真空沉积技术

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1、第九章 真空沉积技术1. 物理气相沉积 1.1 真空蒸发镀膜原理及其基本过程 1.2 溅射镀膜 1.3 离子镀膜2. 化学气相沉积 2.1 化学气相沉积的一般原理 2.2 化学气相沉积技术 2.3 化学气相沉积技术的应用物理气相沉积(PVD)真真空空蒸蒸发发镀镀膜膜溅溅射射镀镀膜膜离离子子镀镀膜膜真空表面沉积技术起始于真空蒸发镀膜，其基本过程是： 在真空容器中将蒸镀材料(金属或非金属)加热，当达到适当温度后，便有大量的原子和分子离开蒸镀材料的表面进入气相。 因为容器内气压足够低，这些原子或分子几乎不经碰撞地在空间内飞散， 当到达表面温度相对低的被镀工件表面时，便凝结而形成薄膜。真空蒸发镀膜原理

2、及其基本过程真空蒸发镀膜原理及其基本过程1234569871.基片架和加热器 2. 蒸发料释出的气体3. 蒸发源 4. 挡板 5. 返流气体 6. 真空泵 7. 解吸的气体 8. 基片 9. 钟罩真真空空蒸蒸发发镀镀膜膜原原理理及及其其基基本本过过程程蒸蒸发发成成膜膜系系统统如如右右图图所示。所示。主要部分有：真真空空容容器器(提供蒸发所需的真空环境)，蒸蒸发发源源(为蒸镀材料的蒸发提供热量)，基基片片(即被镀工件，在它上面形成蒸发料沉积层)，基片架基片架(安装夹持基片)加热器加热器。蒸发成膜过程是由蒸发、蒸发材料粒子的迁移和沉蒸发成膜过程是由蒸发、蒸发材料粒子的迁移和沉积三个过程所组成。积三

3、个过程所组成。真真空空蒸蒸发发镀镀膜膜原原理理及及其其基基本本过过程程被镀材料被镀材料蒸发过程蒸发过程蒸发材料蒸发材料粒子迁移粒子迁移过程过程蒸发材料蒸发材料粒子沉积粒子沉积过程过程蒸发材料蒸发材料粒子 基片(工件) 蒸发过程蒸发过程 镀膜时，加热蒸镀材料，使材料以分子或原子的状态进入气相。 在真空的条件下，金属或非金属材料的蒸发与在大气压条件下相比要容易得多。 沸腾蒸发温度大幅度下降，熔化蒸发过程大大缩短，蒸发效率提高。以金属铝为例，在一个大气压条件下，铝要加热到2400C才能达到沸腾而大量蒸发，但在1.3mPa压强下，只要加热到847C就可以大量蒸发。 一般材料都有这种在真空下易于蒸发的特

4、性。一般材料都有这种在真空下易于蒸发的特性。 真真空空蒸蒸发发镀镀膜膜原原理理及及其其基基本本过过程程真真空空蒸蒸发发镀镀膜膜原原理理及及其其基基本本过过程程z单位时间内单位面积上蒸发出的分子数。px蒸发材料的蒸气压(Pa)。M材料的摩尔质量(g/mol)T热力学温度(K) 若用单位面积、单位时间内蒸发的质量，则有：蒸镀材料受热蒸发的速率由下式给出： 所以，影响材料蒸发速度的因素所以，影响材料蒸发速度的因素，包括： 材料的蒸汽压px， 材料的摩尔质量M， 蒸发温度T另外，还有蒸镀材料表面洁净程度。蒸发料上出现污物，蒸发速度降低。特别是氧化物，它可以在被蒸镀金属上生成不易渗透的膜皮而影响蒸发。不

5、过，如果氧化物较蒸镀材料易于蒸发(如SiO2对Si)或氧化物加热时分解，或蒸发料能穿过氧化物而迅速扩散，则氧化物膜将不会影响蒸发。真真空空蒸蒸发发镀镀膜膜原原理理及及其其基基本本过过程程 蒸发分子的迁移过程蒸发分子的迁移过程 蒸发材料分子进入气相，就在气相内自由运动，其运动的特点和真空度有密切关系。常温下空气分子的平均自由程为 在p = 1.310-1Pa时， = 5cm； p = 1.310-4Pa时， 5000cm。 在压力p = 1.310-4Pa时，虽然在每cm3 空间中还有3.21010个分子，但分子在两次碰撞之间，有约50m长的自由途径。 在通常的蒸发压强下，平均自由程较蒸发源到基

6、片的距离大得多，大部分蒸发材料分子将不与真空室内剩余气体分子相碰撞，而径直飞到基片上去，只有少数粒子在迁移途中发生碰撞而改变运动方向。真真空空蒸蒸发发镀镀膜膜原原理理及及其其基基本本过过程程 若设蒸发出的分子数为z0，在迁移途中发生碰撞的分子数为z1，蒸发源到基片的距离为 l，则发生碰撞的分子数占总蒸发分子数的比率可又下式求出：即迁移途中发生碰撞的分子数碰撞分子数与蒸发源到基片距离的关系碰撞分子数与蒸发源到基片距离的关系由上式可以算出：当蒸发源到基片的距离l = ， 则z1 = 63%z0当蒸发源到基片的距离l = 10 ，则z1 = 9 %z0即蒸发源到基片的距离愈大，发生碰撞的分子数愈少。

7、即蒸发源到基片的距离愈大，发生碰撞的分子数愈少。此式的图形见下页此式的图形见下页真真空空蒸蒸发发镀镀膜膜原原理理及及其其基基本本过过程程 迁移途中发生碰撞的分子百分数与迁移途中发生碰撞的分子百分数与 实际路程对平均自由程之比的关系实际路程对平均自由程之比的关系平均自由程必须较蒸发源到基片的距离大得多，才能在平均自由程必须较蒸发源到基片的距离大得多，才能在迁移过程中避免发生碰撞现象。迁移过程中避免发生碰撞现象。真真空空蒸蒸发发镀镀膜膜原原理理及及其其基基本本过过程程真空室内的残余气体真空室内的残余气体 对于一个具有密闭的、洁净的、设计良好的真空系统的镀膜机来说，当气压为1.310-4Pa时，除了

