻蚀设备简介（6”）,SCP-1#-SiN全剥 SCP-2#-AL前湿法去胶 SCP-3#-OXIDE腐蚀 SCP-4#-OXIDE腐蚀，漂洗 SCP-5#-Ti腐蚀 SST-AL后清洗,SIN ETCH PROCESS,工艺气体：SF6（6”PROCESS）；CF4/O2（5”PROCESS） 工艺参数：SIN E/R；UNIF；SIO2 LOSS；PR LOSS； PROFILE； CD LOSS； 工艺要求：SIN腐蚀干
6、净，无SIN残余 ； SIN条边缘整齐， 氧化层颜色均匀； SIN腐蚀后 条宽正常，SIO2 LOSS正常； SIN 去胶干净 ，无PR残余； 常见异常：SIN残余； 有源区图形未刻出； SIN过腐蚀，硅衬底被打毛； SIN ETCH CD异常；,SIN ETCH PROCESS,SIN ETCH PROCESS,POLY ETCH PROCESS,工艺气体：HCL,CL2,HE-O2 工艺参数：POLY E/R；UNIF；SIO2 LOSS； PROFILE；CD LOSS； 工艺要求：POLY腐蚀干净，无POLY残余 ； POLY条边缘整齐， 氧化层颜色均匀； POLY腐蚀后 条宽正常，S
7、IO2 LOSS正常； POLY 去胶干净，清洗后无POLYMER残余； 常见异常： POLY残余； POLY CD 异常；POLY条形貌异常；硅片局部区域打火；SIO2 LOSS变大；POLYMER增多或POLYMER残余；,POLY ETCH PROCESS,POLY ETCH PROCESS,AL ETCH PROCESS,工艺气体：BCL3，SICL4，CL2，N2，SF6，HBR 工艺参数：AL E/R；UNIF；SIO2 LOSS；PR LOSS； PROFILE； CD LOSS； 工艺要求：AL腐蚀干净，无RESIDUE残余，无SI渣； AL条边缘整齐，不毛糙，无明显变瘦区域；
8、 AL 条宽正常，SIO2 LOSS正常； 划片槽区域不严重打毛； AL 去胶干净，清洗后无POLYMER残余； 常见异常：AL残余；黑点多；AL条细；断AL；硅片打毛；残胶； POLYMER残余；AL CD异常；PROFILE异常等；,AL ETCH PROCESS,AL ETCH PROCESS,AL ETCH PROCESS,AL ETCH PROCESS,AL ETCH PROCESS,WINDOW ETCH PROCESS,工艺气体：CHF3/C2F6（6”PROCESS）；CHF3/O2（5”PROCESS） 工艺参数：SIO2 E/R；UNIF； PROFILE；CD LOSS；
9、 SEL POLY ；POLYMER 工艺要求： W1腐蚀到衬底，无孔不通现象； PROFILE正常； W1 CD正常； POLY/SI损失量在正常范围内； 常见异常：孔不通； 孔形貌异常； POLY/SI过腐蚀大； 孔 ETCH CD异常；,WINDOW ETCH PROCESS,WINDOW ETCH PROCESS,VIA ETCH PROCESS,工艺气体：CHF3/C2F6（6”PROCESS）；CHF3/O2（5”PROCESS） 工艺参数：SIO2 E/R；UNIF； PROFILE；CD LOSS； POLYMER 工艺要求：VIA腐蚀到AL，无通孔不通现象； PROFILE正
10、常； VIACD正常； POLYMER 去除干净； 常见异常：通孔不通； 通孔形貌异常； 介质过腐蚀大，介质厚度变薄； VIA ETCH CD异常；,VIA ETCH PROCESS,D2 20K,12K,VIA ETCH PROCESS,SPACER ETCH PROCESS,工艺气体：CHF3/C2F6 工艺参数： E/R；UNIF； PROFILE； 工艺要求：SPACER腐蚀干净，无残余； PROFILE正常； 场氧损失量正常； 常见异常： SPACER腐蚀不净； 场氧过腐蚀大，场氧厚度变薄； SIN颗粒残余；,SPACER,SPACER ETCH PROCESS,GW ETCH PR
11、OCESS,干法腐蚀：8111，CHF3/O2气体 湿法腐蚀：T-14槽，NHF4/HF药液 各向异性/同性腐蚀 工艺要求：腐蚀干净，无氧化层残余； GW侵蚀正常，无过侵蚀； GW无尖角，无局部侵蚀严重现象； 无脱胶，浮胶； 常见异常：GW 过侵蚀； GW有尖角， 局部侵蚀严重； GW图形发花，有残余； 脱胶，浮胶；,GW ETCH PROCESS,GW ETCH PROCESS,GW ETCH PROCESS,GW ETCH PROCESS,TIW ETCH PROCESS,腐蚀药液：H2O2； 腐蚀时间：35MIN； 工艺要求：图形线条清晰整齐； 图形内无残余TIW ； TIW图形边缘无残余物；. 常见异常：TIW残余； 去胶不净；,TIW ETCH PROCESS,SICR ETCH PROCESS,腐蚀气体：HBR ，CF4，O2 工艺要求：图形线条清晰整齐； 孔图形内无残余SICR； GOX LOSS在规范内； 常见异常：SICR残余； GOX LOSS过大；,SICR ETCH PROCESS,PR STRIP PROCESS,湿法去胶：H2SO4/H2O2； 干法去胶：O2； 工艺要求：去胶干净，无残余胶丝； 常见异常：胶丝残余； 硅片中心区域胶残余； 硅片局部有水迹残留（湿法）；,PR STRIP PROCESS,
