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1、可控硅结构和工作基本原理一种大功率半一种大功率半导体器件，出体器件，出现于于70年代。它的出年代。它的出现使半使半导体器件由弱体器件由弱电领域域扩展到展到强电领域域 。 体体积小、重量小、重量轻、无噪声、寿命、无噪声、寿命长、 容容量大（正向平均量大（正向平均电流达千安、正向耐流达千安、正向耐压达数千伏）。达数千伏）。 特点特点7 71 1 晶晶闸管管( (可控硅可控硅SCR)SCR) 应用用领域：域： 逆逆变 整流整流 （交流（交流直流）直流）斩波波（直流（直流交流）交流）变频 （交流（交流交流）交流）（直流（直流直流）直流）此外此外还可作无触点开关等可作无触点开关等7.1.7.1. 基本基
2、本结构构A（阳极）（阳极）四四 层 半半 导 体体K（阴极）（阴极）G（控制极）（控制极）P1P2N1三三 个个 PN结N2符号符号AKG20.1.2 20.1.2 工作原理工作原理GKP1P2N1N2APPNNNPAGK示意示意图APPNNNPGKi gi gig工作原理分析工作原理分析KAGT1T2工作原理工作原理说明明UAK 0 、UGK0时T1导通通ib1 = i giC1 = ig = ib2ic2 =ib2 = ig = ib1T2导通通形成正反形成正反馈晶晶闸管迅速管迅速导通；通；T1进一步一步导通通晶晶闸管开始工作管开始工作时 ，UAK加反向加反向电压，或不加触或不加触发信号（
3、即信号（即UGK = 0 ）；）；晶晶闸管管导通后，通后， UGK，去掉去掉依靠正反依靠正反馈，晶晶闸管仍管仍维持持导通状通状态；晶晶闸管截止的条件：管截止的条件：（1）（2）晶晶闸管正向管正向导通后，令其截止，必通后，令其截止，必须减小减小UAK，或加大回路，或加大回路电阻，使晶阻，使晶闸管管中中电流的正反流的正反馈效效应不能不能维持。持。1.1.晶晶闸管具有管具有单向向导电性性2.2.（正向（正向导通条件：通条件：A A、K K间加正向加正向电压，G G、K K间加触加触发信号）；信号）；2.2.晶晶闸管一旦管一旦导通，控制极失去作用通，控制极失去作用若使其关断，必若使其关断，必须降低降低
4、U UAKAK或加大回路或加大回路电阻，把阳极阻，把阳极电流减小到流减小到维持持电流以下。流以下。 结论7.1.3 7.1.3 伏安特性伏安特性UIURS MUDS MURRMIHUDRMIFIG1=0AIG2IG3IG3IG2IG1正向正向反向反向UDRM：断断态重复峰重复峰值电压。（晶。（晶闸管耐管耐压值。一般取一般取 UDRM = 80% UDSM 。普通晶。普通晶闸管管UDRM 为 100V-3000V）URRM：反向重复峰：反向重复峰值电压。（控制极断路。（控制极断路时， 可以重复作用在晶可以重复作用在晶闸管上的反向重复管上的反向重复电 压。一般取。一般取URRM = 80% URS
5、M。普通晶。普通晶 闸管管URRM为100V-3000V） ITAV：通通态平均平均电流。（流。（环境温度境温度为40OC时,在在 电阻性阻性负载、单相工相工频 正弦半波、正弦半波、导电角不小于角不小于170o的的电路中，晶路中，晶闸管允管允许的的最大通最大通态平均平均电流。普通晶流。普通晶闸管管ITAV 为1A-1000A。）。）7.1.4 7.1.4 主要参数主要参数IH：维持持电流。流。(在室温下，控制极开路、晶在室温下，控制极开路、晶闸管管 被触被触发导通后，通后，维持持导通状通状态所必所必须的最的最 小小电流。一般流。一般为几十到一百多毫安。）几十到一百多毫安。）UG、IG：控制极触：控制极触发电压和和电流。（在室温下，流。（在室温下， 阳极阳极电压为直流直流6V时，使晶，使晶闸管完全管完全导通通 所必所必须的最小控制极直流的最小控制极直流电压、电流流 。一。一 般般UG为1到到5V，IG为几十到几百毫安。）几十到几百毫安。）
