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1、一DS1302的主要(zhyo)性能指标 （1 1）DS1302DS1302实实时时时时钟钟具具有有能能计计算算21002100年年之之前前的的秒秒、分分、时时、日日、日日期期(rq)(rq)、星星期期、月月、年年的的能能力力，还还有有闰闰年年调调整整的能力。的能力。 （2 2）内部含有）内部含有3131个字节静态个字节静态RAMRAM，可提供用户访问。，可提供用户访问。 （3 3）采采用用串串行行数数据据传传送送方方式式，使使得得管管脚脚数数量量最最少少，简简单单SPI 3SPI 3线接口。线接口。 （4 4）工作电压范围宽：）工作电压范围宽：2.02.05.5V5.5V。 （5 5）工作电
2、流：）工作电流：2.0V2.0V时，小于时，小于300nA300nA。第1页/共18页第一页，共19页。（6）时钟或RAM数据的读/写有两种传送(chun sn)方式：单字节传送(chun sn)和多字节传送(chun sn)方式。（7）采用8脚DIP封装或SOIC封装。（8）与TTL兼容，Vcc=5V。（9）可选工业级温度范围：-40C+85C。（10）具有涓流充电能力。（11）采用主电源和备份电源双电源供应。（12）备份电源可由电池或大容量电容实现。第2页/共18页第二页，共19页。二引脚功能(gngnng)DS1302的引脚图第3页/共18页第三页，共19页。其中：X1、X2：32.76
3、8KHz晶振接入引脚。GND：地。：复位引脚，低电平有效,操作(cozu)时高电平。I/O：数据输入/输出引脚，具有三态功能。SCLK：串行时钟输入引脚。Vcc1：工作电源引脚。Vcc2：备用电源引脚。第4页/共18页第四页，共19页。DS1302内部结构第5页/共18页第五页，共19页。三DS1302的寄存器及片内RAM DS1302有一个控制(kngzh)寄存器、12个日历、时钟寄存器和31个RAM。可读写（一）控制(kngzh)寄存器 控制寄存器用于存放DS1302的控制命令(mng lng)字，DS1302的RST引脚回到高电平后写入的第一个字就为控制命令(mng lng)。它用于对D
4、S1302读写过程进行控制，它的格式如下： D7D6D5D4D3D2D1D0 1RAM/CKA4A3A2A1A0R/W第6页/共18页第六页，共19页。其中：D7：固定为1D6：RAM/CK位。=1:片 内 RAM； =0:日 历 、 时 钟(shzhng)存器选择位。D5D1：地址位，用于选择进行读写的日历、时钟寄存器或片内RAM。对日历、时钟(shzhng)寄存器或片内RAM的选择见表。D0：读写选择，=0写，=1读第7页/共18页第七页，共19页。寄存器名称寄存器名称D7D6D5D4D3D2D1D01RAM/CKA4A3A2A1A0R/W秒寄存器秒寄存器10000000或或1分寄存器分寄
5、存器10000010或或1小时寄存器小时寄存器10000100或或1日寄存器日寄存器10000110或或1月寄存器月寄存器10001000或或1星期寄存器星期寄存器10001010或或1年寄存器年寄存器10001100或或1第8页/共18页第八页，共19页。寄存器名称寄存器名称D7D6D5D4D3D2D1D01RAM/CKA4A3A2A1A0R/W写保护寄存器写保护寄存器10001110或或1慢充电寄存器慢充电寄存器10010000或或1时钟突发模式时钟突发模式10111110或或1RAM011000000或或1110或或1RAM3011111100或或1RAM突发模式突发模式11111110
6、或或1第9页/共18页第九页，共19页。（二）日历、时钟(shzhng)寄存器DS1302共有12个寄存器，其中有7个与日历、时钟(shzhng)相关，存放的数据为BCD码形式。日历、时钟(shzhng)寄存器的格式如表。寄存器名称寄存器名称取值范围取值范围D7D7D6D6D5D5D4D4D3D3 D2D2 D1D1 D0D0秒寄存器秒寄存器00005959CHCH秒的十位秒的十位秒的个位秒的个位分寄存器分寄存器000059590 0分的十位分的十位分的个位分的个位小时寄存器小时寄存器01011212或或00002312/2412/240 0A/PA/PHRHR小时的个位小时的个位日寄存器日寄