8、蒸发源在蒸发时释气外(如果蒸镀材料较纯，这种释气是不多的)，真空室内壁解吸的吸附气体分子是主要的气体来源。残余气体的影响：残余气体的影响： 在计算镀膜机真空系统抽气能力时，除根据真空室容积选择真空泵外，还要考虑解吸气体的影响。 污染作用。残余气体分子以一定速度在真空室内作无规则的运动，并以一定的几率与工件表面相碰撞。即使在高真空的条件下，单位时间内与基片碰撞的气体分子数也是十分可观的。残余气体分子到达基片后，一部分留在基片上，一部分飞走。 在大多数系统中，水汽是残余气体的主要组成部分。如真空度为1.310-4Pa时，残余气体中90%是水。 水水汽汽可可与与金金属属膜膜反反应应，生生成成氧氧化化

9、物物而而释释放放出出氢氢；或或与与热源热源(如钨丝如钨丝)作用，生成氢和一种氧化物。作用，生成氢和一种氧化物。真真空空蒸蒸发发镀镀膜膜原原理理及及其其基基本本过过程程 (1) 烘烘烤烤。使钟罩内壁、内部夹具、基片等器件上吸附的气体解吸出来，由真空泵排除。这对镀制要求较高的膜层是极为重要的。 (3) 提高真空度。提高真空度。把真空度提高到1.310-4Pa以上，使蒸镀材料分子到达基片的速率高于残余气体分子到达率。 (2) 对蒸发材料加热除气。对蒸发材料加热除气。即在镀膜开始前让蒸镀材料先自由蒸发一段时间(此时用挡板挡住基片，防止镀在基片上)，然后打开挡板开始蒸镀。由于室内活性气体减少，提高了膜层

10、质量。减少残余气体及水汽的影响、提高膜层的纯度的方法减少残余气体及水汽的影响、提高膜层的纯度的方法真真空空蒸蒸发发镀镀膜膜原原理理及及其其基基本本过过程程Z是蒸发速率是蒸发速率，即单位时间内、单位面积上蒸发的分子数， 称为凝结系数称为凝结系数，是指到达基片并被凝结的部分占入射原子数的 比率。与基片的洁净程度有关。洁净的基片 = 1。所以在蒸发镀膜之前，基片的清洁是十分重要的。 在通常的蒸发压强下，原子或分子从蒸发源迁移到基片的途程中并不发生碰撞，因此迁移中无能量损耗。当它们入射到接近于基片的若干原子直径范围时，便进入工件表面力的作用区域，并在工件表面沉积，形成薄膜。 蒸发材料蒸气分子到达基片的

11、数量可用下式表示： 在基片上淀积成膜过程在基片上淀积成膜过程物理气相沉积(PVD)真真空空蒸蒸发发镀镀膜膜溅溅射射镀镀膜膜离离子子镀镀膜膜溅溅射射镀镀膜膜的的原原理理及及特特点点溅射镀膜：溅射镀膜：在真空室内用正离子(通常是Ar+)轰击阴极(沉积材料做的靶)，将其原子溅射出，迁移到基片(工件)上沉积形成镀层。靶面原子靶面原子的溅射的溅射溅射原子向溅射原子向基片的迁移基片的迁移溅射原子在溅射原子在基片沉积基片沉积靶基片溅射原子正离子溅射镀膜也是由三个阶段组成。溅射镀膜也是由三个阶段组成。靶面原子的溅射靶面原子的溅射溅溅射射镀镀膜膜的的原原理理及及特特点点当高速正离子轰击作为阴极的靶材时，靶面产生

12、许多复杂的现象。Ar+ (能量100eV到10keV)入射溅溅射射镀镀膜膜的的原原理理及及特特点点溅射量溅射量S S = Q式中Q为入射的正离子数。所以，要要提提高高溅溅射射量量S，必必须须提提高高溅溅射率射率 ，或增加正离子量，或增加正离子量Q。影响溅射率影响溅射率 的的因素：因素： 元素的种类， 工作气体的离子能量。适当的离子能量，有最佳的值(右图)。 工作气体的种类。 靶的温度，温度高更有利于溅射。 工作气体离子入射的角度。101 102 103 104 105 1061021011010-110-210-310-410-5能量 (eV)XeArNeHeOH溅射产额(原子/离子)溅射产额

13、与入射离子溅射产额与入射离子 能量的关系能量的关系正离子量Q的增加，虽能增加溅射量S，但这将增加工作气体的压力，伴随带来杂质的增加，影响膜层质量。溅溅射射镀镀膜膜的的原原理理及及特特点点溅射成膜过程中的几个重要问题溅射成膜过程中的几个重要问题 沉积速率沉积速率 沉积速率与粒子从阴极逸出的速率成正比，即 z = CS = CQ式中C是表示溅射装置特性的常数。 影响z的因素，除了前面已讨论的、Q以外，为了收集最多的溅射粒子，工件应尽可能靠近作为阴极的靶面而又不影响辉光放电。 可见，要降低p0，必须增大工作气体的量Qa，相当于用Ar气冲洗真空室。为了保证要求的工作压强，必须匹配较大抽速的真空泵。 另

14、外，提高真空室的预真空度，这样Q0就小。也就是说，所配真空系统的极限真空度要高。如溅射工作压强为1.310-1Pa，预真空度应为1.310-4Pa或更高。溅溅射射镀镀膜膜的的原原理理及及特特点点 薄膜的纯度薄膜的纯度。 要提高薄膜的纯度，必须减少碰撞工件的不纯物质和杂质气体，特别与“残余气体压力/成膜速度”的比值有关。 设p0为残余气体压力，pa为工作气体Ar的压力， Q0为残余气体量， Qa为进入的Ar气量，则 p0V = Q0， paV = Qa由此得溅溅射射镀镀膜膜的的原原理理及及特特点点 沉积过程中的污染沉积过程中的污染。 这种污染来自真空室和系统内部吸附气体的解吸，因此在溅射开始前，

