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1、第二章 运算放大器2.1 集成电路运算放大器2.1.1 答；通常由输入级，中间级，输出级单元组成，输入级由差分式放大电路组成，可以提高整个电路的性能。中间级由一级或多级放大电路组成，主要是可 以提高电压增益。输出级电压增益为 1，可以为负载提供一定的功率。2.1.2 答：集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成，线性区的直线的斜率即 Vvo 很大，直线几乎成垂直直线。非线性区由两条水平线组成，此时的 Vo 达到极值，等于 V+或者 V-。理想情况下输出电压+Vom=V+,-Vom=V-。2.1.3 答：集成运算放大器的输入电阻 r 约为 106 欧姆，输出电阻 r 约为 100 欧姆，开环
2、电压增益 Avo 约为 106欧姆。2.2 理想运算放大器2.2.1 答：将集成运放的参数理想化的条件是：1.输入电阻很高，接近无穷大。2.输出电阻很小，接近零。3.运放的开环电压增益很大。2.2.2 答：近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书 P27。2.3 基本线性运放电路2.3.1 答:1.同相放大电路中，输出通过负反馈的作用，是使 Vn 自动的跟从 Vp，使 VpVn，或 Vid=Vp-Vn0 的现象称为虚短。2.由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象，而运放的输入电阻的阻值又很高，因而流经两输入端之间 Ip=In0,这种现象称为虚断。3.输入电压 Vi 通过 R1 作用于运放的反相
3、端，R2 跨接在运放的输出端和反相端之间，同相端接地。由虚短的概念可知，VnVp=0,因而反相输入端的电 位接近于地电位，称为虚地。4、虚短和虚地概念的不同：虚短是由于负反馈的作用而使 VpVn,但是这两个值不一定趋向于零，而虚地 Vp,Vn 接近是零。2.3.2 答：由于净输入电压 Vid=Vi-Vf=Vp-Vm,由于是正相端输入，所以 Vo 为正值，Vo 等于 R1 和 R2 的电压之和，所以有了负反馈电阻 后，Vn 增大了，Vp 不变，所以 Vid 变小了，Vo 变小了，电压增益 Av=Vo/Vi 变小了。由上述电路的负反馈作用，可知 VpVn,也即虚短。由于虚地是由于一端接地，而且存在
4、负反馈，所以才有VpVn=0.2.3.3 答：同相放大电路：1.存在虚短和虚断现象。 2.增益 Av=Vo/Vi=1+R2/R1,电压增益总是大于 1，至少等于1。 3.输入电 阻接近无穷大，出电阻接近于零。反相放大电路：1.存在虚地现象。 2.电压增益 Av=Vo/Vi=-R2/R1,即输出电压与输入电压反相。 3.输入电阻 Ri=Vi /I1=R1.输出电压趋向无穷大。电路的不同：1.参考 P28 和 P32 的两个图。 2.根据上述各自的特征即可得出它们的区别。2.3.4 参考书本图下面的分析和上述的特点区别。2.3.5 答：电路的电压增益约为 1，在电路中常作为阻抗变化器或缓冲器。2.
