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1、高压配电室综合保护器CPU板RAM频繁烧毁分析与研究1、直流系统电压对地漂移较大n n1.1 在1#高配室直流系统检查中，使用万用表测量正、负极对地电压在20-200伏间漂动，对地电压不能恒定。n n1.2 引起直流系正、负极对地漂动的原因。n n1.2.1蓄电池如有质量问题，比如极间放电时，就有可能导致直流对地电压漂动。n n1.2.2保护装置接、通讯地与地网连结，而屏蔽地与箱体连结，如果接地系统内还存在接地不可靠，都将会引起地电位的来回漂动，也可能导致直流对地电压漂动（接地网接地电阻超标20欧姆）。n n2、直流系统对地电压漂动的严重后果n n由于直流系统正、负极对地电压漂动，恶化了保护装
2、置内部弱电系统的工作环境，影响保护装置的工作性能，地电位反复迅速的漂移，对一些工作电源比较敏感的电子元件（如RAM）产生反复冲击，将造成无法避免的破坏作用，在极端的情况下会烧毁核心芯片或关键元器件，使保护装置无法正常运行。二、结论n n1#高配室CPU板RAM烧坏的主要原因是：直流系统对地电压漂动较大，引起地电位的变化。 三、整改措施n n更换蓄电池组一套，排除因电池质量问题引起的直流系统正、负极对地电压的漂动；重新布置接地网，并于原接地网联结，接地电阻符合规范要求（4欧姆）排除接地网不可靠问题。四、效果n n整改措施实一年多来，综合保护装置CPU板RAM烧坏现象基本得到控制，直流系统电压漂动现象有了较的改善。
