模拟电子技术基础期末试题 填空选择复习题

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1、填空题1在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为 模拟 电子技术。6、P

2、N结反向偏置时，PN结的内电场 增强 。PN具有 具有单向导电 特性。7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏；其门坎电压Vth约为 0.5 伏。8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。9、P型半导体的多子为 空穴 、N型半导体的多子为 自由电子 、本征半导体的载流子为 电子空穴对 。10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为 空穴（P） 半导体和 电子（N） 半导体两大类。11、二极管的最主要特性是 单向导电性 ，它的两个主要参数是反映正向特性的 最大整流电流 和反映反向特性的 反向击穿电压 。12、在常温下，硅二极管的开启电

3、压约为 0.5 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7 V。15、N型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴 。16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为 甲类 、 乙类 、 甲乙类 三种基本类型。17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是 耦合和旁路 电容，影响高频信号放大的是 结 电容。18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的增加，则IBQ 增大 ，ICQ 增大 ，UCEQ 减小 。19、三极管的三个工作区域是 截止 ， 饱和 ， 放大 。集成运算放大器是一种采用 直接 耦合方式的放大电路。20、某放大电路

4、中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V， Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是 硅管 管（材料）， NPN 型的三极管，该管的集电极是a、b、c中的 C 。22、 三极管实现放大作用的外部条件是： 发射结正偏、集电结反偏 。某放大电路中的三极管，测得管脚电压Va = -1V，Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这是 硅 管（硅、锗）， NPN 型，集电极管脚是 a 。23、三种不同耦合方式的放大电路分别为： 阻容（RC）耦合 、 直接耦合 和_变压器耦合_，其中 直接耦合 能够放大缓慢变化的信号。24、在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的

5、负载 ，而前级的输出电阻可视为后级的 信号源的内阻 。25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12k的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为 4 k 。26、为了保证三极管工作在放大区，要求：发射结 正向 偏置，集电结 反向 偏置。对于型三极管，应使VBC 0 。27、放大器级间耦合方式主要有阻容（RC）耦合、直接耦合和 变压器 耦合三大类。28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，共射 组态有电流放大作用， 共射和共集 组态有倒相作用； 共集 组态带负载能力强， 共集 组态向信号源索取的电流小， 共基 组态的频率响应好。29、三极

6、管放大电路的三种基本组态是 共集 、 共基 、 共射 。30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有 直接耦合 ， 阻容耦合 ， 变压器耦合 。31、在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察VO和VI的波形，则VO和VI的相位差为 1800 ；当为共集电极电路时，则VO和VI的相位差为 0 。32、放大器有两种不同性质的失真，分别是 饱和 失真和 截止 失真。33、晶体管工作在饱和区时，发射结 a ，集电结 a ；工作在放大区时，集电结 b ，发射结 a 。（填写a正偏，b反偏，c零偏）34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中，希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相，

7、可选用 共射 组态；希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相，可选用 共集 组态。35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻 大 ，热稳定性 好37、三极管工作在放大区时，它的发射结保持 正向 偏置，集电结保持 反向 偏置。38、场效应管有 共源 、 共栅 、 共漏 三种组态。40、场效应管从结构上分成 结型FET 和 MOSFET 两大类型，它属于 电压 控制型器件。41、场效应管属于 电压控制电流 型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是 电流控制电流 型器件。42、场效应管是 电压控制电流器件 器件，只依靠 多数载流子 导电。43、根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为 可变电阻区

8、、恒流区、 击穿区 和截止区四个区域。44、当栅源电压等于零时，增强型FET 无 导电沟道，结型FET的沟道电阻 最小 。45、FET是 电压控制 器件，BJT是 电流控制 器件。46、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为 甲类 。47、一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功放，则应选额定功耗至少应为 2W 的功率管 2 只。48、在甲类、乙类和甲乙类功率放大电路中，效率最低的电路为 甲类 ，为了消除交越失真常采用 甲乙类 电路。49、乙类功放的主要优点是 效率高 ，但出现交越失真，克服交越失真的方法是 采用甲乙类 。50、乙类互补对称功率放大电路产生特有的失真现象叫

