《集成电子技术基础教程：第1篇 第一章 电子器件的特性与模型》由会员分享，可在线阅读，更多相关《集成电子技术基础教程：第1篇 第一章 电子器件的特性与模型（25页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、第一章第一章 电子器件的特性与模型电子器件的特性与模型 第二章第二章 半导体器件的工作机理半导体器件的工作机理 包括半导体器件（二极管、双极型晶体管、场效应管）的结构、特性和参数，以及集成电子器件的制造工艺 1 1 半导体二极管的伏安特性及其模型半导体二极管的伏安特性及其模型 一、器件结构符号一、器件结构符号 点接触型(b)、面结合型(c)、平面型二极管(d)按材料分类有：硅二极管和锗二极管二、主要特性1、伏安特性 开启电压（门坎电压）Vth 硅管为0.5V, 锗管为0.1V。在恒压区，硅管导通压降为0.6V-0.8V; 锗管为0.2-0.3V（1）正向特性：（2 ）反向特性 承受反向电压(小
2、于击穿电压V(BR),)反向电流很小 硅管为nA数量级；锗管为uA数量级结论：二极管具有单向导电性（3 ）反向击穿特性 雪崩击穿发生在低掺杂的PN结中，反向击穿电压较高（大于7V）齐纳击穿发生在高掺杂的PN结中，反向击穿电压较低（小于4V）在47V时，上述两种击穿可同时存在 反向击穿后应限制反向电流的增加（4 ）温度特性反向饱和电流增加；正向电流升高（相当与保持正向电流不变，所需的正偏压减少）PN结正向电压具有负温度特性负温度特性三、半导体二极管的主要参数半导体二极管的参数主要有以下几个：1 . 正向最大整流电流IF2 . 反向击穿电压V（BR) 通常将此电压 的一半作为允许的最高反向电压VR
3、M3 . 反向电流IR4 . 结电容CJ 正偏时为扩散电容，反偏时为势垒电容四、 二极管基本应用电路分析举例1、二极管模型非线性器件，进行线性化处理（1） 大信号模型（a）理想化模型 （b）恒压降模型理解理解“图解法图解法”、“解析法解析法”、“模型法模型法”（2）. 小信号模型将二极管特性局部线性化与静态工作点有关与静态工作点有关2、基本应用电路分析例子（1） 全波整流电路每个二极管平均电流：二极管承受反向峰值电压：（2） 限幅保护电路（上下）（3）组成逻辑门电路（与门）（4） 低压稳压电路小信号模型小信号模型例：设VI12V，限流电阻R5.1K,若VI变化 10，问输出电压VO变动多少？解
4、：(1)当VI12V时， VO1.4V可求出二极管中的电流ID，并求出微变电阻rd利用变化量等效电路：求出VO变化很小，约为0.5%,基本稳定五、五、 特种二极管特种二极管1、稳压二极管 （1） 结构、特性与参数 稳定电压VZ 动态电阻 最大允许耗散功率PZM 最大稳定电流 （2） 稳压管的应用电路试设计一个稳压管稳压电路，设外加输入电压VI=12V。输出电压VO=6V。稳压管稳定电压VZ6V，最小稳定电流为10mA，最大稳定电流为30mA。3、光电二极管2、发光二极（LED）开启电压和正向电压较大（1.3V2.4V)4、变容二极管与肖特基二极管变容二极管变容二极管这种二极管在高频电子电路中应用较多，使用时PN结加反向偏置。肖特基二极管
