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工程材料实验教学中心设计性实验设计性实验半导体材料能隙测定与计算半导体材料能隙测定与计算工程材料实验教学中心空带空带(导带导带)满带满带(价带价带)Eg本征半导体的能带结构本征半导体的能带结构T=0K，T0K，本征激发本征激发成对产生电子和空穴。成对产生电子和空穴。禁带宽度禁带宽度Eg半导体半导体重要的参量重要的参量思考：怎样测量思考：怎样测量半导体的禁带宽度半导体的禁带宽度Eg？工程材料实验教学中心方案一：利用光电导效应方案一：利用光电导效应满满 带带空 带h Eg光电导效应：光电导效应：入射光子能量h 半导体的禁带宽度Eg，就激发出电子-空穴对，使载流子浓度增加，半导体的导电性增加，阻值减低，这种现象称为光电导效应。h Eg工程材料实验教学中心方案二：利用本征载流子浓度的温度关系方案二：利用本征载流子浓度的温度关系本征载流子浓度两边取对数1/T工程材料实验教学中心方案三：利用电阻率的温度关系方案三：利用电阻率的温度关系本征载流子浓度本征载流子浓度一般测量电阻率一般测量电阻率，由1/T两边取对数两边取对数工程材料实验教学中心方案四：利用霍耳系数请大家自己查阅资料。请大家自己查阅资料。工程材料实验教学中心结果分析结果分析工程材料实验教学中心误差分析误差分析
