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1、集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。1. 现有产品：现有产品：COSMOS成篮圈成篮圈HyperSoft 收尾圈收尾圈HydroSoft 膨胀圈膨胀圈Traxcess微导丝微导丝Headway微导管微导管2.
2、 刚上市的产品：刚上市的产品：VFC范围填充圈范围填充圈 HydroFrame，HydroFill膨胀圈膨胀圈3. 新产品：新产品：新支架新支架 LVIS新双腔球囊新双腔球囊 - Scepter 概括概括集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。COSMOS 成成篮圈圈集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管
3、脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。沿动脉瘤内周形成框架非常稳定更好控制重新放置更轻松长度更长，可选择10和18系统（10系统抗解旋）尺寸：2X2mm,24X68mmCOSMOS 成成篮圈圈集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。前两个环较小并逐步变大，这样放进动脉放进动脉瘤时更好控制瘤时更好控制独特的可变直径环与创新式的展开相结合，在动脉瘤的内周和颈部形成优秀的框架在动脉瘤的内周和颈部形成优秀的框架C
4、OSMOS 独特之独特之处集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。尺寸逐步变大的环尺寸逐步变大的环前两个环的尺寸逐步变大，使得进入动脉瘤更好的控制例如，一个6mm的弹簧圈第一个环为4mm第二个环为5mm第三环为6mm这能更好地控制进入动脉瘤的初始放置第一个环留在动脉瘤内集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其
5、管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。Cosmos 10弹簧圈的环模式弹簧圈的环模式Cosmos复杂形圈的环规格表复杂形圈的环规格表 10的尺寸的尺寸集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。Cosmos 10弹簧圈的环模式弹簧圈的环模式集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，
6、所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。可变直径环可变直径环独特的可变直径环与创新式的展开相结合能提供以下优点：在动脉瘤颈部和内周形成优秀的框架广泛的覆盖在动脉瘤中非常稳定中心保留了开放的空间用于填充集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。重新放置重新放置当需要重新放置时，将以不同的构形重新展开把控制权交到医生的手中集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布
7、线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 Cosmos和和 ev3公司的公司的Axium3DAxium3D圈圈弹簧圈簧圈尺寸尺寸和体和体积比比较 集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。Cosmos 和和 Micrus(Cordis)的的 Micrusphere 弹簧圈弹簧圈尺寸尺寸和体积比较和体积比较 集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片
8、上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。弹簧圈体积比较弹簧圈体积比较 最长长度的最长长度的6mm Cosmos 和和 6mm GDC 360集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。特色特色/优点综述优点综述逐步变大的初始环逐步变大的初始环 使得进入动脉瘤的弹簧圈展开更好的控制 独特的可变直径环与独特的
9、可变直径环与 创新式的展开创新式的展开相结合相结合可变直径环将弹簧圈导向动脉瘤的四周，形成最优化的框架随着环的展开，它们支撑前面已展开的环环会自动沿动脉瘤的内周找寻空间，从而达到出色的颈部覆盖稳定性稳定性为后续放置的弹簧圈提供一个稳定的篮筐具有同心性填充的能力长度选择长度选择更长的长度，可以达到更大填充体积和更宽的覆盖集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。视频视频1集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作
10、上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。视频视频2集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。尺寸建议尺寸建议球形动脉瘤 用和动脉瘤大小一样的尺寸例如6mmx6mm动脉瘤 -用6mm弹簧圈尺寸不是整数:如果动脉瘤比弹簧圈的整数尺寸稍大, 则用稍小规格的圈例如6.7mmx6.5动脉瘤 -用6mm弹簧圈椭圆的动脉瘤
11、 :用中值或更小些的尺寸例如6x4动脉瘤 -用5mm弹簧圈例如7mmx4动脉瘤 -用5mm弹簧圈建议用尺寸稍小的弹簧圈（不要偏大），表现会更好集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。COSMOS最好的微导管位置在4:00点或8:00点钟的位置放入动脉瘤内1约/3,不要在动脉瘤囊内太高（太深）的位置推荐用于球形不规则形集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或
12、遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。带柔软型V-Trak 输送系统超软收尾圈集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。特点特点o更软的弹簧圈更软的弹簧圈o更软的推进杆更软的推进杆o新的新的 1.5mm 和和 2.5mm产品代码产品代码 优势o顺应性更好，从而更容性更好，从而更容易地易地进入小的空入小的空间o几乎没有微几乎没有微导管偏管偏转， 便于放置。便于
