《eos的解译》由会员分享，可在线阅读，更多相关《eos的解译（6页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、EOS为ElectricalOverStress的缩写，指所有的过度电性应力。当外界电流或电压超过器件的最大规范条件时，器件性能会减弱甚至损坏。EOS通常产生于：1.电源(AC/DC)干扰、电源噪声和过电压。2.由于测试程序切换（热切换）导致的瞬变电流/峰值/低频干扰。其过程持续时间可能是几微秒到几秒（也可能是几纳秒），很短的EOS脉冲导致的损坏与ESD损坏相似。3.闪电。4.测试程序开关引起的瞬态/毛刺/短时脉冲波形干扰。6RS*d5|*B/5.测试设计欠佳，例如，在器件尚未加电或已超过其操作上限的情况下给器件发送测试信号。再比如在对器件供电之前加入测试信号，或超过最大操作条件。6.来自其它
2、设备的脉冲信号干扰，即从其它装置发送的脉冲。7.不恰当的工作步骤，工作流程不甚合理8.接地点反跳（由于接地点不够导致电流快速转换引起高电压）二、什么是ESD？ESD是英文ElectricalStaticDischarge的缩小，中文释为静电放电。电荷从一个物体转移到另一个物体。静电是一种客观的自然现象，产生的方式多种，如接触、摩擦等。静电的特点是高电压、低电量、小电流和作用时间短的特点。人体自身的动作或与其它物体的接触，分离，摩擦或感应等因素，可以产生几千伏甚至上万伏的静电。静电在多个领域造成严重危害。摩擦起电和人体静电是电子工业中的两大危害。生产过程中静电防护的主要措施为静电泄露、耗散、中和
3、、增湿，屏蔽与接地。人体静电防护系统主要有防静电手腕带，脚腕带，工作服、鞋袜、帽、手套或指套等组成，具有静电泄露，中和与屏蔽等功能。静电防护工作是一项长期的系统工程，任何环节的失误或疏漏，都将导致静电防护工作的失败。三、对比区别EOS典型地,由电源和测试设备产生事件持续时间在微秒秒级.(也可能是毫微秒)损坏的现象包括金属线熔化、发热、高功率、闩锁效应短的EOS脉冲损坏看起来像ESD损坏ESDESD属于EOS的特例，有限的能量,由静电荷引起事件持续时间在微微秒毫微秒级其可见性不强损坏位置不易发现，通常导致晶体管级别的损坏。四、静电防护1.设定静电区域说明:在生产现场设定静电敏感区域，并且要做明显
4、警示，使到现场的每个人都能注意。2、静电区域内注意事项a.操作者应该佩戴防静电腕带，应该穿着防静电服装，鞋，围巾，椅子应该套防静电套。（一端与人体接触，另一端与地线相连）b.有可能放置的区域内要贴防静电桌布，并且要联结防静电接地扣。c.静电区域内所有的物品静电不能超过100V静电区域内的容器应该用防静电材料的，若静电区域内的物品的静电电压超过100V时，这是应该采用去离子风机消除物体表面静电。注：不可在防静电区域内放置与生产活动无关的物品。3.环境湿度要以50%60%左右。浪涌浪涌顾名思义就是瞬间出现超出稳定值的峰值，它包括浪涌电压和浪涌电流。浪涌电压是指的超出正常工作电压的瞬间过电压。本质上
5、讲，浪涌是发生在仅仅几百万分之一秒时间内的一种剧烈脉冲。可能引起浪涌的原因有：重型设备、短路、电源切换或大型发动机。而含有浪涌阻绝装置的产品可以有效地吸收突发的巨大能量，以保护连接设备免于受损。浪涌电流是指电源接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。在电子设计中，浪涌主要指的是电源(只是主要指电源)刚开通的那一瞬息产生的强力脉冲,由于电路本身的非线性有可能高于电源本身的脉冲;或者由于电源或电路中其它部分受到本身或外来尖脉冲干扰叫做浪涌.它很可能使电路在浪涌的一瞬间烧坏,如PN结电容击穿,电阻烧断等等。而浪涌保护就是利用非线性元器件对高频(浪涌)的敏感设计的保护
6、电路,简单而常用的是并联大小电容和串联电感.导读：EOS也是公认的IC器件的头号杀手。EOS的发生情况复杂，神出鬼没，寻求一个完美的解决方案至今困扰着学术界和工业界。此文旨在分析EOS的成因，特点，破坏力，以及对于芯片厂商和系统设计人员的启示。EOS英文全称ElectricalOverStress，是对所有的过度电性应力的总称。当EOS超过其最大指定极限后，器件功能会减弱或损坏，同时EOS也是公认的IC器件的头号杀手。由于它可能发生在产品的研发、测试乃至生产、存储、运输的各个环节，所以对厂商的电路设计，测试规范，生产流程以及物流中防护都有严格具体的要求，每年耗费整个半导体行业数十亿美金的资金。
7、更可恨的是，EOS的发生情况复杂，神出鬼没，寻求一个完美的解决方案至今困扰着学术界和工业界。此文旨在分析EOS的成因，特点，破坏力，以及对于芯片厂商和系统设计人员的启示。EOS是一个非常广的概念，物理上可以看成是一种较长时间的低电压，大电流的能量脉冲（通常电压500V，电流小于10A，纳秒发生时间），可以认定是EOS的一种特例。Figure.1 EOS Versus ESDTable.1EOS与ESD对比EOS成因很多，主要会出现在上下电瞬态过程，电流倒灌以及过度的电压电流驱动（常说的过载）。通常造成的破坏都是由于器件过热，损坏有三种类型。Figure.2PN节击穿Figure.3金属层熔断F
8、igure.4金属打线熔断鉴于EOS的成因和特点，成熟的系统厂商通常采用如下的防护方式。建立和规范工作流程，进行常规的交流电源线监控。电源确保交流电源配备了瞬态电流抑制器（滤波器）电源过压保护交流电源稳压器（可选）。电源时序控制器，可调整时序不共用滤波器和稳压器工作流程将正确流程存档。确保针对以下内容进行培训并给出警示标志电源开/关顺序不可“热插拔”正确的插入方向定期检查以确保遵守相关规定维护定期进行预防性维护。确保接头良好紧固，以防止其带来间歇性故障。电路板或元件测试确保不进行热切换。进行测试时使用存储范围捕获信号或电源的瞬态电流。确保不出现峰值/低频干扰。确保正确设置测试参数（不会过压）。确保测试硬件中使用了正确的保险丝。Figure.5 DIO2113 EOS Protection Demonstration