15、有的设备要烘烤真空室以解吸吸附的气体，由真空泵抽除。工件在装炉前要进行彻底的净化。系统设计时采取措施减少油扩散泵蒸气的返流。影响沉积薄膜质量的其它因素影响沉积薄膜质量的其它因素工作气体工作气体。溅射气体对溅射材料呈惰性，有高的溅射速度，本身纯度高，价格便宜且来源方便，通常使用Ar气。溅射电压与基片的电状态溅射电压与基片的电状态。如在3kV以下溅射钽膜，膜层表现出明显的多孔性，而电压在46kV时，成膜质量较好。工件的电状态工件的电状态(如接地、漂浮、加固定偏压如接地、漂浮、加固定偏压)。工件若有目的地加上偏压，便按所加电压的极性接受电子或离子，可改变薄膜的晶格结构。工件的温度工件的温度。影响膜层

16、的结晶状态和结合强度。溅射镀膜二二极极溅溅射射1234567891.钟罩 2. 阴极屏蔽 3. 阴极阴极 4. 阳极阳极 5. 加热器 6. 高压 7. 高压屏蔽 8. 高压线路 9. 基片基片 直流二极溅射直流二极溅射二极溅射是二极溅射是最基本最简最基本最简单的溅射装置。单的溅射装置。在右图的直流二极溅射装置中，主要部件为 靶(阴极) 工件(基片) 阳极 工作时，真空室预抽到6.510-3Pa，通入Ar 气使压强维持在1.310 1.3 Pa， 接通直流高压电源，阴极靶上的负高压在极间建立起等离子区，其中带正电的Ar离子受电场加速轰击阴极靶，溅射出靶物质， 溅射粒子以分子或原子状态沉积于工件

17、表面，形成镀膜。溅射镀膜二二极极溅溅射射在直流二极溅射的基础上，发展出多种二极溅射的形式(1) 偏压溅射偏压溅射 在基片上加接 -100 -200V的直流负偏压，在溅射过程中工件表面将受到低能量的正离子轰击，使吸附的气体解吸，提高膜的纯度。 由于负偏压的存在，对膜的生长速度有不利的影响。(2) 不对称交流溅射不对称交流溅射 其特点是应用不对称交流电源。在靶和基片之间通以50Hz的低频交流电压。当靶为负极性时，溅射出来的粒子沉积在工件上。但在另半周，工件上沉积的薄膜发生再溅射。 在电路设计时，使靶为负极性时放电电流显著大于工件为负极时使靶为负极性时放电电流显著大于工件为负极时的放电电流。宏观上的

18、总效果在工件上有薄膜沉积，且膜层结合牢的放电电流。宏观上的总效果在工件上有薄膜沉积，且膜层结合牢固。固。二二极极溅溅射射(3) 射频溅射射频溅射(RF溅射溅射) 当靶材为绝缘体，使用直流溅射，则Ar+离子会在靶表面积蓄，从而使靶面电位升高，结果导致放电停止。 射射频频溅溅射射：在绝缘材料背面的金属板电极(将绝缘材料紧贴在金属电极上)上通以10MHz以上的射频电源，由于在靶上的电容偶合，就会在靶前面产生高频电压，使靶材内部发生极化而产生位移电流，靶表面交替接受正离子和电子轰击。 因此，射频溅射可以适用于各种材料，包括石英、玻璃、氧化铝、蓝宝石、金刚石、氮化物、硼化物薄膜等。 在靶电极处于负半周时

19、，在靶电极处于负半周时，Ar+离子在电场作用下使靶材溅射；在正半周时，在正半周时，开始是电子跑向靶电极，中和了靶材表面的正电荷，并迅速积聚大量电子，使靶面呈负电位，仍然吸引Ar+离子撞击靶材而产生溅射。二二极极溅溅射射二极溅射的缺点二极溅射的缺点： 在直流二极溅射的工作压强范围内，用作主抽泵的扩散泵几乎不 起作用。主阀处于关闭状态，排气速度小，所以残余气体对膜层排气速度小，所以残余气体对膜层 的玷污较严重。的玷污较严重。 基板升温高达几百度，所以不允许变形的精密工件不能用此法沉不允许变形的精密工件不能用此法沉 积薄膜。积薄膜。 膜的沉积速率低膜的沉积速率低，因此10m以上厚度不宜采用二极溅射。

20、要注意的是要注意的是，提高离子入射能量就能提高沉积速率。溅射几率是离子能量E的函数：当E = 150eV时，和E2成正比；当E = 150400eV时，和E成正比；当E = 400500eV时，和 成正比而后趋于饱和；E再增加反而减小。101 102 103 104 105 1061021011010-110-210-310-410-5能量 (eV)XeArNeHeOH溅射产额(原子/离子)在一般情况下，在所选的离子在一般情况下，在所选的离子能量能量E的范围内，二极溅射的的范围内，二极溅射的靶压均是较高的。靶压均是较高的。物理气相沉积(PVD)真真空空蒸蒸发发镀镀膜膜溅溅射射镀镀膜膜离离子子镀

21、镀膜膜将真空室中的辉光放电等离子体技术与真空蒸发镀膜技术结合起来的一种PVD技术离子镀膜离子镀膜离离子子镀镀膜膜的的优优点点 (1) 膜膜层层的的附附着着力力强强，不不易易脱脱落落，这这是是离离子子镀镀膜膜的的重重要要特性。特性。 如在不锈钢上镀制2050m厚的银膜，可以达到300N/mm2的粘附强度，钢上镀镍，粘附强度也极好。 离子镀膜附着力强的原因 离离子子轰轰击击对对基基片片产产生生溅溅射射，使表面杂质层清除和吸附层解吸，使基片表面清洁，提高了膜层附着力。 溅溅射射使使基基片片表表面面刻刻蚀蚀，增加了表面粗糙度。溅射在基片表面产生晶体缺陷，使膜离子向基片注入和扩散，而膜晶格中结合不牢的原

