模拟电路总复习学习教案

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1、会计学1模拟模拟(mn)电路总复习电路总复习第一页，共121页。一、两种半导体和两种载流子两种载流子的运动(yndng)电子(dinz) 自由电子(z yu din z)空穴 价电子两 种半导体N 型 (多电子)P 型 (多空穴)二、二、二极管1. 1. 特性特性 单向导电导电正向电阻小(理想为 0)，反向电阻大()。第1页/共120页第二页，共121页。iDO uDU (BR)I FURM2. 2. 主要参数主要参数正向 最大平均(pngjn)电流 IF反向(fn xin) 最大反向工作电压 U(BR)(超过(chogu)则击穿)反向饱和电流 IR (IS)(受温度影响)IS第2页/共120

2、页第三页，共121页。3. 二极管的等效(dn xio)模型理想(lxing)模型 (大信号状态采用)uDiD正偏导通 电压(diny)降为零 相当于理想开关闭合反偏截止 电流为零 相当于理想开关断开恒压降模型UD(on)正偏电压 UD(on) 时导通 等效为恒压源UD(on)否则截止，相当于二极管支路断开UD(on) = (0.6 0.8) V估算时取 0.7 V硅管：锗管：(0.1 0.3) V0.2 V折线近似模型相当于有内阻的恒压源 UD(on)第3页/共120页第四页，共121页。4. 二极管的分析方法图解法微变等效电路法5. 特殊(tsh)二极管工作(gngzu)条件主要用途稳压(

3、wn y)二极管反 偏稳 压发光二极管正 偏发 光光敏二极管反 偏光电转换第4页/共120页第五页，共121页。三、两种半导体放大器件双极型半导体三极管(晶体(jngt)三极管 BJT)单极(dn j)型半导体三极管(场效应管 FET)两种载流子导电(dodin)单一载流子导电晶体三极管1. 形式与结构NPNPNP三区、三极、两结2. 特点基极电流控制集电极电流并实现放大第5页/共120页第六页，共121页。放大条件内因(niyn)：发射区载流子浓度高、 基区薄、集电区面积大外因(wiyn)：发射结正偏、集电结反偏3. 电流(dinli)关系IE = IC + IBIC = IB + ICEO

4、 IE = (1 + ) IB + ICEOIE = IC + IBIC = IB IE = (1 + ) IB 第6页/共120页第七页，共121页。4. 特性(txng)iC / mAuCE /V100 A80 A60 A40 A20 AIB = 0O 3 6 9 124321O0.4 0.8iB / AuBE / V60402080死区电压(diny)(Uth)：0.5 V (硅管) 0.1 V (锗管)工作电压(UBE(on) ) ：0.6 0.8 V 取 0.7 V (硅管) 0.2 0.3 V 取 0.3 V (锗管)饱和区截止(jizh)区第7页/共120页第八页，共121页。i

5、C / mAuCE /V100 A80 A60 A40 A20 AIB = 0O 3 6 9 124321放大(fngd)区饱和区截止(jizh)区放大(fngd)区特点：1)iB 决定 iC2)曲线水平表示恒流3)曲线间隔表示受控第8页/共120页第九页，共121页。5. 参数(cnsh)特性(txng)参数电流放大(fngd)倍数 = /(1 ) = /(1 + )极间反向电流ICBOICEO极限参数ICMPCMU(BR)CEOuCEOICEOiCICMU(BR)CEOPCM安 全 工 作 区= (1 + ) ICBO过损耗区第9页/共120页第十页，共121页。 例.在晶体管放大电路中，

