第一章能带理论

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1、第一章第一章 半导体中的电子状态半导体中的电子状态半导体的晶格结构和结合性质半导体的晶格结构和结合性质半导体中电子状态和能带半导体中电子状态和能带半导体中电子的运动和有效质量半导体中电子的运动和有效质量半导体中载流子的产生及导电机构半导体中载流子的产生及导电机构半导体的能带结构半导体的能带结构1、金、金刚石型石型结构和共价构和共价键n n化学化学键: 构成晶体的结合力. n n共价共价键: 由同种晶体组成的元素半导体,其 原子间无电负性差,它们通过共用 一对自旋相反而配对的价电子结 合在一起.11 半半导体的晶体体的晶体结构和构和 结合性合性质共 价 键 的 特 点n n饱和性 n n方向性

2、n n正四面体结构金刚石型结构的晶胞nGe: a=5.43089埃 nSi: a=5.65754埃金刚石型结构100面上的投影:金刚石结构的半导体:金刚石结构的半导体: 金刚石、硅、锗金刚石、硅、锗2、闪锌矿结构和混合键材料材料: -族和-族二元化合物半导体 例: ZnS、ZnSe、GaAs、GaP化学化学键: 共价键+离子键 (共价键占优势)闪锌矿结构的结晶学原胞极性半导体极性半导体沿着沿着111方向看,(方向看,(111)面以双原子)面以双原子层的形式按层的形式按ABCABCA顺序堆积起来。顺序堆积起来。立方对称性立方对称性3、纤锌矿型结构材料材料: -族二元化合物半导体 例: ZnS、Z

3、nSe、CdS、CdSe化学化学键: 共价共价键+离子离子键 (离子离子键占占优势)(001)面是两类原子各自组成的六方排列的双原子层按ABABA顺序堆积4、氯化钠型结构不以四面体结构结晶不以四面体结构结晶材料材料: IV-族二元化合物半族二元化合物半导体体 例例: 硫化硫化铅、硒化、硒化铅、 碲化碲化铅等等 1.2 半半导体中体中电子的状子的状态 与能与能带的形成的形成研究固态晶体中电子的能量状态的方法研究固态晶体中电子的能量状态的方法 单电子近似单电子近似 假设每个电子是在周期性排列且固定不动的假设每个电子是在周期性排列且固定不动的 原子核势场及其他电子的平均势场中运动,原子核势场及其他电

4、子的平均势场中运动, 该势场是具有与晶格同周期的周期性势场。该势场是具有与晶格同周期的周期性势场。单电子近单电子近似能带论能带论 用单电子近似法研究晶体中电子用单电子近似法研究晶体中电子 状态的理论。状态的理论。一一.能带论的定性叙述能带论的定性叙述1.孤立原子中的电子状态孤立原子中的电子状态 主量子数主量子数 n:1,2,3,n:1,2,3,,决定能量的主要因素决定能量的主要因素 角量子数角量子数 l:0,1,2,(n1),决),决 定角动量,对能量有一定影响定角动量,对能量有一定影响 磁量子数磁量子数 ml:0,1,2,l,决定决定 L的空间取向,引起磁场中的能级分裂的空间取向,引起磁场中

5、的能级分裂 自旋量子数自旋量子数 ms:1/2,产生能级精细结构产生能级精细结构2.晶体中的电子晶体中的电子(1)电子的共有化运动)电子的共有化运动在晶体中,在晶体中,电子由一个原子转移到相电子由一个原子转移到相邻的原子去,因而,电子将可以在整邻的原子去,因而,电子将可以在整个晶体中运动个晶体中运动。2p2p2p2p3s3s3s3s电子共有化运动示意图电子共有化运动示意图(2)能能级级分分裂裂a. s 能级设设有有A、B两两个个原原子子孤立时, 波函数(描述微观粒子的状态)为A和B,不重叠.简并度=状态/能级数=2/1=2孤立原子的能级A . B 两原子相互靠近两原子相互靠近,电子波函数应是A

