电力电子技术试题01讲义

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1、电力电子技术试题填空0000002、电子技术包括_信息电子技术_和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。 0000001、电力变换通常可分为： 交流变直流 、 直流变直流 、 直流变交流 和 交流变交流 。0000002、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_开关_状态。当器件的工作频率较高时，_开关_损耗会成为主要的损耗。 0000001、电力变换通常分为四大类，即 交流变直流 、 直流变直流 、 直流变交流 、 交流变交流 。0100004、过电压产生的原因 操作过电压 、 雷击过电压 ，可采取 RC过电压抑制电路 、 压敏电阻 等措施进行保护

2、。0100002、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR ；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管 MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是 MOSFET 和 GTR 的复合管。0100004、晶闸管对触发脉冲的要求是 触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通 、触发脉冲应有足够的幅度、触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额和 应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离 。（可作简答题）0100003、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是挑选特性参数尽量一致的器件和采用均流电抗器 。0100004、抑制过电压的方法之一是用 电容 吸收可能产生

3、过电压的能量，并用电阻将其消耗。0100001、型号为KP100-8的晶闸管表示其额定电压为 800 伏、额定有效电流为 100 安。0100003、在电力晶闸管电路中，常用的过电压保护有 避雷器 ； RC过电压抑制电路/阻容吸收 ； 硒堆 ； 压敏电阻 等几种。（写出2种即可）0100001、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有 GTR 、 GTO 、 MOSFET 、 IGBT 几种。0100003、普通晶闸管的图形符号是 ，三个电极分别是 阳极A ， 阴极K 和 门极G 晶闸管的导通条件是 晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者UAK 0且UGK0 ；关断条件是

4、使流过晶闸管的阳极电流降到维持电流以下 。0100002、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 ，绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ；0100003、绝缘栅双极型晶体管是以 电力场效应晶体管栅极 作为栅极，以 电力晶体管发射极和集电极 作为发射极与集电极复合而成。0100004、有一晶闸管的型号为KK2009，请说明KK快速晶闸管； 200表示表示额定电流200A，9表示额定电压900V。0100004、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V，流过晶闸管的电流有效值为15A，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为（1.52）1.414220；晶

5、闸管的额定电流可选为（1.52）15/1.57。0100003、常用的过电流保护措施有电子电路 、快速熔断器 、直流快速熔断器 、 过电流继电器 。（写出2种即可）0100003、给晶闸管阳极加上一定的 正向 电压；在门极加上 正向门极 电压，并形成足够的 门极触发 电流，晶闸管才能导通。0100002、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于 擎住 电流之前，如去掉 触发 脉冲，晶闸管又会关断。0100002、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR ；可关断晶闸管 GTO ；功率场效应晶体管 MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管 IGBT ；IGBT是 MOSFET 和 GTR 的

6、复合管。0100003、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是首要措施是挑选特性参数尽量一致的器件、采用均流电抗器 。0100003、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流IT等于 1.57 倍IT（AV），如果IT（AV）=100安培，则它允许的有效电流为 157 安培。通常在选择晶闸管时还要留出 1.52 倍的裕量。0100001、晶闸管的维持电流IH是指在40度以下温度条件下，门极断开时，晶闸管从较大通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小 阳极 电流。0100001、普通晶闸管内部有 PN结,，外部有三个电极，分别是 极 极和 极。1、两个、阳极A、阴极K、门极G。

7、0100001、晶闸管在其阳极与阴极之间加上 电压的同时，门极上加上 电压，晶闸管就导通。2、正向、触发。0100001、晶闸管的工作状态有正向 状态，正向 状态和反向 状态。3、阻断、导通、阻断。0100002、某半导体器件的型号为KP507的，其中KP表示该器件的名称为 ，50表示 ，7表示 。4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压700V。0100001、只有当阳极电流小于 电流时，晶闸管才会由导通转为截止。5、维持电流。0100003、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止 损坏晶闸管的。15、（关断）过电压。0100002、GTO的全称是 ，图形符号为 ；GTR的全称是 ，图形符号为