6、测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示。试判断(pndun)各晶体管的类型（是PNP管还是NPN管，是硅管还是锗管），并区分e、b、c三个电极。第10页/共120页第十一页，共121页。小 结第一节 放大(fngd)电路组成及工作原理一、 基本(jbn)放大电路定义 由一个放大元件所构成(guchng)的简单放大电路。 放大元件：三极管、场效应管二、基本放大电路组成第二章 放大电路基础第11页/共120页第十二页，共121页。(共射级放大电路)_C2_ui+RCRBRLuoUCCC1+第12页/共120页第十三页，共121页。三、各元件(yunjin)作用 四.放大电路的组成(z chn)原则

7、1. 电路中要有放大元件，而且电源的设置应与三极管的类型相匹配，使三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，以保证三极管工作(gngzu)在放大状态。 对于NPN管，必须使：UBE0，UBCIB ，则UBQ URB1RB1RB2UEQ UBQUBEQ直流通路RERcRB1RB2UBI1I2+UccIIIEUEIEQ= = UEQ REUBQUBEQ RE第24页/共120页第二十五页，共121页。直流通路RERcRB1RB2UBI1I2+UccIIIEUEICQ IEQ = UBQUBEQ REUCEQ = UCCICQRC IEQRE = UCCICQ (RC+RE)IBQ = ICQ Q值仅

8、与电阻和电源数值有关，而基本(jbn)与管子的参数无关 。注意： 该电路计算Q点应从(yn cn)UB入手：UBQUEQIEQICQIBQ、UCEQ第25页/共120页第二十六页，共121页。= RL rbe Auri= RB1 RB2 rberO RC.RLUo.e.Ii+RCRB+Ui.bc_ _ _rbeIbIb.I Ic c第26页/共120页第二十七页，共121页。IiIbUo.+RLRCrbe+RE1IbIe.Ui.ebc._ _ _RB 第27页/共120页第二十八页，共121页。 基本放大(fngd)电路的三种组态3.4.1 共集电极放大电路(dinl) 射极输出器1、电路(d

9、inl)结构+C1C2RBRLRE+RsUs+UccUiUO第28页/共120页第二十九页，共121页。2、静态(jngti)分析RBRE+UccIBQ = UCCUBEQRB + (1+ )REUCEQ = UCCIEQRE= UCCICQREICQ = IBQ+C1C2RBRLRE+RsUs+UccUiUO第29页/共120页第三十页，共121页。3、动态分析1）求电压放大(fngd)倍数Au+C1C2RBRLRE+RsUs+UccUiUOUo= Ie(RE RL) = (1+) IbREUi =Ib rbe+Ie RE = Ib rbe+ (1+ )Ib RE (1+ ) RE rbe

10、+ (1+ ) REAu UoUi 1Ic+Ui-+UO -RLRBrbeIbIiIbb cRERsUsI1第30页/共120页第三十一页，共121页。2）求输入电阻riUi =Ib rbe+Ie REIc+Ui-+UO -RLRBrbeIbIiIbb cRERsUsI1Ii =I1 +Ib= + Ui rbe+ (1+ ) RE Ui RBri = = RB rbe+ (1+ ) Ui IiREUi =I1 RBI1 = Ui RBIb= Ui rbe+ (1+ ) RERE= Ib rbe+ (1+ )Ib射极输出(shch)器的输入电阻较大第31页/共120页第三十二页，共121页。Ic

11、+Ui-+UO -RLRBrbeIbIiIbb cRERsUsI1）求输出电阻roIc+RBrbeIbIbb cRERsUIIReI = IRe + Ib + Ib = (1+ )URE Urbe+ RS射极输出(shch)器的输出(shch)电阻很小。(RE )rbe+ RS 1+ rbe+ RS 1+ = RE rbe+ RS 1+ ro第32页/共120页第三十三页，共121页。（a）作多级放大电路(dinl)的输入极。（b）作多级放大电路(dinl)的输出极。）特点(tdin)和应用（c）作多级放大电路的缓冲级由于ro较小，可提高电路的带载能力。由于ri较大，可提高输入信号的利用率。特

