LED芯片制造的工艺流程实用教案

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1、LED芯片制造的工艺流程芯片制造的工艺流程属属LED上游产业上游产业(chny)靠设备靠设备第1页/共65页第一页，共66页。引言(ynyn)LED是二极管，是半导体。本节讨论的LED的制造=LED的芯片制造。LED的制造工艺和其它(qt)半导体器件的制造工艺有很多相同之处。除个别设备外，多数半导体设备经过改进可以用于LED的制造。第2页/共65页第二页，共66页。引言(ynyn)LED芯片制造工艺分三大部分外延片按节的LED芯片的结构：选衬底，MOCVD在衬底上制作外延层（也叫镀膜），n区，发光区，p区，透明导电层。电极(dinj)对LED外延片做电极(dinj)（P极，N极）。芯片用激光机

2、切割LED外延片。第3页/共65页第三页，共66页。内容(nirng)一、LED芯片制造设备二、LED芯片衬底材料(cilio)的选用三、LED外延片的制作四、LED对外延片的技术要求五、LED芯片电极P极和N极的制作六、LED外延片的切割成芯片第4页/共65页第四页，共66页。1、LED芯片制造(zhzo)用设备外延片的制备：MOCVDMOCVD：是制作LEDLED芯片的最重要技术(jsh)(jsh)。 MOCVDMOCVD外延炉：是制造LEDLED最重要的设备。一台外延炉要100100多万美元，投资最大的环节。电极制作设备：光刻机、刻蚀机、离子注入机等。衬底加工设备：减薄机、划片机、检测设

3、备等。一、一、LEDLED芯片芯片(xn pin)(xn pin)制造设备制造设备第5页/共65页第五页，共66页。2、MOCVD设备(shbi)MOCVD金属(jnsh)有机物化学气相淀积（Metal-OrganicChemicalVaporDeposition）一、一、LEDLED芯片芯片(xn pin)(xn pin)制造设备制造设备第6页/共65页第六页，共66页。3、光刻机一、一、LEDLED芯片制造芯片制造(zhzo)(zhzo)设备设备第7页/共65页第七页，共66页。3、光刻机一、一、LEDLED芯片制造芯片制造(zhzo)(zhzo)设备设备第8页/共65页第八页，共66页。

4、4、刻蚀机一、一、LEDLED芯片制造芯片制造(zhzo)(zhzo)设备设备第9页/共65页第九页，共66页。5、离子注入机一、一、LEDLED芯片芯片(xn pin)(xn pin)制造设备制造设备第10页/共65页第十页，共66页。6、清洗机一、一、LEDLED芯片芯片(xn pin)(xn pin)制造设备制造设备第11页/共65页第十一页，共66页。7、划片机一、一、LEDLED芯片制造芯片制造(zhzo)(zhzo)设备设备第12页/共65页第十二页，共66页。7、划片机一、一、LEDLED芯片芯片(xn pin)(xn pin)制造设备制造设备同一(tngy)功能有不同型号设备选

5、择第13页/共65页第十三页，共66页。8、芯片(xnpin)分选机一、一、LEDLED芯片制造芯片制造(zhzo)(zhzo)设备设备第14页/共65页第十四页，共66页。9、LED芯片(xnpin)的制造从以上的的仪器设备可以看出，LED芯片的制造依靠大量的设备，而且有些设备价格昂贵。LED芯片质量(zhling)依赖于这些设备和操作这些设备的人员。设备本身的制造也是LED生产的上游产业，一定程度上反映国家的光电子的发展水平。一、一、LEDLED芯片制造芯片制造(zhzo)(zhzo)设备设备第15页/共65页第十五页，共66页。二、LED芯片(xnpin)衬底材料的选用LED芯片首要考虑

6、的问题：衬底材料的选用。选择衬底依据(yj)：根据设备和LED器件的要求进行选择。二、二、LEDLED芯片芯片(xn pin)(xn pin)衬底材料的选用衬底材料的选用第16页/共65页第十六页，共66页。三种(snzhn)衬底材料目前市面上一般有三种材料可作为衬底蓝宝石（Al2O3）硅(Si)碳化硅（SiC）除了以上三种常用的衬底材料之外，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。下面(ximian)分别介绍三种材料的特点二、二、LEDLED芯片衬底材料芯片衬底材料(cilio)(cilio)的选用的选用第17页/共65页第十七页，共66页。1、蓝宝石衬底蓝宝石衬底的优点：生产(shngchn)

