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1、集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 HLM多层线性模型：原理及应用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 South China University of Technology一、一、认识多多层线性模型性模型l在社会科学研究在社会科学研究进行
2、取行取样时，样本往往来自于不同的本往往来自于不同的层级和和单位，由此得到位，由此得到的数据伴随着的数据伴随着许多跨多跨级（多（多层）。多）。多层线性模型又叫做性模型又叫做“多多层分析分析（multilevel analysis）”或者是或者是“分分层线性模型（性模型（hierarchical modeling）”l最大的意最大的意义是解决了随机是解决了随机误差的独立性差的独立性问题。l在社会科学中，多在社会科学中，多层线性性结构具有普遍性，如以下三种情况：构具有普遍性，如以下三种情况：内涵丰富操作简单有待规范方杰等：方杰等：我国近十年来心理学研究中我国近十年来心理学研究中 HLM 方法的方法的
3、应用述用述评，心理科学，心理科学，2013，36（5）：）：1194-1200集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 一、一、认识多多层线性模型性模型South China University of Technology见孙旭等：见孙旭等：坏心情与工作行为坏心情与工作行为心理学报，心理学报，2014，Vol.46，No.11,1704-1718见马军等：见马军等：成就目标导向、团成就目标导向、团队绩效控制对员工创造力的
4、跨层队绩效控制对员工创造力的跨层次影响次影响，心理学报，心理学报，2015，Vol.47，No.1,79-92集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 二、多二、多层线性模型性模型调节在在18个个团队中抽取了中抽取了302名名员工，那么很有可能的情况就是某些工，那么很有可能的情况就是某些团队员工的工的创新行新行为水平普遍高，而水平普遍高，而这就有可能是因就有可能是因为这个个团队心理安全感比心理安全感比较高，影响高，影响到了
5、到了组织支持感支持感对创新行新行为的作用的作用过程。程。South China University of Technology组织支持感创新行为团队心理安全感LEVEL 2LEVEL 1H1：aH2：bH3：c假设1：层次一的自变量对因变量产生直接效果假设2：层次二的调节变量对因变量产生直接效果假设3：层次二的调节变量在自变量对因变量的关系中起到调节作用验证条件：验证条件：1，因变量的组间与组内变异成分必须存在，因变量的组间与组内变异成分必须存在2，层次一的截距必须存在变异，层次一的截距必须存在变异3，层次一的斜率必须存在变异，层次一的斜率必须存在变异4，层次一的截距的变异成分可由层次二的变
6、量所解释，层次一的截距的变异成分可由层次二的变量所解释5，层次一的斜率的变异成分可由层次二的变量所解释，层次一的斜率的变异成分可由层次二的变量所解释说明：首先，需要单因素方差分析比较团队之间的高层次变量（如团队心理安全感）是否存在显著差异（没差异就瞎了）。如果团队层面量表是由团队内的个体填写的，则需要计算Rwg、ICC1、ICC2值。Rwgj=J1-(S2xj)/2eu / J1-(S2xj)/( 2eu)+(S2xj)/ (2eu)Rwgj是指在J个平行的问项上所有回答者的组内一致性组内一致性，S2xj指在J个问项上所观察到的方差的平均数平均数，2eu是指假设所有回答者只存在随机误差下所期望
7、的方差所期望的方差。Rwgj大于0.7说明资料适合整合处理。所有团队逐个计算。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 （1）虚无模型）虚无模型 Level 1 ： Yij = 0j + rij 其中其中Var（rij）= 2 Level 2 ： 0j = r00+Uoj 其中其中Var（U0j）= 00（2）随即参数回归模型）随即参数回归模型 Level 1 ： Yij = oj + 1j（组织支持感组织支持感）+ ri
8、j Level 2 ： oj = 00+U0j 1j = 10+U1j（3）截距预测模型）截距预测模型 Level 1：Yi j= oj + 1j（组织支持感组织支持感）+ rij Level 2：o j= 00 + 01（团队心理安全感）（团队心理安全感）+ Uoj 1j = 10 + U1j（4）斜率预测模型（完整模型）斜率预测模型（完整模型） Level 1：Yij = oj + 1j（组织支持感组织支持感）+ rij Level 2：oj = 00 + 01（团队心理安全感）（团队心理安全感）+ Uoj 1j = 10 + 11（团队心理安全感）（团队心理安全感）+ U1j二、多二、多
9、层线性模型性模型调节South China University of TechnologyICC1 =00 /（00 + 2）说明因变量的变异中有大比例是由于组间差异造成的，表示组内个体间的相依程度（余下比例来自于个体层面的差异）。大于0.12。ICC2=k(ICC1)/1+(k-1)ICC1 大于0.7K是群体数量。这三项指标满足要求后说明该构念的数据可以由个体层面的数据通过聚合来获得。 10 代表层次一的自变量X与因变量关系Y的估计参数，如果回归系数达到显著水平，说明其与因变量Y之间有显著关系（a）。结合本例，说明组织支持感对创新行为有显著影响。接下来计算组内方差2相较于空模型2的变化情