13、放置。o小空小空间的更多的更多选择， 在在软度重要的情况小，度重要的情况小， 提高更多的提高更多的选择验证o弹簧圈簧圈悬垂垂实验o弹簧圈簧圈变形形测试o微微导管偏管偏转测试o推推进杆柔杆柔软灵活性灵活性测试o6个新增加的个新增加的产品代品代码特点和优势特点和优势集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。弹簧圈的柔软度弹簧圈的柔软度: 弹簧圈悬垂测试弹簧圈悬垂测试*所有的测试都用2mmx4cm弹簧圈A = AxiumB = D
14、eltaPlushC = UltraSoft弹簧圈悬垂长度区别百分比弹簧圈簧圈悬垂垂对比比更柔更柔软，更，更顺应，放置更容易，放置更容易，可以达到更大的填充密度可以达到更大的填充密度集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。弹簧圈变形力弹簧圈变形力:把弹簧圈挤入极小空间的能力把弹簧圈挤入极小空间的能力A = AxiumB = DeltaPlushC = UltraSoft*所有的测试都用2mmx4cm弹簧圈弹簧圈偏簧圈偏转对
15、比比圈的柔圈的柔软性决定其性决定其顺应性和性和进入狭小空入狭小空间的能力的能力更高变形力百分比HyperSoft圈比竞争产品的变形力要低240%集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。微导管的变形微导管的变形: HyperSoft 弹簧圈使微导管变形最小弹簧圈使微导管变形最小A = AxiumB = DeltaPlushC = UltraSoft*所有的测试都用2mmx4cm弹簧圈微微导管偏管偏转对比比更柔更柔软性的推性的
16、推进杆，杆，设计用用来微来微导管的移管的移动最小最小推推进杆杆对比比测试表明柔表明柔软型型V-Trak输送系送系统引引起的微起的微导管偏管偏转小小14.7%集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。输送系统柔软度测试输送系统柔软度测试:更柔软的输送系统使微导管更稳定更柔软的输送系统使微导管更稳定A = AxiumB = DeltaPlushC = UltraSoft*所有的测试都用2mmx4cm弹簧圈推推进杆柔杆柔软灵活度灵
17、活度对比比更柔更柔软性的推性的推进杆，杆，设计用来达到更高的用来达到更高的微微导管管稳定性定性集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。柔软度设计比较柔软度设计比较HyperSoft圈丝比Axium的小17%HyperSoft为0.00125”，Axium为0.0015”(都为1.53.0mm的圈)*From Axium Brochure集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元
18、器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。HyperSoft 的尺寸的尺寸所有1.56mm可现供*1.53.0mm尺寸软的弹簧圈和推进杆4.06.0mm尺寸弹簧圈没有改变只改变了推进杆集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。新一代的水凝胶膨新一代的水凝胶膨胀圈圈明年上市明年上市12月份月份刚获得批准得批准已已经上市数年上市数年填充填充收尾收
19、尾成成蓝集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。膨膨胀视频集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。术后立即造影后立即造影HydroCoil病例病例: Cekirge 弹簧圈手术前后造影集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管
20、及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。手手术后后10和和20分分钟造影造影20 20 分分钟后后10 10 分分钟后后集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。11个月后随访造影11 个月个月对照照集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法
21、将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。3年随访造影3年随年随访对照照集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。Comparative Endothelization of Coils: Animal Models“inHydroCoilfilledaneurysms,thelesionorificeswereflatandcoveredwithstrongwhitefib
22、roustissue,whichcontinuouslyarisesfromtheedgesoftheneckoftheaneurysmcoveringtheaneurysmorificeswithHydroCoilmaybeimportanttheclosetheaneurysmpermanently”“HydroSoftcoilsattheneckoftheaneurysmmayhelpinduceneointimaformation,whichmayleadtolesscoilcompactionandaneurysmrecanalizationinclinicalpractice”Yo
23、shinoY,NiimiY,SongJ,SilaneM,BerensteinA.Endovasculartreatmentofintracranialaneurysms:comparativeevaluationinaterminalbifurcationaneurysmmodelindogs.JournalofNeurosurgery;101:9961003,December2004TsumotoT,NiimiY,BerensteinA:EvaluationofthenewHydroSoftcoilinacaninemodelofbifurcationaneurysm.JNeurosurg.