6、和B的线形叠加:1 = A + B E12 = A - B E2四个原子的能级的分裂相互靠近组成晶体后:相互靠近组成晶体后:相互中间隔的很远时: 是N度简并的。 它们的能级便分裂成N个彼此靠得很 近的能级准连续能级准连续能级,简并消失。 这这N个能级组成一个能带,称为个能级组成一个能带,称为允带允带。N10221023/cm3b. p 能级(l=1, ml=0,1)c. d 能级(l=2, ml=0,1,2)允带能带原子级能禁带禁带原子轨道原子能级分裂为能带的示意图原子能级分裂为能带的示意图dps能量E 实际晶体的能带不一定同孤立原子的实际晶体的能带不一定同孤立原子的某个能级相当。某个能级相当

7、。金刚石型结构价电子的能带 对N个原子组成的晶体:共有4N个价电子n n空空带 ,即,即导带 n n满带,即价,即价带 2s和和2p能级分裂的两个能带能级分裂的两个能带波函数:波函数:描述微观粒子的状态薛定薛定谔方程:方程:决定粒子变化的方程二、半导体中电子的状态和能带1.自由自由电子子 电子在空间是等几率分布的,即自由电子在空间作自由运动。 微观粒子具有波粒二象性微观粒子具有波粒二象性由粒子性由粒子性由德布罗意关系由德布罗意关系波矢波矢k描述自由电子的运动状态。2. 晶体中的晶体中的电子子一维理想晶格一维理想晶格(1)一维理想晶格的势场和 电子能量E()孤立原子的势场是:N个原子有规则的沿x

8、轴方向排列:xva晶体的势能曲线电子的运动方程(薛定谔方程)为电子的运动方程(薛定谔方程)为其中:其中:布洛赫函数布洛赫函数 uk(x), 是一个具有晶格周期的周期函数, n 为任意整数, a 为晶格周期. 分布几率是晶格的周期函数,但对每个原胞的相应位置,电子的分布几率一样的。 波矢波矢k描述晶体中电子的共有化运动状态。3. 布里渊区与能带简约布里渊区简约布里渊区能带能量不连续,形成允带和禁带。能量不连续,形成允带和禁带。 允带出现在以下几个区(布里渊区)中:允带出现在以下几个区(布里渊区)中:第一布里渊区第二布里渊区第三布里渊区-/1E(k)0/1k允带允带允带自由电子称第一布里渊区为简约

9、布里渊区 禁带出现在布里渊区边界(禁带出现在布里渊区边界(k = n/2a)上。)上。 每一布里渊区对应于每一能带。每一布里渊区对应于每一能带。E(k) 是是 k 的周期性函数的周期性函数布里渊区的特征:布里渊区的特征:(1)每隔 1/a 的 k 表示的是同一 个电子态;(2)波矢 k 只能取一系列分立的值,对有限 晶体,每个 k 占有的线度为1/L;E(k)- k的的对应意意义:(1)一个 k 值与一个能级(能量状态)相对应; (2)每个布里渊区有N(N:晶体的固体 物理 学原胞数)个 k 状态,故每个能带 中有N 个能级; (3)每个能级最多可容纳自旋相反的两个电子, 故每个能带中最多可容

10、纳 2N 个电子。 能带的宽窄由晶体的性质决定, 与晶体中含的原子数目无关, 但每个能带中所含的能级数目与 晶体中的原子数有关。注意注意:电子刚好填满最后一个带电子填充允许带时电子填充允许带时,可能出现可能出现:最后一个带仅仅是部分被电子占有导体导体绝缘体和半导体绝缘体和半导体3s2p2s1s11#Na,它的电子组态是:1s22s22p63s11.导体的能带导体的能带三、三、 导体、绝缘体和半导体的能带导体、绝缘体和半导体的能带2.绝缘体和半导体的能带绝缘体和半导体的能带6#C电子组态是:1s22s22p22p2s1s(1)满带中的中的电子不子不导电 I(k)=-I(-k) 即是说,+k态和和