22、子将被再溅射，只有结合牢固的粒子保留成膜。 轰轰击击离离子子的的动动能能变变为为热热能能，对对蒸蒸镀镀表表面面产产生生了了自自动动加加热热效效应应，提高表层组织的结晶性能，促进了化学反应。而离子轰击产生的晶格缺陷与自加热效应的共同作用，增强了扩散作用。 飞飞散散在在空空间间的的基基片片原原子子有有一一部部分分再再返返回回基基片片表表面面与与蒸蒸发发材材料料原原子子混混合合和和离离子子注注入入基基片片表表层层，促促进进了了混混合合界界面面层层的的形形成成。结合上述扩散作用，改变了结合能和凝聚蒸气粒子与基体粒子的粘附系数，增大了粘附强度。离离子子镀镀膜膜的的优优点点(2) 绕射性好绕射性好 首先，

23、蒸发物质由于在等离子区被电离为正离子，这些正离子随电场的电力线而终止在带负电压的极片的所有表面，因而基片的正面反面甚至内孔、凹槽、狭缝等，都能沉积上薄膜。 其次是由于气体的散射效应。这种情况特别发生在工作压强较高时(1.3Pa)，沉积材料的蒸气分子在到达基片的路途上将与残余气体分子发生多次碰撞，使沉积材料散射到基片周围，因而基片所有表面均能被镀覆。(3) 沉积速率快，镀层质量好沉积速率快，镀层质量好 离子镀膜获得的镀层组织致密，针孔、气泡少。而且镀前对工件(基片)清洗处理较简单。成膜速度快，可达75m/min，可镀制厚达30m的镀层，是制备厚膜的重要手段。(4) 可镀材质广泛可镀材质广泛 离子

24、镀膜可以在金属表面或非金属表面上镀制金属膜或非金属膜离子镀膜可以在金属表面或非金属表面上镀制金属膜或非金属膜，甚至可以镀塑料、石英、陶瓷、橡胶。可以镀单质膜，也可以镀化合物膜。各种金属、合金以及某些合成材料，热敏材料，高熔点材料，均可镀覆。 采用不同的镀料，不同的放电气体及不同的工艺参数，就能获得与基体表面附着力强的耐磨镀层，表面致密的耐蚀镀层，润滑镀层，各种颜色的装饰镀层以及电子学、光学、能源科学等所需的特殊功能镀层。直直流流二二极极型型离离子子镀镀膜膜离子镀膜离子镀膜123456Ar78910111. 钟罩 2. 工件工件 3. 挡板4. 蒸发源蒸发源 5. 绝缘子6. 挡板手轮 7. 灯

25、丝电源8. 高压电源 9. 底板10. 辉光区辉光区 11. 阴极暗区 镀前将真空室抽空至6.510-3Pa以上真空，然后通入Ar作为工作气体，使真空度保持在1.3 1.3 10-1Pa。 当当接接通通高高压压电电源源后后，在在蒸蒸发发源源与与工工件件之之间间产产生生气气体体放放电电。由于工件接在放电的阴极，便有离子轰击工件表面，对工件作溅射清洗。 经经过过一一段段时时间间后后，加加热热蒸蒸发发源源使使镀镀料料气气化化蒸蒸发发，蒸蒸发发后后的的镀镀料料原原子子进进入入放放电电形形成成的的等等离离子子区区中中，其其中中一一部部分分被被电电离离，在在电电场场加加速速下下轰轰击击工工件件表表面面并并

26、沉沉积积成成膜膜；一部分镀料原子则处于激发态，而未被电离，因而在真空室内呈现特定颜色的辉光。 直流二极离子镀膜的缺点直流二极离子镀膜的缺点：由于放电空间中电离几率低(2%以下)，阴极电流密度小(0.250.4mA/cm2)，施加电压较高(15kV左右)，工件温度因离子轰击可高达数百度，使镀层表面粗糙，膜层质量差，成膜速度低，参数难以控制。 为此经过改进，研制成功三极型和多极型离子镀膜装置。 三三极极型型是是在在垂垂直直于于二二极极型型蒸蒸气气迁迁移移的的方方向向上上，设设置置了了一一对对阴阴阳阳极极，用用作作辅辅助助放放电电，使使蒸蒸发发粒粒子子在在迁迁移移过过程程中中增增加加碰碰撞撞，提提高

27、高了了电离几率，基板电流密度提高电离几率，基板电流密度提高10 20倍。倍。 多多阴阴极极方方式式是是把把被被镀镀工工件件作作主主阴阴极极，同同时时在在其其旁旁设设几几个个热热阴阴极极。利利用用热热阴阴极极发发射射电电子子来来促促进进气气体体电电离离，在在热热阴阴极极和和阳阳极极的的电电压压下下维持放电。维持放电。 多多极极型型离离子子镀镀膜膜的的优优点点：采用多阴极，放电开始时的气压可降低一个数量级，由直流二极型的1.3Pa降到1.310-1Pa。在多阴极方法中，只要改变热阴极的灯丝电流，即使在气压不变的情况下也可使放电电流发生很大的变化，从而控制放电状态。多阴极的存在扩大了阴极区，降低了辉

28、光放电区，因而降低了离子对工件的轰击能量，改善了绕射性，提高成膜质量。直直流流三三极极型型、多多极极型型离离子子镀镀膜膜射射频频法法离离子子镀镀膜膜离子镀膜离子镀膜射频法：射频法：在作为阳极的蒸发器和作为阴极的工件支架之间的空间内，设置一个用直径3mm的铅丝绕制7匝做成的直径70mm、高70mm的射频线圈。 使用的射频有13.56MHz(功率1.2kW)和18MHz(功率2kw)。阴极和阳极的距离保持在200mm，直流偏压多为0500V。 当被蒸发材料的蒸气分子通过气体放电和射频磁场激励当被蒸发材料的蒸气分子通过气体放电和射频磁场激励的作用，其电离效率得到很大提高，离化率可达的作用，其电离效率