7、存器0101310 00 0日的十位日的十位日的个位日的个位第10页/共18页第十页，共19页。寄存器名称寄存器名称取值取值范围范围D7D7D6D6D5D5D4D4D3D3D2D2D1D1D0D0月寄存器月寄存器0101120 00 00 01 1或或0 0月的个位月的个位星期寄存器星期寄存器0101070 00 00 00 0星期几星期几年寄存器年寄存器010199年的十位年的十位年的个位年的个位写保护寄存器写保护寄存器WPWP0 00 00 00 00 00 00 0慢充电寄存器慢充电寄存器TCSTCSTCSTCSTCSTCSTCSTCSDSDSDSDSRSRSRSRS时钟突发寄存器时钟突
8、发寄存器第11页/共18页第十一页，共19页。说明：（1）数据(shj)都以BCD码形式。（2）小时寄存器的D7位为12小时制/24小时制的选择位，当为1时选12小时制，当为0时选24小时制。当12小时制时，D5位为1是上午，D5位为0是下午，D4为小时的十位。当24小时制时，D5、D4位为小时的十位。（3）秒寄存器中的CH位为时钟暂停位，当为1时钟暂停，为0时钟开始启动。第12页/共18页第十二页，共19页。4）写保护寄存器中的WP为写保护位，当WP=1，写保护，当WP=0未写保护，当对日历、时钟寄存器或片内RAM进行写时WP应清零，当对日历、时钟寄存器或片内RAM进行读时WP一般置1。（5
9、）慢充电寄存器的TCS位为控制慢充电的选择，当它为1010才能(cinng)使慢充电工作。DS为二极管选择位。DS为01选择一个二极管，DS为10选择二个二极管，DS为11或00充电器被禁止，与TCS无关。RS用于选择连接在VCC2与VCC1之间的电阻，RS为00，充电器被禁止，与TCS无关，电阻选择情况见表.第13页/共18页第十三页，共19页。RSRS位位电阻器电阻器阻值阻值0000无无无无0101R1R12K2K1010R2R24K4K1111R3R38K8K第14页/共18页第十四页，共19页。（三）片内RAMDS1302片内有31个RAM单元，对片内RAM的操作有两种方式：单字节方式
10、和多字节方式。当控制命令字为C0HFDH时为单字节读写方式，命令字中的D5D1用于选择对应的RAM单元，其中奇数(jsh)为读操作，偶数为写操作。当控制命令字为FEH、FFH时为多字节操作（表中的RAM突发模式），多字节操作可一次把所有的RAM单元内容进行读写。FEH为写操作，FFH为读操作。第15页/共18页第十五页，共19页。1.置RST高电平启动输入输出过程，2.在SCLK时钟的控制下，控制命令字写入DS1302的控制寄存器，3.根据(gnj)写入的控制命令字，依次读写内部寄存器或片内RAM单元的数据，4.对于日历、时钟寄存器，根据(gnj)控制命令字，一次可以读写一个日历、时钟寄存器，
11、也可以一次读写8个字节，对所有的日历、时钟寄存器写的控制命令字为0BEH，读的控制命令字为0BFH；5.对于片内RAM单元，根据(gnj)控制命令字，一次可读写一个字节，一次也可读写31个字节。当数据读写完后，RST变为低电平结束输入输出过程。（ 四 ） DS1302的 输 入 输 出 过 程(guchng)第16页/共18页第十六页，共19页。四、DS1302与单片机的接口(ji ku)VCC2VCC2X1X1X2X2GNDGNDVCC1VCC1SCLKSCLKI/OI/ORSTRST+5V+5V80518051P1.0P1.0P1.2P1.2P1.3P1.3+5V+5V DS1302与单片
12、机的连接仅需要(xyo)3条线：时钟线SCLK、数据线I/O和复位线 RST。连接图如上图。第17页/共18页第十七页，共19页。2024/9/20泉州信息职业技术(jsh)学院第18页谢谢您的观看(gunkn)！第18页/共18页第十八页，共19页。内容(nirng)总结一DS1302的主要性能指标。（3）采用串行数据传送方式，使得管脚数量最少，简单SPI 3线接口。第1页/共18页。（6）时钟(shzhng)或RAM数据的读/写有两种传送方式：单字节传送和多字节传送方式。（11）采用主电源和备份电源双电源供应。第2页/共18页。第3页/共18页。Vcc2： 备用电源引脚。DS1302有一个控制寄存器、12个日历、时钟(shzhng)寄存器和31个RAM。它用于对DS1302读写过程进行控制，它的格式如下：第十九页，共19页。
