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射極電流擁擠效應1授課老師:鄒文正 老師學生:董冠璋學號:M99L0225Outline形成原因造成之影響改善方法參考文獻2形成原因3由於HBT垂直式結構，使基極電流橫向流入射極，基極電流橫向流入射極之過程產生電阻與電位差，使得基-射極接面的電場分布不均，而使電流由射極周圍向中心遞減，因此引起射極電流聚集在邊緣，此現象稱為射極群聚現象(Emitter crowding)。參考文獻1半導體元件物理與製程技術施敏著2 VBIC 模型應用於不同尺寸異質接面雙載子電晶體之研究 徐慧芬4END5
