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1、芯片生产工艺流程（课件）1单晶拉制（1）2单晶拉制（2）3单晶拉制（3）4单晶拉制（4）5单晶拉制（5）6环境和着装7单项工艺-扩散(1)卧式4炉管扩散/氧化炉扩散/氧化进炉实景图8单项工艺-扩散(2)立式扩散/氧化炉扩散/氧化进炉实景图9单项工艺-扩散(3)扩散工序作业现场10单项工艺-光刻(1)先进光刻曝光设备11单项工艺-光刻(2)现场用光刻曝光设备12单项工艺-光刻(3)检查用显微镜13单项工艺-光刻(4)清 洗淀积/生长隔离层匀 胶（SiO2 Si3N4 金属金属）-HMDS喷淋（增加Si的粘性） -匀光刻胶14单项工艺-光刻(5)前 烘对 版匀 胶-对每个圆片必须按要求对版-用弧光
2、灯将光刻版上的图案转 移到光刻胶上。-增加黏附作用 -促进有机溶剂挥发15单项工艺-光刻(6)显影/漂洗坚 膜腐 蚀-硬化光刻胶。 -增加与硅片的附着性。-将圆片进行显影/漂洗，不需要的的光刻胶溶解到有机溶剂。去 胶-干法腐蚀/湿法腐蚀16单项工艺-光刻(7)光刻工艺过程17单项工艺-CVD（1）18单项工艺-CVD（2）初级离子气体被吸收到硅片表面19单项工艺-CVD（3）初级离子气体在硅片表面分解20单项工艺-CVD（4）玻 璃 的 解 吸21单项工艺-CVD（5）22单相工艺-离子注入（1）23单相工艺-离子注入（2）24单相工艺-离子注入（3）25单相工艺-蒸发（1）蒸发原理示意图26
3、单相工艺-蒸发（2）溅射原理示意图27单相工艺-蒸发（3）28单相工艺-清洗29基础认知30衬底材料扩散层外延层31一次氧化32基区光刻33干氧氧化34离子注入35基区扩散36发射区光刻37发射区预淀积38发射区扩散（*）39发射区低温氧化（*）40氢气处理41N+光刻（适用于P型片）42N+淀积扩散（适用P型片）43N+低温氧化（适用P型片）44氢气处理（适用P型片）453B光刻46铝蒸发47四次光刻48氮氢合金49AL上CVD250氮气烘焙（适用N型片）251五次光刻252中测抽测2测试系统53减薄、抛光2减薄和抛光部分54蒸金/银255背金合金256芯片测试2测试系统57N型片制造（一般）工艺流程58P型片制造（一般）工艺流程59