12、点:ri较大， ro较小， Au 1应用:第33页/共120页第三十四页，共121页。3.4.2、共基极放大(fngd)电路1、电路(dinl)结构C2+UccRB1RB2CBRCRE+UoRL+UiRsUsC1（习惯划法）RL+UiRsUs+UoRB1RB2RERCC1C2CB+UCC（基本电路）第34页/共120页第三十五页，共121页。2、静态(jngti)分析C2+UccRB1RB2CBRCRE+UoRL+UiRsUsC1直流通路RERcRB1RB2UBI1I2+UccIIIEUEICQ IEQ = UBQUBEQ REUCEQ = UCCICQRC IEQRE = UCCICQ (R

13、C+RE)IBQ = ICQ 第35页/共120页第三十六页，共121页。3、动态分析C2+UccRB1RB2CBRCRE+UoRL+UiRsUsC1IcRcRERLRsUs+UoIeIiIb+Ui（交流通路）RcRERLRsUs+UoIi+UiIbIcIerbecbe（微变等效电路）第36页/共120页第三十七页，共121页。1）求电压放大(fngd)倍数Ui =Ib rbeUo =Ic RL RL rbeAuUoUi 2）求输入电阻RcRERLRsUs+UoIi+UiIbIcIerbecbeI1I1 = Ii + IeIb =UirbeIi =I1Ie= (1+ ) ( ) Ui rbe

14、Ui RE= RE rbe1+ ri第37页/共120页第三十八页，共121页。3）求输出电阻RcRERLRsUs+UoIi+UiIbIcIerbecbeI1Us =0，则 Ib =0,Ic =0ro = Rc4、三极管共基极电流(dinli)放大倍数 在共基极接法中，三极管的输入电流为Ie，输出(shch)电流为Ic，因此 1IcIe 1+ 第38页/共120页第三十九页，共121页。2.4.3、三种(sn zhn)组态的比较（总结） ri高，ro低，Au小于接近于1，无电压放大作用,具有电压跟随(n su)的特点；有电流放大作用。常用作电压放大电路的输入级与输出级 三种接法的主要(zhyo

15、)特点和应用 具有较大的电压、电流放大倍数，同时ri高，ro比较适中，故常用作放大电路的输入/输出/中间级；具有倒相作用。1共射电路：2射随:第39页/共120页第四十页，共121页。3共基电路(dinl)作输出(shch)级（输出(shch)阻抗低，带负载能力强） ri低，结电容影响(yngxing)小，频率特性好，常用于宽带放大器；ro高，可用作恒流源（在运放内部结构中可以看到它的应用）；无电流放大作用，有电压放大作用，且Uo与Ui同相。由于其输入阻抗高，对前级取电流小，对信号或前级无影响。多级放大电路的输入级/中间隔离级第40页/共120页第四十一页，共121页。2.4.3、三种(sn

16、zhn)组态的比较（总结） ri高，ro低，Au小于接近于1，无电压放大作用,具有电压跟随的特点；有电流(dinli)放大作用。常用作电压放大电路的输入级与输出级 三种(sn zhn)接法的主要特点和应用 具有较大的电压、电流放大倍数，同时ri高，ro比较适中，故常用作放大电路的输入/输出/中间级；具有倒相作用。1共射电路：2射随:第41页/共120页第四十二页，共121页。10080604020AIB=0uCE(V)543210 5 10 15 iC（mA）UiC1RcRB1RB2REUBI1I2C2UOUECE+UccII1K2K11K39K15V2K 如图所示放大电路，试：3）定出对应于

17、iB由0100 A时，UCE的变化范围，并由此计算Uo（正弦电压有效值）。1）画出直流负载线；求出Q点；2）画出交流负载线；第42页/共120页第四十三页，共121页。解: 1）UB UCCRB2RB1RB2 =15 = 3.3 V11391110080604020AIB=0uCE(V)543210 5 10 15 iC（mA）QICQ IEQ = UBQUBEQ RE= 2.6 mA2.6UCEQ = 7.2 V7.2UiC1RcRB1RB2REUBI1I2C2UOUECE+UccII1K2K11K39K15V2K第43页/共120页第四十四页，共121页。UCEM UCEQ ICQ RL