29、得到很大提高，离化率可达10%，工作压强仅为直流二极型的1%，可以在1.310-11.310-4Pa下稳定工作。射射频频法法离离子子镀镀膜膜射频法离子镀膜的主要特点射频法离子镀膜的主要特点(4) 易于操作。易于操作。以蒸发源为中心的蒸发区，以线圈为中心的离化区，以基板为中心的加速和沉积区，可分别独立地控制。通过对三个区域的控制，可改造膜层的特性。沉积时基片所需的温度也低。沉积时基片所需的温度也低。(3) 用射频法离子镀膜形成的膜层有良好的外延性膜层有良好的外延性。和真空蒸发镀膜相比，外延温度低，如真空蒸发镀膜的外延温度为350C，射频法在120C就可形成薄膜。(2) 蒸发材料分子受射频振荡场的

30、激励，其氮化与氧化的作用有所提高，因而可以容易地形成氧化物和氮化物薄膜。可以容易地形成氧化物和氮化物薄膜。(1) 和直流二极型相比，膜层纯度高，组织更致密。膜层纯度高，组织更致密。三三种种物物理理气气相相沉沉积积技技术术与与电电镀镀的的比比较较第九章 真空沉积技术1. 物理气相沉积 1.1 真空蒸发镀膜原理及其基本过程 1.2 溅射镀膜 1.3 离子镀膜2. 化学气相沉积 2.1 化学气相沉积的一般原理 2.2 化学气相沉积技术 2.3 化学气相沉积技术的应用化学气相沉积是利用气态化合物或化合物的混合物在基体受热面上发生化学反应，从而在基体表面上生成不挥发的涂层。化学气相沉积(CVD)CVD技

31、术的优点技术的优点： 沉积层纯度高， 沉积层与基体的结合力强， 可以沉积各种单晶、多晶或非晶态无机薄膜材料， 设备简单，操作方便，工艺上重现性好，适用于批量生 产和成本低廉。缺点缺点：由于CVD技术是热力学条件决定的热化学过程，一般反应温度多在1000C以上，因此限制了这一技术的应用范围。第九章 真空沉积技术1. 物理气相沉积 1.1 真空蒸发镀膜原理及其基本过程 1.2 溅射镀膜 1.3 离子镀膜2. 化学气相沉积 2.1 化学气相沉积的一般原理 2.2 化学气相沉积技术 2.3 化学气相沉积技术的应用CVD技术包括产生挥发性产生挥发性运载化合物运载化合物把挥发性化合把挥发性化合物运到沉积区

32、物运到沉积区发生化学反应发生化学反应形成固态产物形成固态产物由此可见，由此可见，VCD反应必须满足的三个挥发性条件反应必须满足的三个挥发性条件： 反应物必须具有足够高的蒸气压，要保证能以适当的速度被引入 反应室； 除了涂层物质之外的其它反应产物必须是挥发性的； 沉积物本身必须有足够低的蒸气压，以使其在反应期间能保持在 受热基体上。对对CVD技术的热力学分析技术的热力学分析 600 800 1000 12001 2345 4 2 0 -2 -4 -6 -8-10-12-14-16G0(KJ/mol)温度T(K)几种生成几种生成TiN的的CVD反应反应 的的 G0 T图图1.2.3.4.5.图中各

33、条线对应的反应图中各条线对应的反应由上图可见， 随随着着温温度度升升高高，有有关关反反应应的的 G0值值是是下下降降的的，因此升温有利于反应的自发进行。 在同一温度下，TiCl4与NH3反应(线4)的值比TiCl4与N2、H2反应(线1)的值小。这这说说明明对对同同一一种种生生成成物物(如如TiN)来来说说，采采用用不不同同的的反反应应物物进进行行不不同同的的化化学学反反应应，其其温温度度条条件件是是不不同同的的。化化学学气气相相沉沉积积的的原原理理因此，寻求新的反应物质，试图在较低的温度下生成性能较因此，寻求新的反应物质，试图在较低的温度下生成性能较好的好的TiC、TiN之类的涂层是可行的。

34、之类的涂层是可行的。600 800 1000 12001 2345 4 2 0 -2 -4 -6 -8-10-12-14-16G0(KJ/mol)温度T(K)最近，已开发了以有机碳氮化合物(如氰甲烷CH3CN)为C、N的载体，与四氯化钛及氢之间产生如下化学反应，在工件表面涂覆Ti(CN)的方法。 该反应在700900C进行，因此称为中温CVD(MT-CVD)。 2TiCl4 + 2R(CN) + 3H2 2Ti(CN) + 6HCl + 2RCl化学气相沉积的反应热热分分解解反反应应 热分解法一般在简单的单温区炉中，在真空或惰性气体保护下加热基体至所需要温度后，导入反应物气体使之发生热分解，最

35、后在基体上沉积出固相涂层。 热分解法已用于制备金属、半导体和绝缘体等各种材料。这类反应体系的主要问题是源物质与热解温度的选择。在选择源物质时，既要考虑其蒸汽压与温度的关系，又要特别注意在不同热解温度下的分解又要特别注意在不同热解温度下的分解产物中固相仅为所需要的沉积物质，而没有其它的夹杂物。产物中固相仅为所需要的沉积物质，而没有其它的夹杂物。目前用于热分解反应的化合物有以下几种。目前用于热分解反应的化合物有以下几种。 (1) 氢化物氢化物由于氢化物HH键的离解能、键能都比较小，所以热分解温度低，唯一的副产物是没有腐蚀性的氢气。例如： 8001000C SiH4 Si + 2H2(2) 金属有机

36、化合物金属有机化合物 金属的烷基化合物，其MC键能一般小于CC键能，可广泛用于沉积高附着性的金属膜和氧化物膜。例如： 420C 2Al(OC3H7)3 Al2O3 + 6C3H6 + 3H2O利用金属有机化合物可使化学气相沉积的温度大大降低热热分分解解反反应应(3) 氢化物和金属有机化合物体系氢化物和金属有机化合物体系利用这类热解体系可在各种半导体或绝缘体基体上制备化合物半导体膜。例如： 630675C Ga(CH3)3 + AsH3 GaAs + 3CH4 (4) 其它气态络合物和复合物其它气态络合物和复合物 羰基化合物和羰基氯化物多用于贵金属(铂族)和其它过渡金属的沉积。例如： 600C

