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1、半导体用湿式化学品的应用半导体用湿式化学品的应用 半导体用湿式化学品的应用半导体用湿式化学品的应用前言湿式化学品的种类及主要作用半导体制程中使用的高纯度湿式化学品原理简介洗净用高纯度湿式化学品洗净用高纯度湿式化学品HCl/H2O2/H2O(SC2):S利用双氧水氧化污染的金属，而盐酸与金属离子生成可溶性的氯化物而溶解。SHCl:H2O2:H2O=1:1:6，在70度下进行510分钟的清洗 SC1、SC2标准溶液都属于RCA制程洗净用高纯度湿式化学品洗净用高纯度湿式化学品H2SO4/H2O2(Piranha Clean, Caro Clean):S利用硫酸及双氧水的强氧化性和脱水性破坏有机物的碳
2、氢键，去除有机不纯物。SH2SO4:H2O2=24:1，在130度高温下进行1015分钟的浸泡洗净用高纯度湿式化学品洗净用高纯度湿式化学品HF/H2O(DHF)或或HF NH4F/H2O(BHF):S 清除硅晶圆表面自然生成的氧化层，通常使用稀释后的氢氟酸（0.49%2%）或以氢氟酸和氟化铵生成的缓冲溶液SHF:NH4F=1:200400，在室温下进行1530秒的反应光刻用高纯度湿式化学品光刻用高纯度湿式化学品光阻-树脂、感光剂、溶剂光阻稀释液-PGMEA PGME，清除晶圆残余光阻显影剂-TMAH TEAH二氧化硅层蚀刻采用HF及NH4F的缓冲溶液。多晶硅层蚀刻采用HF、CH3COOH 、H
3、NO3、三种成分的混合液刻蚀用高纯度湿式化学品刻蚀用高纯度湿式化学品刻蚀用高纯度湿式化学品刻蚀用高纯度湿式化学品氮化硅层蚀刻采用85%H3PO4在160170度高温下进行蚀刻铝导线蚀刻采用己硝酸、磷酸及醋酸等多种无机酸混合液化学机械抛光用高纯度湿式化学品化学机械抛光用高纯度湿式化学品研磨液（slurry)S界电层平坦化研磨液溶有硅土（Silica,SiO2)的KOH或NH4OH溶液S金属层平坦化研磨液溶有矾土（Al2O3)的Fe(NO3)3或H2O2溶液化学机械抛光用高纯度化学机械抛光用高纯度湿式湿式化学品化学品研磨后清洗液S使用稀释的氨水去除研磨后残留的粒子S使用氢氟酸去除微量的金属污染物S在铜制程中，一般不使用无机的酸碱，通常使用化学性质较为温和的有机酸或有机碱，在添加一定的活性剂和獒合剂动力部管辖范围内的化学品