7、技术成熟、器件质量好；稳定性很好，能够运用在高温生长过程；机械强度高，易于处理和清洗。二、二、LEDLED芯片芯片(xn pin)(xn pin)衬底材料的选用衬底材料的选用第18页/共65页第十八页，共66页。1、蓝宝石衬底蓝宝石衬底应用GaN基材料(cilio)和器件的外延层。对应LED：蓝光（材料(cilio)决定波长）二、二、LEDLED芯片衬底材料芯片衬底材料(cilio)(cilio)的选用的选用第19页/共65页第十九页，共66页。1、蓝宝石作为(zuwi)衬底的LED芯片芯片(xn pin)也叫晶粒二、二、LEDLED芯片衬底材料芯片衬底材料(cilio)(cilio)的选用的

8、选用第20页/共65页第二十页，共66页。1、蓝宝石作为(zuwi)衬底存的一些问题（1）晶格失配和热应力失配，这会在外延层中产生大量缺陷，同时给后续的器件加工工艺造成困难。（2）无法(wf)制作垂直结构的器件，因为蓝宝石是一种绝缘体，常温下的电阻率大于1011cm。二、二、LEDLED芯片芯片(xn pin)(xn pin)衬底材料的选用衬底材料的选用第21页/共65页第二十一页，共66页。1、蓝宝石作为(zuwi)衬底存的一些问题（3）成本增加：通常只能在外延层上表面制作n型和p型电极。在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果使材料利用率

9、降低。GaN基材料的化学性能稳定、机械强度较高，不容易对其进行(jnxng)刻蚀，因此在刻蚀过程中需要较好的设备。蓝宝石的硬度非常高，在自然材料中其硬度仅次于金刚石，但是在LED器件的制作过程中却需要对它进行(jnxng)减薄和切割（从400nm减到100nm左右）。二、二、LEDLED芯片芯片(xn pin)(xn pin)衬底材料的选用衬底材料的选用第22页/共65页第二十二页，共66页。1、蓝宝石作为(zuwi)衬底存的一些问题（4）导热性能不是(bshi)很好（在100约为25W/（mK）。为了克服以上困难，很多人试图将GaN光电器件直接生长在硅衬底上，从而改善导热和导电性能。二、二、

10、LEDLED芯片芯片(xn pin)(xn pin)衬底材料的选用衬底材料的选用第23页/共65页第二十三页，共66页。2、硅衬底硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，从而延长了器件的寿命。电极制作(zhzu)：硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式，分别是L接触（Laterial-contact,水平接触）和V接触（Vertical-contact，垂直接触），以下简称为L型电极和V型电极。通过这两种接触方式，LED芯片内部的电流可以是横向流动的，也可以是纵向流动的。由于电流可以纵向流动，因此增大了LED的发光面积，从而提高了LED的出光效率。二、二、LEDLED芯片芯片(xn pin

11、)(xn pin)衬底材料的选用衬底材料的选用第24页/共65页第二十四页，共66页。2、硅衬底应用：目前有部分LED芯片(xnpin)采用硅衬底，如上面提到的GaN材料的蓝光LED二、二、LEDLED芯片芯片(xn pin)(xn pin)衬底材料的选用衬底材料的选用第25页/共65页第二十五页，共66页。3、碳化硅衬底美国的CREE公司专门采用SiC材料(cilio)作为衬底二、二、LEDLED芯片芯片(xn pin)(xn pin)衬底材料的选用衬底材料的选用第26页/共65页第二十六页，共66页。3、碳化硅衬底特点(tdin)电极：V型电极设计，电流是纵向流动的，两个电极分布在器件的表

12、面和底部，所产生的热量可以通过电极直接导出；同时这种衬底不需要电流扩散层，因此光不会被电流扩散层的材料吸收(xshu)，这样又提高了出光效率。导热：碳化硅衬底的导热性能（碳化硅的导热系数为490W/(mK)）要比蓝宝石衬底高出10倍以上。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积较大的大功率器件。成本：但是相对于蓝宝石衬底而言，碳化硅制造成本较高，实现其商业化还需要降低相应的成本。二、二、LEDLED芯片衬底材料芯片衬底材料(cilio)(cilio)的选用的选用第27页/共65页第二十七页，共66页。4、蓝宝石衬底与碳化硅衬底的LED芯片(xnpin)二、二、LEDLED

13、芯片芯片(xn pin)(xn pin)衬底材料的选用衬底材料的选用第28页/共65页第二十八页，共66页。4、三种(snzhn)衬底的性能比较二、二、LEDLED芯片衬底材料芯片衬底材料(cilio)(cilio)的选用的选用第29页/共65页第二十九页，共66页。三、LED外延(wiyn)片的制作外延片制作技术分类1 1、液相外延：红色、绿色LEDLED外延片。2 2、气相外延：黄色(hungs)(hungs)、橙色LEDLED外延片。3 3、分子束外延4 4、金属有机化学气相沉积外延MOCVDMOCVD三、三、LEDLED外延外延(wiyn)(wiyn)片的制作片的制作第30页/共65页