37、Pt(CO)2Cl2 Pt + 2CO + Cl2 140240C Ni(CO)4 Ni + 4CO单氨络合物已用于热解制备氮化物，例如： 8001000C AlCl3NH3 AlN + 3HCl热热分分解解反反应应化化学学合合成成反反应应化学气相沉积的反应 两种或多种气态反应物在一个热基体上相互反应。两种或多种气态反应物在一个热基体上相互反应。例：用氢气还原卤化物来沉积各种金属和半导体， 选用合适的氢化物、卤化物或金属有机化合物沉积绝缘膜。 制备多晶态和非晶态的沉积层，如二氧化硅、氧化铝、氮化硅、硼硅玻璃及各种金属氧化物、氮化物和其它元素之间的化合物等。其代表性的反应体系有：其代表性的反应体

38、系有： 325475C SiH4 + 2O2 SiO2 + 2H2O 1200C SiCl4 + 2H2 Si + 4HCl 450C Al2(CH3)6 + 12O2 Al2O3 + 9H2O + 6CO2 350900C 3SiCl4 + 4NH3 Si3N4 + 12HCl 8001100C TiCl4 + N2 + 2H2 TiN + 4HCl化化学学传传输输反反应应化学气相沉积的反应 在源区在源区(温度为温度为T1)发生传输反应发生传输反应(向右进行向右进行)，源物质Zr或ZnS与I2作用，生成气态的ZrI2或ZnI2； 气态生成物被运输到沉积区之后在沉积区在沉积区(温度为温度为T2

39、)则发生沉积反应则发生沉积反应(向向左进行左进行)，Zr或ZnS重新沉积出来。 把所有沉积的物质当作源物质(不挥发性物质)，借助于适当气体介质与之反应而形成一种气态化合物，这种气态化合物经化学迁移或物理载带运输到与源区温度不同的沉积区，再发生逆向反应，使得源物质重新沉积出来。这种方法最早用于稀有金属的提纯。I2(g) + Zr(s)ZrI2T1T2T1T2I2(g) +ZnS(s)ZnI2 + S2例例第九章 真空沉积技术1. 物理气相沉积 1.1 真空蒸发镀膜原理及其基本过程 1.2 溅射镀膜 1.3 离子镀膜2. 化学气相沉积 2.1 化学气相沉积的一般原理 2.2 化学气相沉积技术 2.

40、3 化学气相沉积技术的应用CVD工艺的模型工艺的模型 Spear 提出的提出的CVD反应模型反应模型基体1745整体气边界层界面236xSpear模型的步骤为模型的步骤为：(1) 反应气体被强制导入系统。(2) 反应气体由扩散和整体流 动(粘滞流动)穿过边界层。(3) 气体在基体表面吸附。(4) 吸附物之间的或者吸附物 与气态物质之间的化学反 应。(5) 吸附物从基体解吸。(6) 生成气体从边界层到整体 气体的扩散和整体流动 (粘滞流动)。(7) 将气体从系统中强制排出。CVD反应器系统反应器系统开开管管气气流流法法冷壁式反应器：冷壁式反应器：只有基体本身才被加热(基体通电加热、感应加热或红外

41、辐射加热等)，因此基体温度最高。加热器基体热壁式开管卧式反应器示意图热壁式开管卧式反应器示意图热壁式反应器热壁式反应器：器壁用直接加热法或其它方式来加热，反应器壁通常是装置中最热的部分(下图)。在管状回转窑中沉积热解碳薄膜电阻就是用热壁式反应器。这种反应器按加热方式不同可分为热壁式和冷壁式。特点特点：反应气体混合物连续补充，同时废弃的反应产物反应气体混合物连续补充，同时废弃的反应产物不断排出，即能连续地供气和排气。不断排出，即能连续地供气和排气。物料的运输一般是靠外加不参加反应的中性气体来实现的。由于至少有一种反应产物可以连续地从反应区排出，这就使反应反应总是处于非平衡状态而有利于形成沉积层总

42、是处于非平衡状态而有利于形成沉积层。在绝大多数情况下，开管操作是在一个大气压或稍高于在绝大多数情况下，开管操作是在一个大气压或稍高于一个大气压下进行的，以使废气从系统中排出。一个大气压下进行的，以使废气从系统中排出。但也可以在减压或真空下连续地或脉冲地抽出副产物。这种系统有利于沉积层的均匀性，对于薄层沉积也是有这种系统有利于沉积层的均匀性，对于薄层沉积也是有益的。益的。优点优点：试样容易取出，同一装置可以反复多次使用，沉积工艺条件易于控制，结果容易再现。若装置设计和加工适当，还可消除水和氧的污染。开开管管气气流流法法闭闭管管法法3412 闭管式蒸气传输闭管式蒸气传输 反应器示意图反应器示意图

43、1. 料源 2. 基体 3. 低温加热区 4. 高温加热区这种反应系统是把一定量的反应物与适当的基体分别放在反应器的两端，管内抽空后充入一定的输运气体，然后密封。再将反应器置于双温区炉内，使反应管内形成一个温度梯度。由于这种系统的反应器壁要加热，所以通常为热壁式。由于温度梯度造成的负自由能变化是传输反应的推动力，所以物料从闭管的一端传输到另一端并沉积下来。CVD反应器系统反应器系统闭管反应器的优点是：内容物被空气或大气污染物(水蒸气等)偶然污染的机会很小；不必连续抽气就可以保持反应器内的真空，对于必须在真空条件下进行的沉积十分方便；可以沉积蒸气压高的材料。缺点：材料生长速度慢，不适宜进行大批量

