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1、选择题1.在 p 型半导体中，多数载流子是（ B ） 。A 自由电子 B 空穴 C 正离子 D 负离子2.在本证半导体中掺入微量三价元素，形成的杂质半导体其多数（ D ） 。A 正离子 B 负离子 C 自由电子 D 空穴3.N 型半导体又称为（ A ）型半导体。P 型半导体又称为（ ）型半导体。A 电子，空穴 B 电子，电子C 空穴，电子 D 空穴，空穴4.PN 结中空穴扩散运动的方向是（ A ） 。A 从 P 区到 N 区 B 从 N 区到 P 区C 从正到负 D 从负到正5.PN 结外加正向电压时，空间电核区（ A ） 。A 变窄 B 变宽 C 不变 D 为零6.外加（ C ）电压时 P
2、区接电源正极， N 极接电源负极，则空间电荷区变（ ） 。A 反向，窄 B 反向，宽 C 正向，窄 D 正向，宽7.N 型半导体是在本征半导体中加入（ D ）物质后形成的。A 电子 B 空穴 C 三价元素 D 五价元素8.PN 结外加反向电压时，空间电荷区（ B ） 。A 变窄 B 变宽 C 不变 D 为零9.二极管的正向电阻（ B ） 。A 大 B 小 C 零 D 无穷10.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ A ） 。A 温度 B 掺杂工艺 C 杂质浓度 D 晶体缺陷11.P 型半导体是在本征半导体中加入（ D ） 。A 空穴 B 电子 C 五价元素 D 三价元素12.PN 结上
3、反向电压外电场与内电场方向（ B ） ，内电场（ ） 。A 相反，加强 B 一致，加强 C 相反，减弱D 一致，减弱13.稳压管是（ C ） 。A 普通二极管 B 三极管 C 特征二极管 D 场效应管14.在本征半导体中掺入微量五价元素，形成的杂质半导体，其多数载流子是（ D ）A 负离子 B 空穴 C 正离子 D 自由电子15.杂质半导体中，少数载流子的浓度（ A ） 。A 与掺杂的浓度和温度有关B 只与掺杂浓度有关C 只与温度有关D 与掺杂浓度和温度均无关16 在 N 型半导体中，多数载流子是（ B ） 。A 空穴 B 自由电子 C 负离子 D 正离子17.二极管的反向电阻（ A ） 。A
4、 大 B 小 C 0 D 无穷18.稳压管的工作状态是（ C ） 。A 正向导通 B 反向截止C 反向击穿 D 正向击穿19.二极管的单向导电性是（ A ） 。A 正向电阻小，反向电阻大B 正向电阻小，反向电阻为 0C 正向电阻大，反向电阻小D 正向电阻为 0，反向电阻为 020.二极管的反向电流受（ A ）的影响较大。A 温度 B 正向电流 C 正向电压 D 反向电压21.在 P 型半导体中，多数载流子为空穴，P 型半导体带电情况是（ A ）A 成电中性 B 带正电C 带负电 D 不确定22.两只稳压管分别为 6v 和 9v.稳压值，顺向串联后可得到（ B ）A3v 稳压值 B3v，15v 两种稳压值C15v 稳压值 D6v 和 9v 之间任意值23.PN 结承受外加正向电压，处于（ B ）工作状态。A 截止 B 导通 C 带正电 D 带负电24.PN 结中自由电子的扩散方向是（ B ） 。A 从 P 到 N 区 B 从 N 区到 P 区C 取决于外加电压方向 D 随机的25.稳压管工作在伏安特性的（ D ）A 死区 B 正向导通区 C 反向截止区 D 反向击穿区26.当温度升高后，二极管的正向电压（ B ）A 增大 B 减小 C 不变 D 不定