24、PublishedonlineMarch27,2009.集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。HELPS 柳叶刀柳叶刀杂志志发表表Prospective, randomized controlled trial, with blinded independent core lab review, comparing HydroCoil to bare platinum coilsDr. Phil White, Edinb
25、urgh, Scotland Primary InvestigatorDr. Jean Raymond, Montreal, Canada Core Lab / CHUMEnrollment in 24 centers and in 7 countries; Sep 04 Feb 07499 patients enrolled18 month follow-up (mean 17.5 mos.)Stents and balloons allowed and any manufacturers bare platinum coils to reflect current standard of
26、careAneurysm Size: 2mm - 25mmWFNS Grade 0-3Age range 18-75集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。The HELPS Trial proved the HydroCoil Embolic System (HES):HES:造影结果更好HES:再治疗率低HES:急性期破例动脉瘤中效果更好HES:再出血率低HES:填塞致密度更高HES:使用弹簧圈的总长度少HES:血栓栓
27、塞事件发生率更低HELPS - 柳叶刀杂志发表集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。新一代的水凝胶膨新一代的水凝胶膨胀圈圈明年上市明年上市12月份月份刚获得批准得批准已已经上市数年上市数年填充填充收尾收尾成成蓝集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。
28、Traxcess导丝oTraxcess14oTraxcess14EXoDockingwire集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。混合式导丝构造0.0135”0.012”可塑形14 毫米不锈钢线圈铂金线圈产产品品总长总长度度镍钛合金合金芯芯长长度度不不锈钢芯芯长长度度铂金金线圈圈长度度不不锈钢线圈圈长度度可塑形部可塑形部分分长度度亲水涂水涂层长度度近端的直近端的直径径远端的直端的直径径Traxcess 14EX200 c
29、m60 cm140 cm6 cm34 cm1.4 cm40 cm0.014”0.012”Traxcess 14200 cm60 cm140 cm3 cm37 cm1.4 cm40 cm0.014”0.012”连接点对接长度2 cm标记（只有在（只有在 14EX 上）上）支撑支撑柔柔软不锈钢轴不锈钢轴镍钛合金芯镍钛合金芯集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。Traxcess导丝的主要特点末端耐用性+扭力控制可以从200cm
30、扩展到313cm混合技混合技术优化的芯化的芯设计对接接导丝集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。Traxcess导丝的主要特点末端耐用性+扭力控制混合技混合技术集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。为什么用混合技什么用混合技术? (末端末端轴)末端
31、轴记忆测试4mm把导丝推进到圆柱体内20mm导丝把导丝拉出一个循环集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。末端末端记忆测试结果果不不锈钢芯的芯的导丝Traxcess14SynchroSilverSpeedTransendSoftTransendSTDGTwire12GTwire14镍钛合金芯的合金芯的导丝镍钛合金芯可以提供更精准的控制和更好的形状保持能力合金芯可以提供更精准的控制和更好的形状保持能力集成电路是采用半导体制作
32、工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。扭力控制对比测试输出出ProwlerSelectPlus输入入Gyorkemodel#4-15为什么用混合技什么用混合技术? (末端末端轴)集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。扭力控制扭力控制对比比测试结果果输入入Transend
33、EXTransend Soft TipSynchro2 SoftTraxcessSynchro2 STDSynchro 14SilverSpeed 14GTwire14 GTwire12芯不锈钢不锈钢不锈钢混合不锈钢不锈钢不锈钢镍钛镍钛00000000009000000000018030151000000027022037030205000036040039040125180150004507507453753652453755005407707553805005303752010063011201105585665575740453250720114511157758359157651803