44、生产；反应管(一般为高纯石英管)只能使用一次，这不但提高了成本，而且在反应管封拆过程中还可能引入杂质；在管内压力无法测定的情况下，一旦温度控制失灵，内部压力过大，就有爆炸的危险。因此，反应器材料的选择、装料时压力的计算，温度的选择和控制等，是闭管法的几个关键环节。闭闭管管法法第九章 真空沉积技术1. 物理气相沉积 1.1 真空蒸发镀膜原理及其基本过程 1.2 溅射镀膜 1.3 离子镀膜2. 化学气相沉积 2.1 化学气相沉积的一般原理 2.2 化学气相沉积技术 2.3 化学气相沉积技术的应用化学气相沉积制备的材料高高纯纯金金属属无无机机新新晶晶体体单单晶晶薄薄膜膜纤纤维维沉沉积积物物和和晶晶须

45、须多多晶晶材材料料膜膜非非晶晶材材料料膜膜典型例子是用碘化物热分解法制取高纯难熔金属。钨、钼、铌、金、铀和钍等金属都可用此法提纯。新的晶体生长方法中，化学气相沉积法应用最多，发展最快。用该法制备的晶体材料有ZnS、ZnSe、ZrS、ZrSe、YbAs和InPS4等在一定的单晶材料衬度上制备外延单晶层是化学气相沉积技术的最重要的应用。气相外延技术也广泛用于制备金属单晶膜(如钨、钼、铂、铱等)和其它一些元素间化合物，其中包括NiFe2O4、Y3Fe5O12、CoFe2O4等多元化合物单晶薄膜。晶须的强度比块状材料高得多，可以用来增强塑料、陶瓷或金属的强度，CVD法已经成功地沉积了多种化合物晶须，包

46、括Al2O3、TiN、Cr2C2、Si3N4、ZrC、TiC、ZrN等，用氯化物氢还原制备的金属晶须有Cu、Ag、Fe、Ni、CO、Co-Fe和Cu-Zn等。半导体工业中用作绝缘介质隔离层的多晶硅沉积层，以及属于多晶陶瓷的超导材料Nb3Sn等，大都是用CVD法制备的。几乎所有的无机多晶材料都可以使用CVD工艺。非晶态的材料层有特殊的性能和用途，如磷硅玻璃、硼硅玻璃、氧化硅和氮化硅等。这些材料的制备大都采用化学气相沉积法。化学气相沉积的应用领域复复合合材材料料制制备备微微电电子子学学工工艺艺半半导导体体光光电电技技术术太太阳阳能能利利用用光光纤纤通通信信超超电电导导技技术术保保护护涂涂层层CVD

47、法制备的纤维状或晶须状的沉积物多半用来制造法制备的纤维状或晶须状的沉积物多半用来制造各种复合材料。各种复合材料。 60年代初以研究硼纤维增强的铝基复合材料为主，60年代中期出现石墨纤维以来，又开始大力研究碳纤维增强的铝基或塑料基复合材料。以后又相继出现了Be、B、Fe、Al2O3、SiO2、SiC、Si3N4、AlN和BN等纤维或晶须增强的Al、Mg、Ti、Ni、Cu及各种树脂类高分子聚合物等基的复合材料，以及纤维和晶须增强的各种陶瓷类复合材料。复复合合材材料料化学气相沉积的应用领域复复合合材材料料制制备备微微电电子子学学工工艺艺半半导导体体光光电电技技术术太太阳阳能能利利用用光光纤纤通通信信

48、超超电电导导技技术术保保护护涂涂层层CVD法制备的纤维状或晶须状的沉积物多半用来制造法制备的纤维状或晶须状的沉积物多半用来制造各种复合材料。各种复合材料。 60年代初以研究硼纤维增强的铝基复合材料为主，60年代中期出现石墨纤维以来，又开始大力研究碳纤维增强的铝基或塑料基复合材料。以后又相继出现了Be、B、Fe、Al2O3、SiO2、SiC、Si3N4、AlN和BN等纤维或晶须增强的Al、Mg、Ti、Ni、Cu及各种树脂类高分子聚合物等基的复合材料，以及纤维和晶须增强的各种陶瓷类复合材料。复复合合材材料料微微电电子子学学工工艺艺 半导体器件，特别是大规模集成电路的制作，基本工艺半导体器件，特别是

49、大规模集成电路的制作，基本工艺流程都是由外延、掩膜、光刻、扩散、器件筑化和金属流程都是由外延、掩膜、光刻、扩散、器件筑化和金属连接等过程组合而成的。连接等过程组合而成的。 其中半导体膜的外延、p-n结扩散源的形成、介质隔离、扩散掩膜和金属膜的沉积等是这些工艺的核心步骤。化学气相沉积在制备这些材料层的过程中逐渐取代了象硅的高温氧化和高温扩散等旧工艺，在现代微电子学工艺中占据了主导地位。化学气相沉积高纯硅的问世使半导体进入了集成化的新时代。而在集成电路向着大规模集成方向发展的过程中，化学气相沉积同样起着重大的作用。化学气相沉积的应用领域复复合合材材料料制制备备微微电电子子学学工工艺艺半半导导体体光

50、光电电技技术术太太阳阳能能利利用用光光纤纤通通信信超超电电导导技技术术保保护护涂涂层层半半导导体体光光电电技技术术CVD法可以制备半导体激光器、半导体发光器件、法可以制备半导体激光器、半导体发光器件、光接受器和集成光路等。光接受器和集成光路等。 半导体光电器件中的主要部件是半导体激光器，最早研制成功的半导体激光器是GaAlAs/GaAs。到目前为止，已获得了在室温下连续工作的波长1m左右的半导体激光器。光通讯中的光接受器件主要是由硅材料和族化合物材料制备的，如InxGa1-xAs是用气相外延工艺制作的。集成光路是采用低温气相沉积技术制备的，如应用氢化物、金属有机化合物为源的沉积方法，在绝缘的透

51、明衬底上(如蓝宝石、尖晶石等)通过异质外延生长族、族化合物材料及其组合的集成化材料。化学气相沉积的应用领域复复合合材材料料制制备备微微电电子子学学工工艺艺半半导导体体光光电电技技术术太太阳阳能能利利用用光光纤纤通通信信超超电电导导技技术术保保护护涂涂层层 利用无机材料的光电转换功能制成太阳能电池是太利用无机材料的光电转换功能制成太阳能电池是太阳能利用的一个重要途经。阳能利用的一个重要途经。 现已试制成功硅、砷化镓同质结电池及利用族、族等半导体制成了多种导质结太阳能电池，如SiO2/Si、GaAs/GaAlAs、CdTe/CdS和Cu2S/CdS等。它们几乎全部制成薄膜形式，气相沉积和液相外延是