11、-k态的的电子子电流互相抵消。流互相抵消。 (2)对部分填充的能部分填充的能带,将将产生宏生宏观电流。流。Eg电子能量EcEv能带图可简化成:禁带宽度禁带宽度导带导带半满带禁带价带禁带价带满带绝缘体、半导体和导体的能带示意图绝缘体、半导体和导体的能带示意图绝缘体半导体导体常温下: Si:Eg=1.12 eV Ge: Eg=0.67 eV GaAs: Eg =1.43 eV本征激发本征激发 当温度一定时,价带电子受到激发而成为导当温度一定时,价带电子受到激发而成为导带电子的过程带电子的过程 。激激 发 后:后:空的量子空的量子态( 空穴)空穴)价价带电子子激激 发发 前:前:导带电子空穴空穴 将

12、价带电子的导电作用等效为带正电荷的准粒子准粒子的导电作用。空穴的主要特征:空穴的主要特征: A、荷正电:+q; B、空穴浓度表示为p(电子浓度表示为n); C、EP=-En D、mP*=-mn*因此,在半导体中存在两种载流子:因此,在半导体中存在两种载流子:(1)电子;)电子; (2)空穴;)空穴;而在本征半导体中,而在本征半导体中,n=p。空穴空穴与导电电子子1.2 半导体中电子的运动半导体中电子的运动 有效质量有效质量从粒子性出发从粒子性出发, 它具有一定的质量 m0和运动速度 V, 它的能量E和动量P分别为:一、自由空间的电子一、自由空间的电子从波动性出发从波动性出发, 电子的运动看成频

13、率为、波矢为 K 的平面波在波矢方向的传输过程.自由电子自由电子E与与k 的关系的关系Ek0对对 E(k)微分微分, 得到得到当有当有外力外力 F 作用于电子时作用于电子时, 在在 dt 时间内内, 电子子位移了位移了ds 距离距离, 那么外力那么外力对电子所作的功等于子所作的功等于能量的能量的变化化, 即即:2. 速度速度 V(k)3. 加速度加速度 a二、半导体中的电子:二、半导体中的电子:晶体中作共有化运动的电子平均速度晶体中作共有化运动的电子平均速度:1.速度速度 V设导带底或价带顶位于设导带底或价带顶位于 k=0, 则则以一维情况为例:设 E(k)在 k=0 处取得极值,在极值附近按

14、泰勒级数展开:展开:得到能带极值附近电子的速度为m*为导带底或价带顶电子的有效质量导带底价带顶电子的m*0;电子的m*0, m*0。 0, m*0;电子的m*空态数空态数导带:电子数导带:电子数mt, 为长旋转椭球mtml,为扁形旋转椭球(3) 极值点极值点 k0 在原点在原点能量 E 在波矢空间的分布为球形曲面kokxkykz将一半导体样品放在一均匀恒定的磁场B中,电子在磁场中作螺旋运动,它的回旋频率c与有效质量(对于球形等能面)的关系为:2. 回旋共振法回旋共振法测出共振吸收时电磁波的频率测出共振吸收时电磁波的频率 和磁感和磁感应强度应强度 B,便可算出有效质量,便可算出有效质量 m*。再

15、以电磁波通过半导体样品,当交变电磁场频率 等于 c 时,就可以发生共振吸收共振吸收。确定能带极值附近 E(k) 与 k 的关系。E(k)等能面的球半径等能面的球半径为:设 B 沿 kx, ky, kz 轴的方向余弦分别为,则如果等能面是椭球面,则有效质量是各如果等能面是椭球面,则有效质量是各向异性的。沿向异性的。沿kx, ky, kz 轴方向分别为轴方向分别为mx*, my*, mz*。二二. 半半导体的能体的能带结构构1. 元素半导体元素半导体的能的能带结构构金刚石结构金刚石结构xyz导带价价带带硅和锗的能带结构硅和锗的能带结构001000001000001硅导带等能面硅导带等能面示意图示意