5、4 同相输入和反反相输入放大电路的其他应用2.4.1 各个图参考 P34-P41,各个电路的输出电压和输入电压的关系参考图下的分析。2.4.2 成炜：最后一道题不会做，你们房间把它算下吧。谢了！(*_*) 嘻嘻第三章 二极管3.2.1 答：空间电荷区是由施主离子，受主离子构成的。因为在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说耗尽了，因此有称耗尽区。扩散使空 间电荷区加宽，电场加强，对多数载流子扩散的阻力增大，但使少数载流子的漂移增强；而漂移使空间电荷区变窄，电场减弱，又使扩散容易进行，故空间电荷区也 称为势垒区。3.2.2 答：使 PN 结外加电压 VF 的正端接 P 区，负端接
6、N 区，外加电场与 PN 结内电场方向相反，此时 PN 出于正向偏置。3.2.3 答：增加。因为在外加反向电压产生的电场作用下，P 区中的空穴和 N 区中的电子都将进一步离开 PN 结，使耗尽区厚度增加。3.2.4 答：只有在外加电压是才能显示出来。3.2.5 答：P67 页。3.3.1 答：P71 页3.3.23.3.4 答：P71 页3.3.5 答：P71 页3.4.1 答：P73 页3.4.2 答：P74，76 页3.4.3 答：P83 页第四章4.1.1 不可以，因为 BJT 有集电区、基区和发射区。4.1.2 不行。内部结构不同。4.1.3 必须保证发射结正偏，集电结反偏。 反偏，都
7、正偏。4.1.4 发射区向基区扩散载流子，形成发射极电流 IE。 IE=IEN+IEP,IC=ICN+ICBO4.1.5（p106)第一问没有找到；BJT 输入电流 Ic（或 IE）正比于输入电流 IE(或 Ib)。如果能控制输入电流，就能控制输出电流，所以常将 BJT 成称为电流控制器 件。4.1.6 (VCE=常熟) a=D IC / D IE(VCB=常熟)4.1.8 IC,IE,VCE4.1.9 IC,IE b 上升4.2.1 微弱电信号放大，信号源，外加直流电源 VCC4.2.2 （p119）4.2.3 （p117）4.2.4 不能 IC, a 上升4.3.1 P1204.3.2 P
8、1234.3.3 改变 Vcc 的极性（自己判断是否正确） ；截止失真4.3.4 输入信号电压幅值比较小的条件下，P1284.3.5 找不到，个人理解：放大电路工作可看成是静态工作电路（即直流电路）和交流通路的叠加，所以看成是先将直流通路短路处理，作为交流的地电位。4.3.6 P130 公式(4.3.7B) P111 公式（4.1.11A） 不是4.3.7 P126 P1324.4.1 电源电压的波动，元件参数的分散姓及元件的老化，环境温度4.4.2 基极分压式射极偏置电路（理由见 P135） ，含有双电源的射极偏置电路，含有恒流的射极偏置电路（理由见 P139）4.4.3 不能（答案不确定）
9、4.4.4 不能， Ce 对静态工作点没有影响，对动态工作情况会产生影响，即对电阻 Re 上的电流信号电压有旁路作用4.5.1 有共射，共基和共集；判断方法 P147，4.5.34.5.2 P147，4.5.3 的 24.5.3 P141 的 4.5.1 的 2.动态分析4.5.4 可以，根据式(4.4.1）-（4.4.4） ，可见静态电流 Icq 只与直流电压及电阻 Re 有关，以此温度变化时，Icq 基本不变。4.7.1 书上 155 页第一段，这主要是由 BJT 的极间电容、耦合电容和旁路电容的开路和短路引起。4.7.2 频带宽度 BW 是等于上限截止频率减去下限截止频率，数学表达式是：
10、BW=f（H）-f（L）4.7.3 低频时，1/wc 不可忽略，所以射极旁路电容是低频响应的主要影响因素。高频是不会4.7.4 直接耦合可以把原信号不作改变地放大，所以可以改善低频响应；共基极放大电路中不存在密勒电容效应，所以共基极放大电路具有比较好的高频响应特性。4.7.54.7.6 书上 176第五章5.1.1 答：二氧化硅是绝缘体5.1.2 答：P2375.1.3 答：P2375.1.4 答：P2075.2.1 答：P226 JFET 不能 BJT 不能 P205 耗尽型 MOSFET 可以 答案在 P205 画波浪线处5.3.4 答：P237 a 图为 BJT5.3.5 答：P237第