34、7508101475147096598094511252256950900150514859701135129011303507300990102040(角度角度) )不不锈钢芯可以提供更精准的扭力控制芯可以提供更精准的扭力控制集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。Traxcess导丝的主要特点优化的芯化的芯设计40%更软的头端或优化的支撑(Traxcess14)(Traxcess14EX)集成电路是采用半导体制作工艺，
35、在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。Traxcess 14头头端更端更软软 40%很柔很柔软很安全很安全,但支撑减少但支撑减少集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。Traxcess 14EX 提供最佳的支撑提供最佳的支撑最佳支撑的最佳支撑的导丝能在极具挑能在极具挑战性的解剖部
36、位引性的解剖部位引导微微导管管集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。Traxcess 14EX具有最佳的跟踪性能具有最佳的跟踪性能M1-M2分叉IC-A1分叉ICA1M2M2Traxcess14EXTraxcess14EXTraxcess14EX优化的化的设计可以在可以在锐角分叉角分叉处提供提供优秀的跟踪性能秀的跟踪性能集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层
37、布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。头头端硬度端硬度测试测试测试方法0固定的跨度10mm2mm/s30头端硬度(无创)集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。测验结果果 -10 毫米跨度毫米跨度Traxcess14头端更端更软40% ， ，Traxcess14 EX的的支支撑力撑力最佳最佳集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许
38、多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。Product NameDescriptionCore wireDistal constructionTotal Length cmTorque ControlBifurcationShape retentionSupportProx. ODDistal ODTraxcess14HybridCoil200*0.014” 0.012”14EXHybridCoil200*0.014” 0.012”DockingWire Stainlessstee
39、l Nitinolhypotube115-0.014 0.014GTwire12Pre-shapeNitinolPlasticjacket200*0.012 0.01114ShapeableeNitinolPlasticjacket200*0.014 0.01316Pre-shapeNitinolPlasticjacket200*0.016 0.015TransendEX.014Standard StainlesssteelPlasticjacket182*0.014” 0.014”SoftTipStainlesssteelPlasticjacket205*0.014” 0.014”Flopp
40、y StainlesssteelPlasticjacket205*0.014” 0.014”Platinum Stainlesssteel Plasticjacket-coil205*0.014” 0.014”Synchro2,AccessLengthSoftStainlesssteel Nitinolhypotube200*0.014” 0.014”Soft,Pre-shaped Stainlesssteel Nitinolhypotube200*0.014” 0.014”Standard Stainlesssteel Nitinolhypotube200*0.014” 0.014”Stan
41、dard,Pre-shaped Stainlesssteel Nitinolhypotube200*0.014” 0.014”SilverSpeed14 StainlesssteelCoil200*0.014” 0.014”Agility14Standard StainlesssteelCoil205*0.014 0.01414Soft StainlesssteelCoil205*0.014 0.014Neuroscout14Standard StainlesssteelCoil205*0.014 0.01414Soft StainlesssteelCoil205*0.014 0.014WAT
42、USI14 StainlesssteelCoil205*0.014 0.014GuidewirePositioning集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。Traxcess的产品定位扭力控制SynchroTransendTraxcessNeuroScout=SilverSpeed支撑Traxcess14EXSynchroSTD=SilverSpeed=TransendEXGtwire12=SynchroSoftTrans