10、况（即R2level-1），说明这些个体因素进入了方程后，解释了由个体因素所造成的多大比例因变量的变异（如该值为0.21，说明创新行为的组内方差有21%可被组织支持感所解释）。观察回归系数是否显著和方差成分值的变化（ R2level-2）。01显著说明M对Y确实存在直接影响（b）。R2level-2如果等于0.1，说明有10%的Y组间方差可被M所解释。（组内方差和组间方差的值比空模型有所减少，就要报道变化比例，说明该变量可以解释多少的组内/组间变异）11 显著说明调节效应c成立。 R2level-2交互作用效果交互作用效果也要关注，若其等于0.24，说明引入团队心理安全感可减少第二层斜率项24
11、%的变异程度。观察10方差成分的值，如果达到显著说明X对Y的影响在各群组间存在显著的变异，因此需要进行调节效果的检验。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 二、多二、多层线性模型性模型调节South China University of Technology集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非
12、常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 二、多二、多层线性模型性模型调节South China University of Technology需要注意：需要注意：1 1，IDID编码从编码从01990199，从，从001999001999，中间不可遗漏。，中间不可遗漏。2 2，第一层和第二层的数据，第一层和第二层的数据存放为两个文件。存放为两个文件。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 二、多二、多层线
13、性模型性模型调节LEVEL 1 LEVEL 2South China University of Technology集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 二、多二、多层线性模型性模型调节虚无模型虚无模型ICC1=？ICC2=？South China University of Technology回归系数与标准误方差成分和卡方检验离异数集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容
14、器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 二、多二、多层线性模型性模型调节随机模型随机模型South China University of Technology回归系数与标准误方差成分和卡方检验离异数集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 二、多二、多层线性模型性模型调节截距模型截距模型South China Universit
15、y of Technology回归系数与标准误方差成分和卡方检验离异数集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 二、多二、多层线性模型性模型调节斜率模型斜率模型South China University of Technology回归系数与标准误方差成分和卡方检验离异数集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因
16、其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 二、多二、多层线性模型性模型调节随即参数回归模型关注的结果：随即参数回归模型关注的结果：固定效应估计采取带有稳健性标准误差（with robust standard errors）的方法。层一的变量需进行总平均中心化处理group centered，可提高截距的解释力。层二的部分选择variable uncentered，可避免多重共线性。South China University of Technologyii=11/22/33集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层
17、布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 二、多二、多层线性模型性模型调节South China University of Technology固定模式 虚无模型随机模型截距模型斜率模型回归系数标准误回归系数标准误回归系数标准误回归系数标准误截距项截距项003.54*0.073.54*0.071.10*0.521.110.67LEVEL-1预测因子预测因子组织支持100.23*0.100.25*0.100.071.02LEVEL-2 预测因子预测因子团队心理安全感010.65*0.140.64*0.18跨层次交互作用跨层
18、次交互作用组织支持安全感110.050.27随机效应随机效应方差成分2检验方差成分2检验方差成分2检验方差成分2检验第二层00第二层11第一层 20.080.2476.86*0.080.2286.5*0.030.090.2249.64*41.98*0.030.100.2249.57*41.52*R2level-10.08R2level-20.63R2level-2交互作用项-0.11离异数（-2LL）460.09439.96426.40424.89说明组间方差是显著的。其中由于组别差异所造成的变异程度为0.08，占总体变异数的ICC1%，余下的变异来自于员工个体层面的差异。离异数降低说明模型适