11、六章6.1.1 257 页第 1 段 5 行起6.1.2 图 6.1.1 ，6.1.2 ，6.1.3 微电流源 微电流源6.1.3 259 页最后一段6.2.1 263 页6.2.2 100 微安， 0， 100 微伏 ，1000 微伏6.2.3 Vo=AvdVid+AvcVic 得出6.2.4 温度 6.2.5 264 页最后两；， ro 越大，即电流源 Io 越接近理想情况，Avc1 越小，说明他抑制共模信号的能力越强；ro 差模短路，共模 2ro6.2.6 Kcmr=|Avd/Avc|,268 页第一段， 6.2.7 266 页波浪线6.2.8 课件 33 、34 页6.2.9 275
12、页中间段 ；276 第一段 ；10 的 9 次方 ；10 的 5 到 6 次方6.3.1 （P277）(1) 当 vi1-vi2=vid=0 时，vo1=vo2=Vcc-（Io/2）Rc，电路处于静态工作状态， 。（2）Vid 在 0VT 范围内，vo1、vo2 与 vid 间呈线性关系，放大电路工作在放大区。（3）vid 在 VT4VT 间和- VT 4VT 间，vo1、vo2 与 vid 间呈非线性。电路工作在非线性区。（4）vid +VT，曲线趋于平坦。Vid 的范围书上没说，只说了差分放大电路呈现良好的限幅特性，即范围很大。6.3.2 等于差分放大电路的差模电压增益 Avd1=-1/2
13、gmRc，Avd2=1/2gmRc6.4.1 由源极耦合差分放大输入级，输入级偏置电流源，共源放大输出级构成。作用：输入级：输入级差分放大输入信号。电流源：为差分放大输入级提供直流偏置。输出级：放大输出信号6.4.2 由输入级，偏置电路，中间级，输出级组成。电流源作用：1)主偏置电路中的 T11 和 T10 组成微电流源电路，由 Ic10 供给输入级中 T3,T4 的偏置电流。2）T8 和T9 组成镜像电流源，供给输入级 T1,T2 的工作电流。3）T12 和 T13 构成双端输出的镜像电流源，一路供给中间级的偏置电流和作为它的有源负载，另一路供给输出级的偏置电流。6.4.3 输入级，电压放大
14、级和输出级电路的基本形式分别是：差分式放大电路，共集电极电路和共射集放大电路，互补对称电路。保护电路有:T15,T21,T22,T23,T24B6.5.1 答：在室温（25C）及标准电源电压下，输入电压为零时，为了使集成运放的输出电压为零，在输入端加的补偿电压叫做失调电压 Vio，其大小反 映了运放制造中电路的对称程度和电位配合情况，其值愈大说明电路的对称程度愈差。输入偏置电流是指集成运放两个输入端静态电流的平均值，从使用角度来看， 偏置电流愈小由于信号源内阻变化引起的输出电压变化也愈小，故它是重要的技术指标。输入失调电流是指 Iio 是指当输入电压为零时流入放大器两输入端的静态 基极电流之差
15、，Iio 愈小愈好，它反映了输入级差分对管的不对称程度。6.5.2 答：要求输入失调电压和输入失调电流都比较小，可采用调零电位器的方法减小输出端的误差电压。不能用外接人工调零电路的方法完全抵消。6.5.3(1) LM741 等一般运放（2）高输入电阻的运放（3）输入失调电压 Vio 小的运放 （4）失调电压电流小的运放6.5.4 转换速率的大小与许多因素有关，主要与运放所加的补偿电容、运放本身各级 BJT 的级间电容、以及放大电路提供的充电电流等因素有关，通常要求运 放的 SR 大于信号变化斜率的绝对值。6.5.5 Vom=Sr/(2BWp)=7.96 V6.5.6 见表 6.5.1（书本 2
16、91 页）6.6.1 电路是由 vy 控制电流源 T3T4 的电流 iEE，iEE 的变化导致 BJT T1 和 T2 的跨导 gm 变化，因此该电路称为变跨导式模拟乘法器。 （结合图，书本 296）6.6.2 电压开平方运算电路 V2/R+Vi/R=0 或 V2=-Vi Vo 是-Vi 的平方根，输入电压 Vi 必为负值 加一反相器6.6.3 乘方运算电路、除法运算电路、开平方电路、压控放大器、调制和解调6.7.1 噪声的种类及含义：P303 开始到 P305 低噪声放大电路的设计；参照 P306 减小噪声的措施JFET 的噪声最小6.7.2 50HZ 和 100HZ 色干扰电压的出现与解决：参照 P307 由直流电源电压波动引起的干扰和抑制6.7.3 地线接法