43、endSoftTipTransendFloppyTransendPlatinumTraxcess14在锐角分叉部位的跟踪能力GTwire12Traxcess14EXSynchroTraxcess14=TransenEXTranendSoftTipSilverSpeed形状保持能力GTwire12Traxcess14TransendEXTraxcess14EX Synchro2SoftSynchroTransendSoftTipSilverSpeed集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电
44、路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。ProductMagic1.2Magic1.5Sonic1.2Sonic1.5HyperFormHyperGlideEclipseCopernicMarathonProwler10Rebar10FasTracker10SL10Prowler14Prowler Select LPESHeadway17Echelon10/14Rebar14Courier170Excel14Excelsior1018Courier190Headway21Prowler PlusProwler Select PlusRapidTransitTransi
45、tRenegadeFasTracker 18Rebar18ID0.010”0.010”0.012”0.013”0.015”0.0165”0.017”0.019”0.021”Traxcess 14Traxcess 14EXDocking Wire:compatible:notcompatibleWireCompatibility集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。Traxcess对接导丝当需要当需要时， ，连接延接延长不
46、需要不需要时，移除，移除可用于微可用于微导管交管交换（支架）（支架）Traxcess对接系统200cm313cm可替可替换 300 cm 交交换导丝集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。要点集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。推荐小的塑形棒-Tr
47、axcess14EX的塑形能力要略差于Traxcess14比Traxcess14的不透射线标记长度更长-6cm(Traxcess14不透射线长度为3cm)泰尔茂亲水涂层-浸泡3分钟-亲水涂层使得头端更软Traxcess14EX导丝的要点集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。微导管oHeadway17导管oHeadway21导管集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按
48、照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。Headway17技术规格远端节段： 30 cm1.9F第一第二远端节段： 11 cm1.9F第三第4第5 第6第7近端节段： 2.4F近端节段： 2.4F柔软段强强韧的的Headway17Advanced“柔软型”Headway17Advanced远端的头端： 1.7F远端的头端： 1.7F微微导管体构造管体构造微导管体从强韧近端管体到柔性远端节段之間共有七个七个软度渐变的等级，使整个管体实现一个平滑的过渡竞争优势： ev3 Echelon 和 Cordis Prowler
49、只有 4个节段， SL10 有 5个节段较多的节段柔顺光滑的推送和更容易的导管控制！“柔软型”Headway Advanced导管末端有更长柔性的节段（30cm) 可提高弹簧圈在推送时力量感知的灵敏度。仅供内部使用仅供内部使用集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。Headway17Advanced的构造Headway17Advanced采用了一项内衬逐渐变薄的专有技术远端的薄内衬使得在远端的头端中有更多热可塑性材料较多的
50、热可塑性物质更好的更好的头端塑形能力！端塑形能力！比较少的内衬材料比比较好的好的头端控制，和端控制，和输送送弹簧圈簧圈时有更好的有更好的 “刷漆式刷漆式”动作！作！PTFE内衬增强线圈热塑层集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。更好的头端塑形能力SL-10Echelon10Headway17Prowler14 使用相同的塑形针来为微导 管塑形 用蒸气塑形30秒，且在室温 下生理盐水浸湿 Headway17更容易按塑形针
51、形状成形，而且在使用期间 能更好地保持它的形状。 如果有需要，预塑形的 Headway17导管也可以进行 再次塑形。Headway17 Advanced具有更好的塑形性能！具有更好的塑形性能！集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。远端端节段的构造和薄的段的构造和薄的远端内端内衬设计大大提高了大大提高了弹簧圈的放置能力簧圈的放置能力非常软的远端节段让微导管的头端在弹簧圈放置时顺应性弯曲支撑性的第二节段为弹簧圈放置提供良好支