8、 ；P-MOSFET的全称是 ，图形符号为 ；IGBT的全称是 ，图形符号为 。33、门极可关断晶闸管、大功率晶体管、功率场效应管、绝缘栅双极型晶体管。0100003、GTO的关断是靠门极加 出现门极 来实现的。33、负脉冲、反向电流。0100001、大功率晶体管简称 。34、GTR。0100003、功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是 和 。35、电流不够大、耐压不够高。0100002、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_MOSFET_，单管输出功率最大的是_GTO_，应用最为广泛的是_IGBT_。 0100003、_GTR_存在二次击穿现象，_IGBT_存

9、在擎住现象。 0100003、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是 均压_措施。 0100003、同一晶闸管，维持电流IH与掣住电流IL在数值大小上有IL_ 大于 _IH。 0100003、常用的过电流保护措施有电子电路 、快速熔断器 。（写出二种即可）0100001、晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有 螺栓型 与 平板型 。0100002、选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以 1.52 。0100003、晶闸管的导通条件是 晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者UAK 0且UGK0 。0100004、晶闸管的断态不重复峰值电压UDSM

10、与转折电压UBO在数值大小上应为，UDSM IH。0100003、某晶闸管的型号为KP200-5，其中200表示 额定电流为200A ，5表示 额定电压为500V 。0100004、晶闸管串联时，给每只管子并联相同的RC电路是 均压 措施。0100001、晶闸管的三个电极分别是 阳极A 、 阴极K 、 门极G 。0100002、选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大 1.52 倍，使其有一定的电压裕量。0100002、当晶闸管加上正向 阳极电压 后，门极加上适当的正向 触发电流 ，使晶闸管导通的过程，称为触发。0100003、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是 均压 措施

11、。0100003、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流为ITn等于 1.57 倍IT（AV），如果IT（AV）=100安培，则它允许的有效电流为 157 安培。通常在选择晶闸管时还要留出 1.52 倍的裕量。0200004、整流电路中变压器漏抗对电路的影响是_出现换相重叠角，整流输出电压平均值降低_ 、_整流电路的工作状态增多_、_使电网电压出现缺口，称为干扰源_。0200001、晶闸管一旦导通后流过其中的电流大小由_负载_决定。0200004、防止单相桥式半控整流电路失控的最有效方法是 给负载并联续流二极管 。0200004、单相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围 0180或180

12、 ；三相半波可控整流电路电阻性负载时，电路的移相范围 0150或150 ；三相全控桥电阻性负载时，电路的移相范围 0120或120 。0200004、锯齿波同步的晶闸管触发电路由 同步环节 、 锯齿波形成环节 、 脉冲形成与脉冲移相 及其它环节成。 0200002、晶闸管每周期导通的电度角称晶闸管的 导通角 。0200003、电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFM等于 （设U2为相电压有效值）。0200004、三相桥式全控整流电路，电阻性负载，当控制角 /2，同时|Ed| |Ud|。0200003、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时

13、导通，对应的电角度称为 换相重叠角 。0200003、在三相全控桥中，接在同一相的两个晶闸管触发脉冲的相位应相差 180。0200004、在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角 30 时，电流连续。0200002、把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为 触发角 。0200004、触发脉冲可采取 宽脉冲 触发与 双窄脉冲 触发两种方法，目前采用较多的是 双窄脉冲 触发方法。0200002、 三相半波 可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。0200003、在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角 大于30度 时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二级管。0200004、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，如与不考虑漏坑的相比，则使输出电压平均值 降低 。0200002、有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回 电网 的逆变电路。0200002、有源逆变产生的条件之一是：变流电路输出的直流平均电压Ud的极性必须保证与直流电源电势Ed的极性成 反向 相连，且满足|Ud|