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1、习题三答案一、填空题：1、分立元件、集成电路2、1、03、1、04、单向导电、正向、导通、接通、截止、断开5、反向恢复时间6、0.3V、0.6V7、饱和、截止8、开启延迟、ton、关闭延迟、toff、9、电压、源极S、漏极D、栅极G。10单极11、增强、耗尽、12、与、或、非、13、反门、反相器14、高电平、低电平、高阻状态。15、318、4.5二、选择题：1、A2、B3、A4、A5、B6B 7 A 8B9B10C三、计算与思考题：1理想开关的静态开关特性：开关闭合时，它两端电压为零，闭合所呈现电阻也为零；开关断开时，流过开关的电流为零，电阻为无穷大。理想化开关动态特性应是开关状态的转换能在瞬
2、间完成。即：静态特性：断开时，其等效电阻ROFF，通过其中的电流IOFF0；闭合时，其等效电阻RON0，其两端电压UD0；动态特性：开通时间ton0，即开关由断开状态转换到闭合状态不需要时间，可以瞬间完成；关断时间toff0，即开关由闭合状态转换到断开状态不需要时间，可以瞬间完成。2（1）最大平均电流最大平均电流是指管子长期使用时允许通过的最大正向平均电流。使用时注意二极管的电流不能大于这个数值，否则二极管过热而损坏。（2）最高反向工作电压最高反向工作电压是指二极管反向工作电压的最大允许值。一般手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半，以确保管子安全工作。（3）反向饱和电流反向饱和电流指
3、最大反向工作电压下的反向电流值。反向饱和电流越小，单向导电性越好。（4）反向恢复时间反向恢复时间在一定负载条件下，二极管从正向电流变化到定值的晾反向电流时所需要的时间。3(1)IBICS/这是饱和条件；(2)发射结和集电结都处于正向偏置；(3)ICSUCC/RC；(4)UCES04(1)延迟时间td从输入信号正跳变开始，到ic上升为0.1Ics。所需要的时间。(2)上升时间tr指ic从0.1Ics上升到0.9Ics所需要的时间。(3)存储延迟时间ts指从信号负跳变开始，到ic下降到0.9Ics所需要的时间。(4)下降延迟时间tf5（1）饱和压降(UBES，UCES)UBES：指三极管饱和时，基
4、极发射极间压降。| UBES |一般变化很小，硅管在0.70.8V，锗管在0.2V04V。UCES：指三极管饱和时，集极发射极间的压降。硅管UCES在0.10.3V，锗管| UCES |在0.050.1V。（2）开启延迟时间(ton)三极管由截止转到饱和所需的时间。（3）关闭延迟时间(toff)三极管由饱和转到截止所需的时间。6（1）CMOS集成电路的工作电压一般在318V，但当应用电路中有门电路的模拟应用（如脉冲振荡、线性放大）时，最低电压则不应低于45V。由于CMOS集成电路工作电压宽，故使用不稳压的电源电路CMOS集成电路也可以正常工作，但是工作在不同电源电压的器件，其输出阻抗、工作速度和功耗是不相同的，在使用中一定要注意。 （2）CMOS集成电路的电源电压必须在规定范围内，不能超压，也不能反接。因为在制造过程中，自然形成许多寄生二极管，在正常电压下，这些二极管皆处于反偏，对逻辑功能无影响，但是由于这些寄生二极管的存在，一旦电源电压过高或电压极性接反，就会使电路产生损坏。