18、= 9.8 V10080604020AIB=0uCE(V)543210 5 10 15 iC（mA）4.89.8Q2.67.2UiC1RcRB1RB2REUBI1I2C2UOUECE+UccII1K2K11K39K15V2KUOM1UCEQUCES= 7.24.8=2.4 VUOM2UCEMUCEQ= 9.87.2=2.6 VUOM min(UOM1 ， UOM2)=2.4VUO=UOM2=1.7V第44页/共120页第四十五页，共121页。UiC1RcRBUBC2UO+UccII3K500K(+12V)RL2K如图电路，=100，试用微变等效电路法求解： 1)不接负载电阻时的电压放大倍数(b

19、ish)； 2)接负载电阻时的电压放大倍数(bish)； 3) ri 、 rO ； 4)信号源内阻RS 500的电压放大倍数(bish)。第45页/共120页第四十六页，共121页。v多级放大电路(dinl)的分析和动态参数的计算1、电压放大倍数(bish)Au：各级电压放大倍数(bish)之积。2、输入电阻：第一级放大(fngd)电路的输入电阻。3、输出电阻：最后一级的输出电阻。Au = Au1 Au2 Aun = Auknk=1ri = ri1ro= ron在分析多级放大电路时，要考虑前、后级之间的相互影响。通常把后一级的输入电阻看作前一级的交流负载电阻，即令： rLk= ri,k+1 。

20、第46页/共120页第四十七页，共121页。例1：如图所示两级阻容耦合放大电路(dinl)，已知：1= 2=50，计算该电路(dinl)的总的电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。C1RB1 100KRB2 200KRE13KC2RB433KRB515KRE21.5KRc2 2K+Ucc+12VuoRs2KusRB3 200KRL 6.2K+第47页/共120页第四十八页，共121页。UB1 UCCRB2RB1RB2 = 12 200 100 200= 8 VIB1 = UB1UBE1RB3 + (1+ ) RE1 0.02mA20AC1RB1 100KRB2 200KRE13KC2RB433KR

21、B515KRE21.5KRc2 2K+Ucc+12VuoRs2KusRB3 200KRL 6.2K+ICQ = IBQ 1mAUCE1=UCC-IC1RE1 =9 V第48页/共120页第四十九页，共121页。UB2 UCCRB5RB4RB5 = 12 15 3315= 3.7 VIE2 = =2mAUB2UBE2 RE2C1RB1 100KRB2 200KRE13KC2RB433KRB515KRE21.5KRc2 2K+Ucc+12VuoRs2KusRB3 200KRL 6.2K+IB2= =0.04mA=40 AIC2 UCE2 UCCIC2 ( RC 2+ RE 2) = 122( 2

22、+ 1.5)= 5V第49页/共120页第五十页，共121页。rbe1=300+(1+) () =1626 =1.6K26mVIE1mArbe2=300+(1+) () = 960 =0.96K26mVIE2mAic1ic2RLRB3RB2RB1RE1+uo Rc2RB5rbe22ib2ib2+ui1+uo1 rbe11Ib1ib1Rsus+ui2 RB4第50页/共120页第五十一页，共121页。RL1 = RE1 RL1 = RE1 ri2 = 0.67K (1+ ) RL1 rbe1 + (1+ ) RL1Au1 Uo1Ui 0.95RL1 = ri2 = RB4 RB5 rbe2 =

