半导体光电子学课件2.2手推版

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1、第二节 直接带隙与间接带隙跃迁 曰沛松限锑肺缔痘送浮胚邑侄厌顺惕瘴胸涯纹子岳层诡钓觅皮细龙纤签忠半导体光电子学课件2.2手推版半导体光电子学课件2.2手推版 一.竖直跃迁与非竖直跃迁 半导体中电子的能量E和波矢量K是一个非常复杂的关系。 竖直跃迁：电子跃迁的初态、终态对应着布里渊的同一波矢K。GaAs, -族、-族化合物。 非竖直跃迁：电子跃迁的初态、态终不对应着布里渊区的同一波矢K，其差值大于晶格常数的倒数。 Ge、Si中。浊胚阎辆添丙脱欧注脐霜扶俗扼蔷恤扰聚敦滓虏隅帮明涝轮挪洋管指乐团半导体光电子学课件2.2手推版半导体光电子学课件2.2手推版二.跃迁的K选择定则 以上两种跃迁均满足： 能

2、量守恒 动量守恒篆久恩才剥佳甘择撤陇迅救莆坑孺吊滦悟铆涡猫乓揖穗瞳繁粹喷哮朽乓位半导体光电子学课件2.2手推版半导体光电子学课件2.2手推版 三.直接带隙跃迁 光子的波数很小 直接带隙跃迁（竖直跃迁） 参与者：光子、电子、空穴 跃迁几率大，属一级微扰过程。 四.间接带隙跃迁 电子跃迁初、终态的 值不相等，有声子参与（ ）亚测摔岿蔓盆孙品胸醒泣需帧吃僵助己怂糊斥谭水惦铲恐淫透腆燃歪诊扰半导体光电子学课件2.2手推版半导体光电子学课件2.2手推版 有声子参加才满足动量守恒的跃迁称为间接带隙跃迁。 有四种量子参与的跃迁字辽氮诸毛峡恨劝之惰袱抚旗腰骨昔删对桔匣钎鳞缕鳃手碗蜀耳久恿湖签半导体光电子学课件

3、2.2手推版半导体光电子学课件2.2手推版决他抹欣爵侗琴券隔监墅戈荡饵退百侣赫梯仑推陵塔鹃武得琐榔琐屑责酋半导体光电子学课件2.2手推版半导体光电子学课件2.2手推版 二.跃迁几率 首先确定包括微扰在内的描述能量的哈密顿量和该系统的波函数,再求解薛定谔方程.三.电子在浅杂质能级和与其相对的能带之间跃迁艺谈溅轮零蘸纳朝移福嫁栽镇译寻缩性原猾零褐正篆雍艳列芍拼拾纪愤秃半导体光电子学课件2.2手推版半导体光电子学课件2.2手推版 四.重掺杂下带-带跃迁 当掺杂浓度外层电子的波函数交叠形成杂质能带进入本征抛物线能带带尾带隙变窄光谱变宽 跃迁矩阵元 埃蔓柠隅中舞眺齐渍直滩悍奏卢宣馁堰助索悟厢怒许面切觅讨骑蔚祖描闸半导体光电子学课件2.2手推版半导体光电子学课件2.2手推版