14、第三十页，共66页。2、MOCVD设备工作(gngzu)原理载流气体(qt)金属(jnsh)有机反应源 反应腔一、一、LEDLED芯片制造设备芯片制造设备 反应通气装置真空泵阻断装置压力控制第31页/共65页第三十一页，共66页。2、MOCVD设备(shbi)工作原理说明MOCVD成长外延片过程载流气体通过金属(jnsh)有机反应源的容器时，将反应源的饱和蒸气带至反应腔中与其它反应气体混合，然后在被加热的基板上面发生化学反应促成薄膜的成长。因此是一种镀膜技术，是镀膜过程。一、一、LEDLED芯片制造芯片制造(zhzo)(zhzo)设备设备第32页/共65页第三十二页，共66页。MOCVD方法(

15、fngf)影响蒸镀层的生长速率和性质的因素：温度压力反应物种类反应物浓度反应时间衬底种类衬底表面性质等参数由MOCVD软件计算，自动控制完成(wnchng)，同时要实验修正摸索。三、三、LEDLED外延外延(wiyn)(wiyn)片的制作片的制作第33页/共65页第三十三页，共66页。MOCVD方法(fngf)外延片生长中不可忽视的微观动力学问题(wnt)反应物扩散到衬底表面衬底表面的化学反应固态生长物的沉积气态产物的扩散脱离三、三、LEDLED外延外延(wiyn)(wiyn)片的制作片的制作第34页/共65页第三十四页，共66页。MOCVD方法(fngf)反应(fnyng)气体在衬底的吸附表

16、面扩散化学反应(fnyng)固态生成物的成核和生长气态生成物的脱附过程等注意：反应(fnyng)速率最慢的过程是控制反应(fnyng)速率的步骤，也是决定沉积膜组织形态与各种性质的关键。三、三、LEDLED外延外延(wiyn)(wiyn)片的制作片的制作第35页/共65页第三十五页，共66页。MOCVD反应(fnyng)系统结构进料区反应室废气处理(chl)系统三、三、LEDLED外延外延(wiyn)(wiyn)片的制作片的制作第36页/共65页第三十六页，共66页。MOCVD反应系统(xtng)的技术要求提供洁静的环境。反应物抵达衬底之前应充分混合，以确保外延层的成分均匀。反应物气流需在衬底

17、的上方保持稳定的流动，以确保外延层厚度均匀。反应物提供系统应切换迅速，以长出上下层接口(jiku)分明的多层结构。三、三、LEDLED外延外延(wiyn)(wiyn)片的制作片的制作第37页/共65页第三十七页，共66页。MOCVD参数(cnsh)实例南京大学省光电信息功能材料重点(zhngdin)实验室使用三、三、LEDLED外延外延(wiyn)(wiyn)片的制作片的制作第38页/共65页第三十八页，共66页。MOCVD参数(cnsh)实例系统简介本系统为英国ThomasSwan公司制造，具有世界先进水平的商用金属有机源气相外延(MOCVD)材料生长系统，可用于制备以GaN为代表(dibi

18、o)的第三代半导体材料。在高亮度的蓝光发光二极管(LED)、激光器(LD)、日盲紫外光电探测器、高效率太阳能电池、高频大功率电子器件领域中具有广泛的应用。三、三、LEDLED外延外延(wiyn)(wiyn)片的制作片的制作第39页/共65页第三十九页，共66页。MOCVD参数(cnsh)实例该设备承担并完成国家“863”、国防“973”计划(jhu)项目和江苏省自然科学基金等多项研究任务。首次用MOCVD方法在LiAlO2衬底上实现非极化GaN/InGaN量子阱生长和LED器件制备，成果达到同期国际水平；研制的新型半导体InN材料其相关技术达到国际先进水平；制备高质量的用于紫外探测器结构材料性

19、能指标达到国际先水平。三、三、LEDLED外延外延(wiyn)(wiyn)片的制作片的制作第40页/共65页第四十页，共66页。MOCVD参数(cnsh)实例设备(shbi)参数和配置：外延片32英寸/炉反应腔温度控制：1200压力控制：0800Torr（）激光干涉在位生长监测系统反应气体：氨气，硅烷（纯度：6N=99.9999%）载气：氢气，氮气；（纯度：6N）MOCVD源：三甲基镓(TMGa)，三甲基铟(TMIn),三甲基铝(TMAl)，二茂基镁(Cp2Mg)三、三、LEDLED外延外延(wiyn)(wiyn)片的制作片的制作第41页/共65页第四十一页，共66页。国产(guchn)MOC

