《23第六章6.3沟道电导与阈值电压资料》由会员分享，可在线阅读，更多相关《23第六章6.3沟道电导与阈值电压资料（29页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、Physics of Semiconductor DevicesPhysics of Semiconductor Devices沟道电导与阈值电压沟道电导与阈值电压实际实际MOS的的C-V特性特性Physics of Semiconductor DevicesOutline1、阈值电压(Threshold voltage)2、沟道电导(Channel conductance)3、实际MOS的C-V特性 （1）影响C-V特性的因素 功函数的影响(Work function) 界面陷阱和氧化物电荷的影响 （2）实际MOS阈值电压 （3）实际MOS的C-V特性Physics of Semicondu
2、ctor DevicesMOSFET阈值电压VTH是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。在实际应用中往往规定漏电流达到某一值(如50A)时的栅源电压为阈值电压。同时，从使用角度讲，希望阈值电压VTH小一些好。由于阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此，它是MOSFET的非常重要参数。一一 阈值电压阈值电压Physics of Semiconductor DevicesVGVTH，才出现负的感应沟道电荷QI，则有阈值电压：或：强反型时的表面势强反型时所需要的
3、电压：Physics of Semiconductor Devices沟道电导定义：二二 沟道电导沟道电导Physics of Semiconductor DevicesPhysics of Semiconductor DevicesxIPhysics of Semiconductor Devices对于铝的功函数比P型硅的小(前者的费米能级比后者的高)构成MOS系统，当达到热平衡时，系统的费术能级为常数；功函数差的存在使面对二氧化硅一侧的硅表面形成空间电荷区。空间电荷区中能带将向下弯曲；这意味着当MOS系统没有外加偏压时，半导体表面就存在着表面势S，且S0。因此，欲使能带平直，即除去功函数差
4、所带来的影响，就必须在金属电极上加一负电压。三三 实际实际MOSMOS的的C-VC-V特性特性1. 1. 功函数的影响功函数的影响Physics of Semiconductor DevicesVG=0时，由于金属-半导体功函数差导致空间电荷区能带向下弯曲铝的修正功函数硅的修正功函数Physics of Semiconductor Devices使能带平直，需在金属电极上加一负电压：Physics of Semiconductor DevicesPhysics of Semiconductor Devices3.25eV1.1eV修正功函数：Physics of Semiconductor D
5、evices由于接触电势差的出现，使得平带状况所对应的外加偏压VG=0改变为VG=VG1。外加偏压VG的一部分VG1用于使能带平直，另一部分VGVG1起到理想MOS系统的作用。实际系统的电容C作为VGVG1的函数，与理想MOS系统的电容C作为VG的函数，在形式上应该是一样的。结论：结论：Physics of Semiconductor Devices2. 2. 界面陷阱和氧化物电荷的影响界面陷阱和氧化物电荷的影响热氧化形成的Si-SiO2系统中的各类电荷Physics of Semiconductor Devices界面陷阱电荷Qit，归功于Si-SiO2界面性质，并取决于界面的化学成分；在S
6、i-SiO2界面上的陷阱，其能级位于硅禁带之内。界面态密度(单位面积陷阱数)和晶面取向有关。在(100)面界面态密度比(111)面的约少一个数量级，对于硅(100)面，Qit很低，约1010cm-2，即大约105个表面原子才有一个界面陷阱电荷，对于硅(111)面， Qit约为1011cm-2 。 界面陷阱电荷QitPhysics of Semiconductor Devices氧比物固定电荷Qf位于Si-SiO2界面约3nm的范围内，这些电荷是固定的，在表面势S大幅度变化时，它们不能充放电。 Qf通常是正的，并和氧化、退火条件以及Si的晶面取向有关经过仔细处理的Si-SiO2系统，(100)面
7、的氧化层固定电荷密度的典型值为1010cm-2，(111)面的为51010cm-2。因为(100)面的Qit和Qf较低。故硅MOSFET一般采用(100)晶面。 氧化物固定电荷QfPhysics of Semiconductor Devices氧比物陷阱电荷Qot和二氧化硅缺陷有关。这些陷阱分布在二氧比硅层内；和工艺过程有关Qot大都可以通过低温退火来消除。 氧化物陷阱电荷QotPhysics of Semiconductor Devices可动离子电荷Qm(诸如钠离子和其他碱金属离子) 在高温和高压下工作时，它们能在氧化层内移动；半导体器件在高偏置电压和高温条件下工作时的可靠性问题可能和微量
8、的碱金属离子沾污有关。在高偏置电压和高温条件下，可动离子随着偏置条件的不同可以在氧化层内来回移动，引起C-V曲线沿电压轴移动。因此，在器件制造过程中要特别注意可动离子沾污问题。 可动离子电荷QmPhysics of Semiconductor Devices设单位面积上有正电荷Q0位于x处的一薄层内。这些正电荷会在正金属表面上感应一部分负电荷QM，在半导体表面感应出一部分负电荷QS，并且QM+QS=Q0；由于QS的出现，在没有外加偏正VG的情况下，半导体表面内也将出现空间电荷区，能带发生弯曲，半导体表面带有正的表面势S。 电荷对平带电压的影响Physics of Semiconductor D
9、evices显然,有：单位面积的总氧化层电容为克服该表面势，可以在金属电极上加一负电压VG2，使得金属上负的面电荷QM增加到与绝缘层中的正电荷Q0数值相等，这样使氧化层的正电荷发出电力全部终止到金属电极上而对半导体表面不发生影响。这时半导体表面恢复到平带情况(不考虑功函数差的影响)。即：Physics of Semiconductor Devices氧化层内薄层电荷的影响（其对平带电压的影响与它们的位置有关）VG2Physics of Semiconductor DevicesPhysics of Semiconductor Devices如果氧化层中正电荷连续分布，电荷体密度为(x)，则有：
10、式中：有效面电荷，依赖于其在绝缘层中的分布情况单位面积的电荷Physics of Semiconductor Devices同理，如果已知氧化层内陷阱电荷的体密度0t(x)和可动离子电荷体密度m(x) ，则可以得到Q0t和Qm，以及它们各自对平带电压的影响：把上述四种电荷称为氧化层电荷，记为Q0，在大多数情况下，在Si-SiO2界面上由表面态引起的电荷占优势。Physics of Semiconductor Devices取x=x03. 3. 实际阈值电压实际阈值电压V VTHTH实际阈值电压Physics of Semiconductor Devices4. 4. 实际实际MOSMOS电容的
11、电容的C-VC-V特性曲线特性曲线出现平带状态，由原来的理想MOS电容的VG=0，改变为： VG=VFB。一般情况下，VG的一部分VFB用来使能带平直，剩下一部分VGVFB起到理想MOS电容系统的作用。因此，C-V特性曲线整个平移一段距离VFB 。由于VFB 0 ，所以C-V特性曲线向左移动。Physics of Semiconductor Devices实际MOS电容的C-V特性曲线由于界面陷阱电荷作用，曲线c变形Physics of Semiconductor Devices由正的或负的固定氧化物电荷造成的C-V特性曲线沿电压轴的移动P型半导体N型半导体正的固定氧化物电荷负的固定氧化物电荷Physics of Semiconductor Devices思考题？试分析N型半导体功函数差和氧化物固定电荷对阈值电压的影响，并描述其实际MOS电容的C-V特性曲线。