16、图极大值点 k0 在坐标轴上。共有6个形状一样的旋转椭球等能面。(1)导带导带ABCD导带最低能值导带最低能值 100方向 硅的能带结构硅的能带结构 价带极大值价带极大值 位于布里渊区的中心(坐位于布里渊区的中心(坐标原点标原点K=0)存在极大值相重存在极大值相重合的两个价带合的两个价带 外面的能带曲率小,对应的外面的能带曲率小,对应的有效质量大,称该能带中的有效质量大,称该能带中的空穴为空穴为重空穴重空穴 ,(mp*)h 。内能带的曲率大,对应的有内能带的曲率大,对应的有效质量小,称此能带中的空效质量小,称此能带中的空穴为穴为轻空穴轻空穴,(,(mp*)l 。 E(k)为球形等能面为球形等能

17、面(2)价带)价带锗的能带结构锗的能带结构 导带最低能值导带最低能值 111方向布里渊区边界方向布里渊区边界 存在有四个这种能量最小值存在有四个这种能量最小值 E(k)为以为以111方向为方向为旋转轴的椭圆等能面旋转轴的椭圆等能面价带极大值价带极大值 位于布里渊区的中心(位于布里渊区的中心(K=0) 存在极大值相重合存在极大值相重合的两个价带的两个价带 外面的能带曲率小,对应外面的能带曲率小,对应的有效质量大,称该能带的有效质量大,称该能带中的空穴为重空穴中的空穴为重空穴 。内能带的曲率大,对应内能带的曲率大,对应的有效质量小,称此能的有效质量小,称此能带中的空穴为轻空穴。带中的空穴为轻空穴。

18、 禁带宽度 Eg 随温度增加而减小且 Si:dEg/dT=-2.810-4 eV/K Ge: dEg/dT=-3.910-4 eV/KEg: T=0: Eg (Si) = 0.7437 eV Eg (Ge) = 1.170 eV Ge、Si能带结构的主要特征能带结构的主要特征 多能谷结构:多能谷结构: 锗、硅的导带分别存在四个和六锗、硅的导带分别存在四个和六个这种能量最小值,导带电子主要分布个这种能量最小值,导带电子主要分布在这些极值附近,通常称锗、硅的导带在这些极值附近,通常称锗、硅的导带具有具有。 间接带隙半导体:间接带隙半导体: 硅和锗的导带底和价带顶在硅和锗的导带底和价带顶在 k 空间

19、处空间处于不同的于不同的 k 值。值。2. IIIV族化合物的能族化合物的能带结构构GaAs的能带结构闪锌矿结构EGaAsEg036eVLX111100导带有两个极小值:一个在k=0处,为球形等能面, 另一个在100方向,为椭球等能面,能量比 k=0处的高 0.36eV,价带顶也在坐标原点,k=0,球形等能面,也有两个价带,存在重、轻空穴。GaAs的的导带的极小的极小值点和价点和价带的极的极大大值点位于点位于K空空间的同一点,的同一点,这种半种半导体称体称为直接直接带隙隙半半导体。体。锑化化铟的能的能带结构构导带导带极小值在 k=0处, 球形等能面,mn*=0.0135 m0 非抛物线型 价带

20、价带包含三个能带:重空穴带V1 轻空穴带V2 能带V3(L-S耦合)20K时 轻空穴有效质量轻空穴有效质量 0.016m0沿111 0.44m0沿110 0.42m0沿100 0.32m0重空穴有效质量重空穴有效质量价带顶在k=0III-V 族能带结构的主要特征族能带结构的主要特征能带在布里渊区中心简并,一重空穴带、 轻空穴带及第三个能带(LS)价带极大值稍偏离布里渊区中心导带极小值在100、111方向和布里渊 区中心导带电子的有效质量不同重空穴有效质量相差很少原子序数较高的化合物,禁带宽度较窄IIIV族混合晶体族混合晶体的能的能带结构构GaAs1-xPx的的Eg与组分的关系与组分的关系连续固