52、撑，微导管位置更加稳定1234柔软的第1段在弹簧圈展开时做“刷漆式”动作第2段为弹簧圈放置提供支撑第一个第一个节段帮助段帮助弹簧圈均匀地展开，第二个簧圈均匀地展开，第二个节段提供支撑段提供支撑头端“刷漆式效果集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。起始位置Headway17Advanced的置圈支撑Headway17 Advanced 置圈置圈时的支撑效果超的支撑效果超过其他其他 微微导管！管！支撑支撑Headway17A
53、dvanced第二节段的支撑保持在动脉瘤瘤颈部，帮助导管不被弹簧圈踢出，从而达到更高的动脉瘤填充密度。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。“柔柔软型型”Headway17 Advanced 给你更多反你更多反馈，超，超过其他微其他微导管管Headway17Advanced“柔软型”起始位置柔柔软在弹簧圈对动脉瘤壁产生较大压力之前，“柔软型”Headway17的头端就会偏转，适用于弹簧圈压力灵敏度非常重要的情况下。集成电
54、路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。圆滑的滑的远端端头端端更柔更柔顺地通地通过迂曲的解剖部位！迂曲的解剖部位！Headway17Advanced的圆形远端头端可让你跟踪通过最迂曲的血管解剖部位，比其他微导管更出色。圆形的头端也可让你更容易地跟踪通过支架的网眼。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集
55、，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。vs SL10头端横截面比较vs Prowler14vs Echelon14vs Echelon10Headway17 Headway17 的的远端端头端更小、更短，并且更端更小、更短，并且更圆集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。持久耐用的亲水涂层Headway17Advanced采用了一项具有专有技术的亲水性涂从料，比其他的微导管更光滑、更持久耐用。在37C恒定张力之下进
56、行摩擦力试验。所有微导管被重复100次（或直到失败）。微导管的润滑性循环次数摩擦力（克）集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。VFC 自适自适应范范围填充圈填充圈 新一代新一代集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 VFC VFC 为什么称为为什么
57、称为“新一代新一代”弹簧圈弹簧圈 对传统观念的突破：传统：一一对应例如：3mm动脉瘤用3mm的圈，6mm动脉瘤用6mm的圈VFC:无需一一对应36mm的动脉瘤都用一个尺寸的圈集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。VFC 弹弹簧圈尺寸簧圈尺寸选择选择VFC自适应范围填充圈集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因
58、其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 VFC VFC 弹簧圈设计弹簧圈设计环状设计提高了稳定性波浪形设计促进了弹簧圈的均匀分布和自寻空间能力环和波浪的结合设计使得同一规格的VFC圈可以治疗一系列尺寸范围内的动脉瘤后续的复合环和波浪设计使得VFC弹簧圈均匀分布和自寻空间的性能更加优异集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。VFC弹弹簧圈簧圈 3-6mm X 10cm3mm普通螺旋填充圈3-6mmVFC
59、圈集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 VFC VFC 圈尤其适用于圈尤其适用于VFC 圈尤其适用于：1.不规则形状动脉瘤2.双囊或多子囊，3.扁长形动脉瘤4.梭形动脉瘤5.普通形状动脉瘤栓塞时形成的偏心或分区 等等。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故
60、障率较高。After1VFC3-6mm15cm集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。After1VFC3-6mmx15cmAnd1Hydrosoft2mmx8cmAnd1Hydrosoft2mmx4cm集成电路
61、是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。CourtesyofDr.FerdinandHui,ClevelandClinic(Cleveland,OH)7.9 x 3.5 mm集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。After1VFC3-6mm15Notetha
62、tthecoildistributesthroughtheentireaneurysmdespitestationarymicrocatheterpositionCourtesyofDr.FerdinandHui,ClevelandClinic(Cleveland,OH)集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。AftertheinitialVFC3-6mmx15cmandthefollowing1VFC3-6x10cm.N