9、 交越 失真。51、双电源互补对称功率放大电路（OCL）中VCC=8v，RL=8，电路的最大输出功率为 4W ，此时应选用最大功耗大于 0.8W 功率管。52、差动放大电路中的长尾电阻e或恒流管的作用是引人一个 共模负 反馈。53、已知某差动放大电路Ad=100、KCMR=60dB，则其AC= 0.1 。集成电路运算放大器一般由 差分输入级 、中间级、输出级、 偏置电路 四部分组成。54、差分式放大电路能放大直流和交流信号，它对 差模信号 具有放大能力，它对 共模信号 具有抑制能力。55、差动放大电路能够抑制 零漂 和 共模输入信号 。57、集成运放通常由 输入级 、中间级；输出级、 偏置级

10、四个部分组成。58、正反馈是指 反馈信号增强净输入信号 ；负反馈是指 反馈信号减弱净输入信号 。59、电流并联负反馈能稳定电路的 输出电流 ，同时使输入电阻 减小 。60、负反馈对放大电路性能的改善体现在：提高 增益的稳定性 、减小 非线性失真 、抑制 反馈环内噪声 、扩展 频带 、改变输入电阻和输出电阻。61、为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈：降低电路对信号源索取的电流： 串联负反馈 。当环境温度变化或换用不同值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定： 直流负反馈 。稳定输出电流： 电流负反馈 。62、电压串联负反馈能稳定电路的 输出电压 ，同时使输入电阻 大 。63、某负反

11、馈放大电路的开环放大倍数=100000，反馈系数0.01，则闭环放大倍数 100 。65、负反馈放大电路的四种基本类型是 电压串联 、 电压并联 、 电流串联 、 电流并联 。66、为稳定电路的输出信号，电路应采用 负 反馈。为了产生一个正弦波信号，电路应采用 正 反馈。67、理想集成运算放大器的理想化条件是Aud= 、Rid= 、KCMR= 、RO = 068、理想运算放大器的理想化条件中有Avd= 无穷 ，KCMR= 无穷 。69、电流源电路的特点是，直流等效电阻 小 ，交流等效电阻 大 。70、电流源的特点是输出电流 恒定 ，直流等效电阻 小 ，交流等效电阻 大 。71、工作在线性区的理

12、想集成运放有两条重要结论是 虚断 和 虚短 。72、理想运算放大器，Ad= 无穷大 、Ri= 无穷大 、Ro= 0 。73、在构成电压比较器时集成运放工作在开环或 正反馈 状态。78、集成运算放大器在 线性 状态和 理想工作 条件下，得出两个重要结论，它们是： 虚断 和 虚短 。79、通用型集成运算放输入级大多采用 差分放大 电路， 输出级大多采用 共集 电路。91、直流电源是将电网电压的 交流电 转换成 直流电 的能量转换电路。92、三端集成稳压器7815输出电压 +15 V，7905输出电压 -5 V。93、直流电源一般由下列四部分组成，他们分别为：电源变压器、滤波电路、 稳压 电路和 整

13、流 电路。稳压集成电路W7810输出电压 +10 V。94、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路；半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 0.45 倍；全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 0.9 倍。95、三端集成稳压器7915的输出电压为 -15 伏。96、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是 输出取样电压 。97、开关型直流电源比线性直流电源效率高的原因是 调整管的的状态不同 。98、小功率稳压电源一般由 电源变压器 、 整流电路 、 滤波器 、 稳压电路 等四部分构成。单项选择题1、半导体二极管加正向电压时，有（ A ）A、电流大电阻小 B、电流大电阻大C、电流小电阻小 D、电流小电阻大2、PN结正向偏置时，其内电场被（ A ）A、削弱 B、增强 C、不变 D、不确定3、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（A ）A、反向偏置击穿状态 B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态 D、正向偏置未导通状态4、在本征半导体中掺入（ A）构成P型半导体。A、3价元素B、4价元素 C、5价元素