19、配度提高2较零模型减少8%，说明有8%的创新行为组内方差可被组织支持感解释。说明组织支持感对创新行为有正向影响（a）说明不同组间确实存在不同的截距，组织层面的心理安全感对员工创新行为的影响可能存在说明有63%的创新行为组间方差可以被团队心理安全感所解释表明团队心理安全感对创新行为有正向影响（b），随后的检验必须控制其直接影响随机效应显著，表明组织支持感对创新行为的影响在各群组间存在显著的变异，因此需要进行调节效果的检验表明引入团队心理安全感反而增加了第二层斜率项11%的变异程度正常应当减少跨层次交互作用未达到显著，说明调节效应未成立（c）集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作
20、上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 三、多三、多层线性模型性模型中介中介221在在18个个团队中抽取了中抽取了302名个体，那么很有可能的情况就是某些名个体，那么很有可能的情况就是某些团队个体的个体的创新行新行为水平普遍水平普遍较高，而高，而这就有可能是因就有可能是因为这个个团队承承诺型型HRM水平比水平比较高，高，并通并通过影响影响团队心理安全感影响到个体心理安全感影响到个体创新行新行为。South China University of Technology承诺型HR
21、M创新行为团队心理安全感LEVEL 2LEVEL 1H1：aH2：bH3：c集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 （1）虚无模型）虚无模型 Level 1 ： Yij = 0j + rij 其中其中Var（rij）= 2 Level 2 ： 0j = r00+Uoj 其中其中Var（Uij）= 00（2）第二步第二步 Level 1 ： Yij = oj + rij Level 2 ： oj = 00+ r01c（承诺
22、型（承诺型HRM）+U0j（3）第三步第三步 Level 2：M j= 00 + r01a （承诺型承诺型HRM）+ Uoj（4）第四步第四步 Level 1：Yij = oj + rij Level 2：oj = 00 + r01c （承诺型承诺型HRM）+ r02b （团队心理安全感）（团队心理安全感）+Uoj三、多三、多层线性模型性模型中介中介221South China University of Technology关注ICC1 ICC2 符合要求可进入下一步表示X对Y的直接效应c，达到T检验显著水平方可进行下一步表示X对M的直接效应a，达到显著水平方可进行下一步表示中介变量M对因变
23、量Y的效应b表示在中介变量M存在的情况下，自变量X对因变量Y的效应c当r01c 、r01a、 r02b的值t检验都达到显著水平时，就一定有中介效应存在。如果r01c估计值达到显著水平，但r01c r01c ，说明是部分中介；如果r01c估计值没有达到显著水平，说明是完全中介。中介效应的大小用ab（即r01a r02b ）或c-c （即r01c - r01c ）来衡量；中介效应量用ab/ab+c 的比值来衡量。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚
24、焊.脱焊等原因故障率较高。 四、多四、多层线性模型性模型中介中介211在在18个个团队中抽取了中抽取了302名个体，那么很有可能的情况就是某些名个体，那么很有可能的情况就是某些团队个体的个体的创新行新行为水平普遍水平普遍较高，而高，而这就有可能是因就有可能是因为这个个团队承承诺型型HRM水平比水平比较高，高，并通并通过影响个体影响个体组织支持感影响到个体支持感影响到个体创新行新行为。South China University of Technology承诺型HRM创新行为组织支持感LEVEL 2LEVEL 1H1：aH2：bH3：c集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许
25、多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 （1）虚无模型）虚无模型 Level 1 ： Yij = 0j + rij 其中其中Var（rij）= 2 Level 2 ： 0j = r00+Uoj 其中其中Var（U0j）= 00 Level 1 ： Mij = 0j + rij 其中其中Var（rij）= 2 Level 2 ： 0j = r00+Uoj 其中其中Var（U0j）= 00（2）第二步第二步 Level 1 ： Yij = oj + rij Level 2 ： oj
26、= 00+ r01c（承诺型（承诺型HRM）+U0j（3）第三步第三步 Level 1 ： Mij = 0j + rij Level 2： 0j = 00 + r01a （承诺型承诺型HRM）+ Uoj（4）第四步第四步 Level 1：Yij = oj + 1j （组织支持感）（组织支持感）+ rij Level 2：oj = 00 + r01c （承诺型承诺型HRM）+Uoj 1j =r10b 四、多四、多层线性模型性模型中介中介211South China University of Technology由于X对Y的直接效应c和X对M的间接效应a都涉及层2变量对层1变量的跨层级效应，故Y
27、和M都需要检验ICC1 ICC2 符合要求可进入下一步表示X对Y的直接效应c，达到T检验显著水平方可进行下一步表示X对M的直接效应a，达到显著水平方可进行下一步当r01c 、r01a、 r02b的值t检验都达到显著水平时，就一定有中介效应存在。如果r01c估计值达到显著水平，但r01c r01c ，说明是部分中介；如果r01c估计值没有达到显著水平，说明是完全中介。中介效应的大小用ab（即r01a r02b ）或c-c （即r01c - r01c ）来衡量（在两层级中介效应中， ab 和c-c 在数值上略有差异，但在大样本条件下这个差异会消失）；中介效应量用ab/ab+c 的比值来衡量。此处的M需进行中心化处理表示在M存在的情况下，X对Y的效应c表示M对Y的效应b集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 谢 谢！