21、溶体连续固溶体混合晶体混合晶体能带结构随成分的能带结构随成分的变化而连续变化变化而连续变化Ga1-xInxP1-yAsy 的禁带的禁带宽度随宽度随 x、y 的变化的变化Al1-xGaxAs1-ySby 的禁带的禁带宽度随宽度随 x、y 的变化的变化间接带隙间接带隙混合晶体的混合晶体的 Eg 随组分变化的特性随组分变化的特性 发光器件发光器件 GaAs1-xPx 发光二极管发光二极管 x=0.380.40时,Eg=1.841.94 eV 电空复合空复合发出出 640 680 nm红光光 激光器件激光器件 Ga1-xInxP1-yAsy 长波长激光器长波长激光器 调节调节 x、y 组分可获得组分可

22、获得1.31.6 m 红外光外光3. IIVI族化合物半族化合物半导体的能体的能带结构构二元化合物的能二元化合物的能带结构构 导带极小值和价带极大值位于导带极小值和价带极大值位于 k=0 价带包含三个能带:重空穴带价带包含三个能带:重空穴带V1 轻空穴带轻空穴带V2 能带能带V3(L-S耦合)耦合) 禁带宽度较宽禁带宽度较宽 禁带宽度禁带宽度 ZnS 3.6 eV ZnSe 2.58 eV ZnTe 2.28 eV 电子有效质量电子有效质量 ZnS 0.39 m0 ZnSe 0.17 m0 ZnTe 0.15 m0 碲化镉的能带碲化镉的能带室温下,室温下,Eg 1.50 eV8碲化汞的能带碲化

23、汞的能带Eg极小且为负值极小且为负值室温下,室温下,Eg 0.15 eV半金属或零带隙材料半金属或零带隙材料8混合晶体的能混合晶体的能带结构构半导体半导体 半金属,如半金属,如 Hg1-xCdxTe的能带结构由半金属向半导体过渡的能带结构由半金属向半导体过渡x0.14x0.14x0.2Hg1-xCdxTe能带能带随随 x 变化示意图变化示意图Hg1-xCdxTe的的 Eg 随随 x 的变化的变化远红外探测器远红外探测器4. Si1-xGex合金的能合金的能带Vegard 定律定律(0 x 1)Si1-xGex 与与 Si 的晶格失配为的晶格失配为Si1-xGex合金的能带特点合金的能带特点 间

24、接带隙间接带隙 当当 x 01.0, 能带结构从能带结构从 Si 的渐变到的渐变到 Ge 的的 x 0.85,能带结构与,能带结构与 Si 的类似的类似 0.85 x 1.00, 能带结构与能带结构与 Ge 的类似的类似在在 Si 中中 X 点二度简并,而点二度简并,而Si1-xGex在在 X 点点 简并消失简并消失赝晶(共格)生长赝晶(共格)生长 用分子束外(MBE)延法,在Si上外延生长Si1-xGex合金薄膜,当外延层厚度在适当的范围时,晶格的失配可通过Si1-xGex合金层的应变补偿或调节,则得到无界面失配的Si1-xGex合金薄膜。无应变的体无应变的体Si1-xGex合金合金的禁带宽

25、度(的禁带宽度(4.2K)应变应变Si1-xGex合金的禁带宽度合金的禁带宽度 改变改变 Ge 组分组分 x 和应变的大小,则可调整和应变的大小,则可调整应变应变Si1-xGex合金的禁带宽度。合金的禁带宽度。应变和无应变的应变和无应变的Si1-xGex的的Eg与与Ge 组分的关系组分的关系020406080100Ge 组分 x (%)0.60.70.80.91.01.1禁带宽度 (eV)23应变的无应变轻空穴带轻空穴带重空穴带重空穴带SiGe/Si应变层超晶格材料新一代通信5. 宽禁禁带半半导体材料(体材料(Eg 2.3)的能的能带SiC、金刚石、金刚石、II族氧化物、族氧化物、 II族硫化