23、0.87Kic1ic2RLRB3RB2RB1RE1+uo Rc2RB5rbe22ib2ib2+ui1+uo1 rbe11Ib1ib1Rsus+ui2 RB4第51页/共120页第五十二页，共121页。= RL2 rbe2Au2= 78RL2 = RC2 RL = 1.5KAu = Au1 Au2 =0.95 (78) 75ic1ic2RLRB3RB2RB1RE1+uo Rc2RB5rbe22ib2ib2+ui1+uo1 rbe11Ib1ib1Rsus+ui2 RB4第52页/共120页第五十三页，共121页。ro= ro2 RC2 2Kri =ri1 =(RB3 + RB1 RB2) rbe1

24、+(1+ ) RE1 31.5 Kic1ic2RLRB3RB2RB1RE1+uo Rc2RB5rbe22ib2ib2+ui1+uo1 rbe11Ib1ib1Rsus+ui2 RB4第53页/共120页第五十四页，共121页。v基本差动放大(fngd)电路一、基本差动放大(fngd)电路UoR2R1R3R4UCCRBRcRSRBRcRSui1ui2uo1uo2uo+UccT1T2第54页/共120页第五十五页，共121页。二、抑制(yzh)零点漂移原理 当T iC1 iC2 ，由于两管对称， iC1= iC2 ， uC1= uC2 ， 理 想(lxing)情 况下，电路对称，ui=0时，IC1=

25、IC2，UC1=UC2， 所 以uo=UC1-UC2=0故：零漂移(pio y)被抑制。即RBRcRSRBRcRSui1ui2uo1uo2uo+UccT1T2第55页/共120页第五十六页，共121页。由 于 电 路 完 全 对 称 ， 两 管 uC的 变 化 相 同 ， 所 以(suy)uo=0，从而AC=0（实际上两管不可能完全对称，即 Uo0 ，但AC很小 ）。三、当有信号(xnho)输入时（ui=0）对称差放的工作情况(qngkung)分成以下几种来讨论：1、ui1=ui2（大小、 相位均相同）称为共模输入RBRcRSRBRcRSui1ui2uo1uo2uo+UccT1T2第56页/共

26、120页第五十七页，共121页。2、 ui1= ui2（ 大 小(dxio)相同、极性相反） 称为(chn wi)差模输入RBRcRSRBRcRSui1ui2uo1uo2uo+UccT1T2差模放大(fngd)倍数： （设ui1为正）即：与单管放大倍数相同。第57页/共120页第五十八页，共121页。3、ui1 ui2 (两个输入信号的大小和极性任意(rny)的)称为比较输入。问题(wnt)： 为什么要引入差放呢？引入差动电路(dinl)的主要目的是多用一个放大管来换取对零漂的抑制。可分解为共模分量和差模分量第58页/共120页第五十九页，共121页。四、共模(n m)抑制比CMRR：差模电压

27、(diny)放大倍数Ad对共模电压(diny)放大倍数Ac之比的绝对值。CMRR越高的差动放大电路，抑制零点漂移的能力越强。例：电路如图（见下页），已知 Rc=10k， RB=300k，RS=2k，rbe1=rbe2=1k， 1=2=50。 1）此电路若采用单端输出，能抑制零漂吗？2）若结构上完全(wnqun)对称，求差模电压放大倍数Ad和共模电压放大倍数Ac。第59页/共120页第六十页，共121页。RBRcRSRBRcRSui1ui2uo1uo2uo+UccT1T2AC=0icui1Rcuo1+RSR/2RB第60页/共120页第六十一页，共121页。v典型差动放大(fngd)电路长尾式差

28、放+UCCRcRSRcRSui1ui2uo1uo2uoT1T2RERP-UEE1、利用(lyng)差动抑制零漂一、工作(gngzu)原理2、利用RP调校对称性由于长尾电路的偏流由负电源UEE提供，所以RB可以不用，而保留RS采用该电路的优点：第61页/共120页第六十二页，共121页。3、利用RE稳定静态(jngti)工作点，抑制共模信号零漂。1）对于共模输入，iC1、iC2同时增加，iRE增加,uE升高，uBE减小，从而限制iC1、iC2的增加，RE起 共 模 电 流 负 反 馈(fnku)作用,RE共模反馈(fnku)电阻。+UCCRcRSRcRSui1ui2uo1uo2uoT1T2RER