20、VD设备中国(zhnu)电子科技集团公司第四十八研究所l上游(shngyu)产业一、一、LEDLED芯片制造设备芯片制造设备第42页/共65页第四十二页，共66页。2、国产MOCVD设备(shbi)指标产品描述：GaN-MOCVD设备是集精密机械、电子、物理、光学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端电子专用设备，用于GaN系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫色LED芯片的制造(zhzo)，是国家半导体照明（白光LED）工程实施中最为关键的芯片制造(zhzo)设备，也是光电子行业最有发展前景的专用设备。一、一、LEDLED芯片芯片(xn pin)(xn pin

21、)制造设备制造设备第43页/共65页第四十三页，共66页。2、国产(guchn)MOCVD设备指标生产能力：2（1英寸）基片，6片/批；基片温度及精度：30012001；升温速度：10/s；载片台转速：10200rpm（转数/分）；反应室压控范围(fnwi)：；界面友好，操作简单。一、一、LEDLED芯片制造芯片制造(zhzo)(zhzo)设备设备第44页/共65页第四十四页，共66页。2、MOCVD设备操作培训(pixn)与就业 2008年7月24日，中国（深圳）国际半导体照明展览会期间， “MOCVD技术国际短期(dun q)培训班”。最新的MOCVD技术。“GaN基发光二极管结构表征方法

22、”“基于MOCVD生产的高功率光电子器” “MOCVD硬件及维护” “用于产品监测的光学在位测量技术发展近况”一、一、LEDLED芯片制造芯片制造(zhzo)(zhzo)设备设备设备的操作与维护及其重要第45页/共65页第四十五页，共66页。3、重要(zhngyo)的MOCVDMOCVD已经成为工业界主要使用的镀膜技术。使用MOCVD这种镀膜技术制作LED的外延片，即在衬底上镀多层膜。外延片是LED生产的上游产业，在光电产业中扮演重要(zhngyo)的角色。有些专家经常用一个国家或地区拥有MOCVD外延炉的数量来衡量这个国家或地区的光电行业的发展规模。三、三、LEDLED外延外延(wiyn)(

23、wiyn)片的制作片的制作第46页/共65页第四十六页，共66页。四、LED对外延片的技术(jsh)要求1、外延材料具有适合的禁带宽度2、外延材料的发光复合(fh)几率大3、p型n型两种外延材料的电导率要高4、外延层的完整性四、四、LEDLED对外延对外延(wiyn)(wiyn)片的技术要求片的技术要求第47页/共65页第四十七页，共66页。1、外延材料具有适合(shh)的禁带宽度禁带宽度决定发射波长：=1240/EgLED的峰值(fnzh)发射波长（nm）Eg外延材料的禁带宽度（eV）Eg由材料性质决定，可以通过调节外延材料的组分调整Eg。四、四、LEDLED对外延片的技术对外延片的技术(j

24、sh)(jsh)要求要求第48页/共65页第四十八页，共66页。2、外延材料(cilio)的发光复合几率大LED的发光原理：pn结处的空穴(knxu)和电子的复合发光，同时伴有热产生，复合几率大，则发光效率高。InGaAlP材料，调整Ga-Al组分，改变Eg，得到黄绿到深红的LED波长。但改变组分的同时使得直接跃迁半导体材料变为间接跃迁，影响发光效率。四、四、LEDLED对外延对外延(wiyn)(wiyn)片的技术要求片的技术要求第49页/共65页第四十九页，共66页。3、p型n型两种外延(wiyn)材料的电导率要高影响电导率的因素：掺杂浓度、温度、均匀性。掺杂浓度：不应小于11017/cm3

25、参杂温度：MOCVD反应(fnyng)腔温度及材料特性参杂均匀型：MOCVD气流平稳、气压四、四、LEDLED对外延片的技术对外延片的技术(jsh)(jsh)要求要求第50页/共65页第五十页，共66页。4、外延(wiyn)层的完整性外延层的完整性：晶体的错位和空位(knwi)缺陷，氧气等杂质。影响完整性的因素：不同的外延技术、同一外延技术不同的设备，同一设备不同的操作人员。四、四、LEDLED对外延片的技术对外延片的技术(jsh)(jsh)要求要求第51页/共65页第五十一页，共66页。5、外延(wiyn)片检测表面平整度厚度(hud)的均匀性径向电阻分布四、四、LEDLED对外延对外延(w

