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模拟电子技术复习试题填空选择Tag内容描述：
1、精选优质文档倾情为你奉上填空题1在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 0.1V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V。2二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。3。
2、填空题 1在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。 3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。 4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用。
3、精品word学习资料 可编辑资料 填空题1， 在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V , 导通后在较大电流下的正向压 降约为 0.7V .错二极管的门槛电压约为 0.1V ,导通后在较大电流下的正向 压降约为一 0.2V .2， 二极管。
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9、填空题 1在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 .。
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11、填空题1在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流。
12、填空题1在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流。
13、填空题 1在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。 2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。
14、 填空题1在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 0.1V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V。2二极管的正向电阻 小；反向电阻大。3二极管的最主要特性是 单向导。
15、.填空题1在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 0.1V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V。2二极管的正向电阻 小；反向电阻大。3二极管的最主要特性是 单向导。