63、otethatthedomeisnowfilled.CourtesyofDr.FerdinandHui,ClevelandClinic(Cleveland,OH)集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。VFCVFC使用要点使用要点VFC是填充圈：必须先用成蓝圈 钻空能力强有支架和球囊辅助，也可以直接作为第一根圈使用，而不需“成篮”圈。集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器
64、件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。VFCVFC使用要点使用要点放置时，推进不要过快让VFC圈有时间充分发挥其自寻空间的能力使其在瘤腔内分布更加均匀，对动脉瘤进行更好的致密填塞。回收时，要慢 防止纠缠打结微导管头端摆动幅度可能稍大微导管头端位置：建议在瘤腔1/3左右，这样可以有足够的空间让VFC圈去充分展开集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故
65、障率较高。 革命性的革命性的弹簧圈簧圈设计：复合：复合环和波浪形和波浪形弹簧圈分布更均匀，填充密度更大，放置更容易超强的自寻空间能力一根弹簧圈可用于不同直径范围的动脉瘤大幅减少弹簧圈的库存量可选长度更长单个弹簧圈填充体积更大病人节省费用渐进的直径设计弹簧圈更柔软，更好放置所有弹簧圈均适用于内径0165”(0.42mm)的微导管VFC 弹簧圈簧圈总结集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 VFCVFC新一代弹簧圈新一代弹簧
66、圈 刚刚正式获得批准在中国上市刚刚正式获得批准在中国上市集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。 支架支架支架支架集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。LVIS 支架关支架关键特点及特点及优势复合式单根金属丝编织闭环设计具有激光雕刻闭环系统的使用方便
67、的特点(如EnterpriseTM)同时具有激光雕刻开环系统的贴壁良好与最小椭圆化的优点(如Neuroform)末端的不透射线标记，加上2根螺旋丝，实现支架的整体可视。适合直径2.0mm到5.0mm的载瘤动脉，并涵盖各种长度完全展开后的直径为3.5mm,4.5mm和5.5mm7个规格型号单根金属丝编织成的可滑动网状结构，能够提供更好的顺应性以及卓越的血管腔内支撑。网孔尺寸为1mm，适用当今更柔软更小的弹簧圈出色的通过性集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常
68、容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。LVIS 支架支架: 顺应性性 和和 可可视性性集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。Name that StentEnterpriseLVISLEOPlusNeuroformDoNotcopywithoutauthorizationNotforsaleintheU.S.ConfidentialInformationMicroVention,Inc.集成电路是采用半导体制作工艺，在一块
69、较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。LVIS/LVIS Jr. 支架支架 创新突破之新突破之处：目前唯一可以通过0.0165“微导管输送的支架Acom，M1/M2分叉，A2，等真正的Y形支架DoNotcopywithoutauthorizationNotforsaleintheU.S.ConfidentialInformationMicroVention,Inc.集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件
70、，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。2LVISJR集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。Headway 172 New LVIS JRY stent.集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚
71、焊.脱焊等原因故障率较高。 特点特点 & & 优势优势新型双内腔球囊新型双内腔球囊集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。产品线产品线- 顺应性球囊- 超顺应性球囊集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。单单内腔球囊内腔球囊 (ev3 and BALT
72、)堵塞管(plug)造影液导丝球囊标记用导丝封住堵塞管部位，以制造出一个球囊充盈用导丝封住堵塞管部位，以制造出一个球囊充盈/ /释放的内腔释放的内腔. . 集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。单腔球囊中与导丝错位相关的问题单腔球囊中与导丝错位相关的问题: :导丝卡在球囊里球囊充盈或释放缓慢或失败无法看见球囊球囊从头端泄漏为避免这些问题为避免这些问题, , 导丝导丝必须必须总是总是一直保持在导管中 需要特定的导丝 完全湿