26、物、族硫化物、II族硒化物、族硒化物、III氮化物及其合金氮化物及其合金高频、高功率、高温、抗辐射和高密度高频、高功率、高温、抗辐射和高密度 集成的电子器件集成的电子器件 蓝光、绿光、紫外光的发光器件和光探蓝光、绿光、紫外光的发光器件和光探 测器件测器件SiC的晶格的晶格结构和能构和能带同质多象变体(同质多型体):同质多象变体(同质多型体): 在不同的物理化学环境下,形成两种或两种以上的晶体,这些成分相同,形态、构造和物理性质有差异的晶体称为 。SiC的多象变体约的多象变体约 200 多种。多种。结构的差异使结构的差异使 SiC 的禁带宽度不同的禁带宽度不同 SiC: 立方晶体结构的立方晶体结

27、构的 SiC 变体变体 SiC: 六方和菱形晶体结构的六方和菱形晶体结构的 SiC 变体变体 SiC 晶体的能带特点晶体的能带特点 间接带隙间接带隙导带极小值在导带极小值在 X 点(点(X1c)价带极大值在价带极大值在 点(点( 15v)0.400.440.4824681012晶格常数 a(nm)能量E(eV)X1cL1c15c1c压力显压力显著改变著改变能带结能带结构构 SiC 的能隙与晶格常数的能隙与晶格常数 a 的关系的关系GaN, AlN 的晶格的晶格结构和能构和能带III族氮化物:族氮化物:GaN, AlN, InN, AlGaN, GaInN, AlInN, AlGaInN等等禁带

28、宽度范围:禁带宽度范围:红、黄、绿、蓝和紫外光红、黄、绿、蓝和紫外光晶格结构:晶格结构:闪锌矿和纤锌矿闪锌矿和纤锌矿GaN晶体的能带特点晶体的能带特点 直接带隙直接带隙导带极小值与价带极大值在导带极小值与价带极大值在 点点对纤锌矿和闪锌矿结构对纤锌矿和闪锌矿结构AlN晶体的能带特点晶体的能带特点对纤锌矿结构对纤锌矿结构 直接带隙直接带隙导带极小值与价带极大值在导带极小值与价带极大值在 点点对闪锌矿结构对闪锌矿结构 间接带隙间接带隙 导带极小值在导带极小值在 X 点,价带极大值在点,价带极大值在 点点第一章第一章 小结小结在在完完整整的的半半导导体体中中,电电子子的的能能谱谱是是一一些些密密集集

29、的的能能级级组组成成的的带带(能能带带),能能带带与与能能带带之之间间被被禁禁带带隔隔开开。在在每每个个能能带带中中,电电子子的的能能量量E可可表表示示成成波波矢矢的的函函数数E(k)。在在绝绝对对零零度度时时,完完全全被被电电子子充充满满的的最最高高能能带带,称称为为价价带带,能能量量最最低低的的空空带带称称为为导带。导带。有效质量的概念及物理意义。有效质量的概念及物理意义。两种载流子的比较两种载流子的比较价带附近的空状态,称为空穴。可以价带附近的空状态,称为空穴。可以把它看成是一个携带电荷(把它看成是一个携带电荷(+q)、以、以与空状态相对应的电子速度运动的粒与空状态相对应的电子速度运动的

30、粒子。空穴具有正的有效质量。子。空穴具有正的有效质量。直接带隙半导体和间接带隙半导体直接带隙半导体和间接带隙半导体第一章习题第一章习题1.P44习题习题12.已知一维晶体的电子能带可写成:已知一维晶体的电子能带可写成: 式中式中a是晶格常数,试求:是晶格常数,试求:(1)能带宽度的表达式。)能带宽度的表达式。(2)电子在波矢)电子在波矢k状态时的速度表达式。状态时的速度表达式。3.右图为能量曲线右图为能量曲线E(k)的形状,试回答:的形状,试回答:(1)在在、三三个个带带中中,哪哪一一个个带带的的电电子子有有效效质质量量数数值值最最小小?(2)在在考考虑虑、两两个个带带充充满满电电子子,而而第第个个带带全全空空的的情情况况,如如果果少少量量电电子子进进入入第第个个带带,在在带带中中产产生生同同样样数数目目的的空空穴穴,那那么么带带中中的的空空穴穴有有效效质质量量同同带带中中的的电电子子有有效效质质量量相相比比,是是一一样、还是大或小?样、还是大或小?-/a/aP13图图1-10(c)

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