52、最主要的制备技术。太太阳阳能能利利用用半半导导体体光光电电技技术术CVD法可以制备半导体激光器、半导体发光器件、法可以制备半导体激光器、半导体发光器件、光接受器和集成光路等。光接受器和集成光路等。 半导体光电器件中的主要部件是半导体激光器，最早研制成功的半导体激光器是GaAlAs/GaAs。到目前为止，已获得了在室温下连续工作的波长1m左右的半导体激光器。光通讯中的光接受器件主要是由硅材料和族化合物材料制备的，如InxGa1-xAs是用气相外延工艺制作的。集成光路是采用低温气相沉积技术制备的，如应用氢化物、金属有机化合物为源的沉积方法，在绝缘的透明衬底上(如蓝宝石、尖晶石等)通过异质外延生长族

53、、族化合物材料及其组合的集成化材料。化学气相沉积的应用领域复复合合材材料料制制备备微微电电子子学学工工艺艺半半导导体体光光电电技技术术太太阳阳能能利利用用光光纤纤通通信信超超电电导导技技术术保保护护涂涂层层光光纤纤通通信信 通信用的光导纤维是用化学气相沉积技术制得的石通信用的光导纤维是用化学气相沉积技术制得的石英玻璃棒经烧结拉制而成的，英玻璃棒经烧结拉制而成的， 其具体工序是：首先用化学气相沉积技术制得石英玻璃预制棒，烧结拉制成几千米的细丝(一般100500m)，再立即涂上一层适当厚度(520m)的树脂加固，然后再进行二次涂覆。其中关键步骤是制备石英预制棒，利用高纯四氯化硅和氧气可以很方便地沉

54、积出高纯石英玻璃。在气相沉积过程中，加入Ge、P、B等元素的气态混合物，以便形成特定折射率分布的掺杂层。化学气相沉积的应用领域复复合合材材料料制制备备微微电电子子学学工工艺艺半半导导体体光光电电技技术术太太阳阳能能利利用用光光纤纤通通信信超超电电导导技技术术保保护护涂涂层层超超电电导导技技术术化学气相沉积技术生产的化学气相沉积技术生产的Nb3Sn超导材料是目前绕制超导材料是目前绕制高场强小型磁体的最优良材料。高场强小型磁体的最优良材料。 化学气相沉积法生产出来的其它金属间化合物超导材料还有Nb3Ge、V3Ga和Nb3Ga等，其中Nb3Ge的临界温度已高达22.5K。光光纤纤通通信信 通信用的光

55、导纤维是用化学气相沉积技术制得的石通信用的光导纤维是用化学气相沉积技术制得的石英玻璃棒经烧结拉制而成的，英玻璃棒经烧结拉制而成的， 其具体工序是：首先用化学气相沉积技术制得石英玻璃预制棒，烧结拉制成几千米的细丝(一般100500m)，再立即涂上一层适当厚度(520m)的树脂加固，然后再进行二次涂覆。其中关键步骤是制备石英预制棒，利用高纯四氯化硅和氧气可以很方便地沉积出高纯石英玻璃。在气相沉积过程中，加入Ge、P、B等元素的气态混合物，以便形成特定折射率分布的掺杂层。化学气相沉积的应用领域复复合合材材料料制制备备微微电电子子学学工工艺艺半半导导体体光光电电技技术术太太阳阳能能利利用用光光纤纤通通

56、信信超超电电导导技技术术保保护护涂涂层层保保护护涂涂层层 耐磨涂层耐磨涂层 耐磨涂层一般包括难熔的硼化物、碳化物、氮化物和氧化物。 按照这些材料的化学键可以对它们进行分类：金属键(硼化物、碳化物、过渡金属的氮化物)，共价键(金刚石、硼化物、碳化物和铝、硅、硼的氧化物)，离子键(铝、鈹、钛、锆的氧化物)。除了涂层的重要特性外，还必须考虑基体和界面的性能。重要的性能包括涂层的结合强度，界面的扩散和热损失，基体的硬度、强度和韧性。涂层以及涂层-基体复合体在涉及到摩擦和冲击的应用中，断裂韧性是一项重要的性能。晶粒尺寸、化学比以及涂层的均匀性也很重要，因为这些性能极大地影响涂层的磨损性能。在耐磨涂层中，

57、用于切削刀具的占主要地位。在耐磨涂层中，用于切削刀具的占主要地位。化学气相沉积还被用来在枪筒内壁涂覆耐磨层。化学气相沉积还被用来在枪筒内壁涂覆耐磨层。保保护护涂涂层层 摩擦学涂层摩擦学涂层制取摩擦学涂层常用的技术包括各种化学气相沉积方法、火焰喷涂和等离子喷涂技术。 在摩擦学应用中沉积涂层的目的，通常是降低相互接触的滑动面或转动面之间的摩擦系数，从而减少由于粘着、摩擦或其它原因所引起的磨损。在这些应用中，常采用的涂层包括难熔化合物，如碳化物、氮化物以及过渡金属的硼化物。 高温涂层高温涂层 对于在高温应用的涂层，主要是要求热稳定性。具有低的蒸气压、高的分解温度的难熔金属及化合物，一般是适宜高温应用的，当然还应考虑其使用环境。许多难熔金属和陶瓷可以在惰性气氛或真空中使用。对于涉及到环境气氛或反应性气氛的应用来说，还必须考虑氧化和化学稳定性。 在CVD技术的应用中，所采用的典型涂层包括碳化硅、氮化硅、氧化铝以及各种难熔金属硅化物。其中SiC除了具有高温耐摩擦性和化学稳定性外，还有高的硬度、强度。SiC的高温性能取决于它的纯度及微观结构。THE END69 以上有不当之处，请大家给与批评指正，以上有不当之处，请大家给与批评指正，谢谢大家！谢谢大家！