73、润 血液血块单单内腔球囊内腔球囊 (ev3 and BALT)集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。双内腔球囊双内腔球囊 导丝内腔和充盈导丝内腔和充盈/ /释放内腔完全独立分开释放内腔完全独立分开导丝球囊标记造影液集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较
74、高。因为导丝内腔和充盈内腔完全分开因为导丝内腔和充盈内腔完全分开 , ,所以你可以所以你可以更自由地操作导丝，就像微导管一样，兼容到0.014的导丝不需要将球囊退出就可以进行导丝重新塑形或交换导丝是目前唯一可以同时输送以下器械的球囊是目前唯一可以同时输送以下器械的球囊输送弹簧圈输送LVIS Jr 支架打Onyx胶注射造影剂或其它液体药剂同时能保持球囊充盈状态同时能保持球囊充盈状态!双内腔球囊双内腔球囊 集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱
75、焊等原因故障率较高。放置导丝的独立工作管腔放置导丝的独立工作管腔(Scepter)(Scepter)1 1 导丝头端塑形成合适的形状以便更好的贴合导丝头端塑形成合适的形状以便更好的贴合血管走向血管走向2 - 2 - 通过导丝引导球囊导管进入，头端的标记点通过导丝引导球囊导管进入，头端的标记点可以帮助确认导管的位置可以帮助确认导管的位置3 - 3 - 如果有必要，可以移动导丝位置，或者对导如果有必要，可以移动导丝位置，或者对导丝头端进行重新塑形，帮助球囊更好的放置丝头端进行重新塑形，帮助球囊更好的放置4 - 4 - 在分叉处可以选择合适的导丝。如果有必要，在分叉处可以选择合适的导丝。如果有必要，
76、独立的工作管腔允许导丝重新塑形或移动独立的工作管腔允许导丝重新塑形或移动集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。在放置弹簧圈后通过球囊导管放置支架在放置弹簧圈后通过球囊导管放置支架1 - 1 - 球囊辅助弹簧圈栓塞球囊辅助弹簧圈栓塞2 - 2 - 当球囊释放后，一些弹簧圈当球囊释放后，一些弹簧圈脱垂到载瘤动脉中脱垂到载瘤动脉中33通过球囊导管输送通过球囊导管输送LVIS LVIS JrJr支架支架44展开支架展开支架55支
77、架被放置在载瘤血管中支架被放置在载瘤血管中集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。通过球囊导管注射液体通过球囊导管注射液体 或或 填弹簧圈填弹簧圈 当球囊充盈时可以通过当球囊充盈时可以通过ScepterScepter球囊导管球囊导管独立的工作管腔注入液体栓塞剂，比如独立的工作管腔注入液体栓塞剂，比如OnyxOnyx 胶胶密闭的工作管腔体积为密闭的工作管腔体积为0.4cc0.4cc头端长度是头端长度是5mm5mm也可以输送弹
78、簧圈也可以输送弹簧圈* * 液体栓塞剂的注射还没有获得核准液体栓塞剂的注射还没有获得核准集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。BalloonMVScepter CScepter XCCovidienHyperGlideHyperFormCODMANAscentBaltEclipseCopernic球囊上的亲水涂层YesNoYesYes(Copernic没有)ScepterHyperFormEclipseAscent亲水涂
79、层亲水涂层球囊上的亲水涂层球囊上的亲水涂层集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。产品规格产品规格ACDHIJB产品型号产品型号产品名称产品名称A 球囊直径球囊直径B球囊长度球囊长度C头端长度头端长度D导管工作导管工作长度长度E管腔充盈管腔充盈后的密闭后的密闭体积体积F球囊充盈球囊充盈体积体积( (名义上名义上) )G球囊充盈球囊充盈体积体积( (额额定的定的) )H近端管体近端管体外径外径I 头端外径头端外径J内腔直径内
80、腔直径BC0410CScepter C4.0mm10mm5mm150cm0.40cc0.16cc0.32cc2.8F2.1F0.0165 inBC0415CScepter C4.0mm15mm5mm150cm0.40cc0.18cc0.38cc2.8F2.1F0.0165 inBC0420CScepter C4.0mm20mm5mm150cm0.40cc0.22cc0.46cc2.8F2.1F0.0165 inBC0411XCScepter XC4.0mm11mm5mm150cm0.40cc0.10cc0.32cc2.8F2.1F0.0165 inE(I充盈管腔)BF(名义上:4mm)G(额定
81、:6mm)F(名义上:4mm)G(额定:5mm)C工作管腔的密闭体积：0.4cc包括接口处（C&XC都是）集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。1. 现有产品：现有产品：COSMOS成篮圈成篮圈HyperSoft 收尾圈收尾圈HydroSoft 膨胀圈膨胀圈Traxcess微导丝微导丝Headway微导管微导管2. 刚上市的产品：刚上市的产品：VFC范围填充圈范围填充圈 HydroFrame，HydroFill膨胀圈膨胀圈3. 新产品：新产品：新支架新支架 LVIS新双腔球囊新双腔球囊 - Scepter 概括概括集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路，因其管脚非常密集，所以非常容易造成虚焊.脱焊等原因故障率较高。谢谢！