29、P-UEEIRE2）对于差模输入(shr)， iC1= iC2 , iRE保持不变， UE=0，RE不起作用。第62页/共120页第六十三页，共121页。可见，RE引入的共模负反馈使AC减小了，降低了每个管子的零漂；但对Ad没有影响(yngxing)，因此提高了电路的共模抑制比。+UCCRcRSRcRSui1ui2uo1uo2uoT1T2RERP-UEEIRERE愈大，共模负反馈愈强，零漂越小。但是随着RE的增大，其上的直流压降也愈大，故引入一个负电源UEE来补偿RE上的压降，以免输出电压范围减小；同时(tngsh)也保证UB近似“0”电位。第63页/共120页第六十四页，共121页。两管对称

30、(duchn) 二、性能(xngnng)分析ICQIBQRCRS+UCCUEERERP/2IEIRE1静态(jngti)分析（Ui=0） ：IB1=IB2=IB IE1=IE2=IE=IRE/2IC1=IC2=IC+UCCRcRSRcRSui1ui2uo1uo2uoT1T2RERP-UEEIRE第64页/共120页第六十五页，共121页。ICQIBQRCRS+UCCUEERERP/2IEIRE根据(gnj)电路：第65页/共120页第六十六页，共121页。+UCCRcRSRcRSui1ui2uo1uo2uoT1T2RERP-UEEIRE2动态分析（ ui1=ui2 ） ：对于差模输入信号，由于

31、两管的输入信号幅度相等而极性相反，所以 iC1= iC2 , 流过RE的电流iRE保持不变， 则 uE=0，uE相当于一个固定电位，可等效作电源同样考虑，则在画交流通路(tngl)时可看作交流地，故得单管交流通路(tngl)如下： 1）等效电路：icui1Rcuo1+RSRP/2R/2第66页/共120页第六十七页，共121页。）放大(fngd)倍数： icui1Rcuo1+RSRP/2R/2当在两管的集电极间接入负载RL时，由于差动输入，一管uC升高(shn o)，另一管uC降低，RL中点的电位不变，相当于交流地，故可以认为每管各带一负载RL/2，所以 RL =RC/（RL/2）。第67页/

32、共120页第六十八页，共121页。ui=ui1-ui2，输入信号以电压的形式(xngsh)相加减，故可以认为两输入端口之间为串联的关系，所以差模输入电阻为：icui1Rcuo1+RSRP/2R/23）差动输入电阻ri4）差模输出电阻rori=2（RS+rbe）+（1+） RPro=2RC第68页/共120页第六十九页，共121页。 3.7 图P3.7所示电路参数(cnsh)理想对称，晶体管的均为50，=100，UBEQ0.7。试计算RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ，以及动态(dngti)参数Ad和Ri。第69页/共120页第七十页，共121页。 解：RW滑动端在中点(zh

33、n din)时T1管和T2管的发射极静态电流分析如下： Ad和Ri分析(fnx)如下： 第70页/共120页第七十一页，共121页。n n3.83.8差分放大电路如图所示。设差分放大电路如图所示。设差分放大电路如图所示。设差分放大电路如图所示。设VT1VT1、VT2VT2特性对称且特性对称且特性对称且特性对称且1122 100100，UBE1UBE1UBE2UBE2UBEUBE0.6V0.6V，rbb1rbb1rbb2rbb2rbbrbb240240 。试估算：。试估算：。试估算：。试估算：n n1 1VT1VT1、VT2VT2的静态工作电流、电压的静态工作电流、电压的静态工作电流、电压的静态