26、iyn)(wiyn)片的技术要求片的技术要求第52页/共65页第五十二页，共66页。5、外延(wiyn)片检测外延(wiyn)片（晶圆）抽取九个点做参数测试四、四、LEDLED对外延片的技术对外延片的技术(jsh)(jsh)要求要求第53页/共65页第五十三页，共66页。5、SSP3112-WLED外延片光色(uns)电参数测试仪杭州星谱光电科技(kj)有限公司四、四、LEDLED对外延对外延(wiyn)(wiyn)片的技术要求片的技术要求第54页/共65页第五十四页，共66页。5、SSP3112-WLED外延片光色(uns)电参数测试仪四、四、LEDLED对外延片的技术对外延片的技术(jsh

27、)(jsh)要求要求第55页/共65页第五十五页，共66页。五、LED芯片(xnpin)电极P极和N极制作引脚封装结构中，看到LED结构有内部(nib)电极和外部电极。更一般的情况，任何半导体器件最终都要通过电极引线与外部电路相连接。五、五、LEDLED芯片电极芯片电极(dinj)P(dinj)P极和极和NN极的制作极的制作第56页/共65页第五十六页，共66页。1、欧姆接触(jich)电阻定义：电极金属与半导体接触部分电极，电流-电压（I-V）呈现线性关系，线性关系比值(bzh)R=U/I，因此相当于一个阻值很小的电阻，称为欧姆接触电阻。欧姆电阻对LED器件的影响：欧姆电阻与内部pn结串联如

28、果欧姆电阻大，则LED正向工作电压大，注入效率低器件发热、亮度下降，寿命缩短。结论：LED芯片的pn结电极直接影响LED器件的质量。五、五、LEDLED芯片电极芯片电极(dinj)P(dinj)P极和极和NN极的制作极的制作第57页/共65页第五十七页，共66页。2、pn结电极(dinj)的制作工艺光刻真空电子束蒸发湿法腐蚀(fsh)剥离五、五、LEDLED芯片电极芯片电极(dinj)P(dinj)P极和极和NN极的制作极的制作第58页/共65页第五十八页，共66页。3、pn结电极(dinj)材料p型电极：镍/铜（Ni/Au）良好的透光性和电学特性。n型电极：进行合金化目的减小电极之间的影响(

29、yngxing)。但进行进行合金化的过程也会对p型电极产生影响(yngxing)，保持p型电极在对n型电极进行合金化的过程中保持不变非常重要。五、五、LEDLED芯片芯片(xn pin)(xn pin)电极电极P P极和极和NN极的制作极的制作第59页/共65页第五十九页，共66页。4、pn结电极(dinj)L型电极：芯片上要两个电极V型电极：相对L型电极，芯片上只要一个电极，导热性能好，光输出功率高，大电流(dinli)LED工作的I-P特性好五、五、LEDLED芯片电极芯片电极(dinj)P(dinj)P极和极和NN极的制作极的制作第60页/共65页第六十页，共66页。5、蓝宝石衬底与碳化

30、硅衬底的LED芯片不同(btn)的电极五、五、LEDLED芯片芯片(xn pin)(xn pin)电极电极P P极和极和NN极的制作极的制作第61页/共65页第六十一页，共66页。激光切割外延(wiyn)片成芯片六、LED外延(wiyn)片的切割成芯片六、六、LEDLED外延外延(wiyn)(wiyn)片的切割成芯片片的切割成芯片第62页/共65页第六十二页，共66页。芯片(xnpin)分选机六、六、LEDLED外延外延(wiyn)(wiyn)片的切割成芯片片的切割成芯片第63页/共65页第六十三页，共66页。小 结MOCVDMOCVD外延(wiyn)(wiyn)片的制作：包括衬底的选择、MO

31、CVDMOCVD镀膜技术简介、成品外延(wiyn)(wiyn)片的检测。LEDLED芯片电极的制造。LEDLED芯片的切割、分选。第64页/共65页第六十四页，共66页。感谢您的观看(gunkn)！第65页/共65页第六十五页，共66页。内容(nirng)总结LED芯片制造的工艺流程属LED上游产业靠设备。五、LED芯片电极P极和N极的制作。选择衬底依据：根据设备和LED器件(qjin)的要求进行选择。该设备承担并完成国家“863”、国防“973”计划项目和江苏省自然科学基金等多项研究任务。设备参数和配置： 外延片32 英寸/炉。3、 p型n型两种外延材料的电导率要高。LED的峰值发射波长（nm）。参杂温度：MOCVD反应腔温度及材料特性。第64页/共65页第六十六页，共66页。