34、工作电流、电压(diny)(diny)：ICIC、ICEICE；n n2 2差模电压差模电压差模电压差模电压(diny)(diny)放大倍数放大倍数放大倍数放大倍数AudAud。第71页/共120页第七十二页，共121页。解：第72页/共120页第七十三页，共121页。第73页/共120页第七十四页，共121页。第74页/共120页第七十五页，共121页。功 放 复 习第75页/共120页第七十六页，共121页。v功率放大电路(dinl)的相关概念一、对功放的一般(ybn)要求（特点） 1、输出功率尽可能大。对共射接法： 2、非线性失真要(zhn yo)小。3、效率要高第76页/共120页第七

35、十七页，共121页。二、功放分类(fn li)1甲类功放Q点位于交流(jioli)负载线的中点（Q1）2乙类功放Q点位于截止边缘 （Q2此时(c sh)只 有信号的正半周起作用）3甲乙类功放Q点处于甲类和乙类之间（Q3 靠近截止区）功放的内部损耗主要是静态管耗（PC=ICQUCEQ ），从效率角度考虑，PC越小越好，显然乙类功放管耗最小，其次是甲乙类，但却都易引起失真。第77页/共120页第七十八页，共121页。v互补(h b)对称功率放大电路一、OTL电路(dinl)（Output Transformerless）RL+UCCT1T2ACL1静态(jngti)时，两管都工作于乙类状态； 2当

36、Ui在UCC /2上下变化时正半周时，T1导通，T2截止, CL充电，电流由电源提供；负半周时， T1截止, T2导通， CL放电，电流由电容CL提供。3. 电路缺点：信号较小时，有交越失真第78页/共120页第七十九页，共121页。二、OTL甲乙类互补(h b)对称电路RL+UCCT1T2CL三、OCL甲乙类互补(h b)对称功放RL+UCCT1T2UCC第79页/共120页第八十页，共121页。v采用(ciyng)复合管的功率输出级复合管（达林顿管）复合管的类型由第一(dy)管决定，第一(dy)管的类型相同（若第一(dy)管为PNP管，则复合管为PNP型），且b、c、e各极与第一(dy)管

37、相同。T2T1T1T2T1T2第80页/共120页第八十一页，共121页。运 放 复 习第81页/共120页第八十二页，共121页。v运放结构(jigu)特点：、因硅片上不能制作大电容，故级间采用(ciyng)直接耦合；、为减少环境温度和干扰等影响，多采用(ciyng)对称电路（如差动电路）和复合电路来改善电路性能；、因为硅片上不易制作高阻值电阻，所以大量采用电流源代替大电阻；、集成晶体管和场效应管因制作工艺不同，性能上有较大差异，所以在集成运放中常采用复合形式。第82页/共120页第八十三页，共121页。v集成运放(yn fn)的组成输入电阻大，输出电阻小，抑制零漂能力强，可输出较大(jio

38、 d)的功率。v理想(lxing)运算放大器1. 开环放大倍数Auo2. 差模输入电阻rid3. 开环输出电阻ro04. 共模抑制比CMRR 5失调电UOS、失调电流IOS及它们的温漂均为零6输入偏置电流IB1=IB2=0uou-u+一、理想运算放大器性能指标第83页/共120页第八十四页，共121页。1. 运放工作(gngzu)在线性区时，有两条重要结论：即：输入电流(dinli)等于0虚断。 同相输入端和反相输入端近似等电位虚短。二、开环电压(diny)传输特性2非线性区（饱和区） (1) 当u+ u， uo =+Uo(sat) (2) 当u+ IB ，则。Q值仅与电阻和电源数值有关，而基本与管子的参数无关。UBQUEQIEQICQIBQ、UCEQ。常用作电压放大电路的输入级与输出级。常用作电压放大电路的输入级与输出级。多级放大电路的输入级/中间隔离级。2、输入电阻：第一级放大电路的输入电阻。2画出F电路，列出F表达式第一百二十一页，共121页。