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1、惰性电路和晶体管开关课件开关断开时：开关断开时：I = 0,I = 0,开关两端电阻为开关两端电阻为。开关闭合时：开关闭合时：R = 0, R = 0, 开关两端电压为开关两端电压为0 0。开开关动作瞬时完成。关动作瞬时完成。以上三点不受温度等环境因素影响。以上三点不受温度等环境因素影响。 在脉冲与数字电路中，晶体管经常被当作开关（电子开关）来使用，那么晶体管工作于开关状态其开关特性是什么？ 开关元件的作用是能把电路接通接通和断开断开。接通就是要元件呈现很小的电阻，最好接近于短路；断开就是要元件呈现很大的电阻，最好接近于开路。惰性电路和晶体管开关课件硅二极管的伏安特性如图所示： 由于二极管具有
2、单向导电性，外加正向电压时导通外加正向电压时导通，外外加反向电压时截止加反向电压时截止。所以，二极管是受外加电压极性控制的开关。正向特性：正向特性： 硅二极管导通，伏安特性曲线非常陡峭。正向压降为0.7V的恒压源。反向特性：反向特性： 硅二极管截止，反相电流很小，一般在1以下，反相运用时，硅二极管相当于断开的开关。惰性电路和晶体管开关课件锗二极管的伏安特性如图所示：正向特性：正向特性： 锗二极管导通，正向伏安特性变化缓慢。正向压降随正向电流的增加而增加。可用等效电阻RD表示。反向特性：反向特性： 锗二极管截止，反向电流较大，一般在0.010.3m。通常用恒流源表示反向反向偏置锗二极管。恒流源的
3、大小等于锗二极管的反向电流值。 通常情况下，可以将硅、锗二极管看作是理想开关，截通常情况下，可以将硅、锗二极管看作是理想开关，截止认为开路，导通视为短路。止认为开路，导通视为短路。惰性电路和晶体管开关课件2.2.二极管反向恢复时间：二极管反向恢复时间：理想情况下：理想情况下：当 VI = VF 时，二极管正偏而导通。当 VI = -VR时，二极管反偏而截至。 二极管由导通变为截止状态是不能瞬间完成。+ +- -VIVDF惰性电路和晶体管开关课件实际情况，二极管反偏时：实际情况，二极管反偏时：当 VI = VF 时，二极管导通。当 VI由VF下跳到VR瞬间， 二极管仍然导通，PN结两端仍有很小管
4、压降。只有经过一段时间t R以后，流经二极管的电流才近似等于反向电流 IO 。t R ：反向恢复时间。t R = t s + t ft s ：存储时间。t f ：下降时间。反向电流+ +- -VIVDF惰性电路和晶体管开关课件 PN结正偏时，在外电压作用下，PN结两端多数载流子不断向对方扩散，P P区区的空穴空穴扩散到N N区区，N N区区的电子电子扩散到P P区区。P区存有大量电子，N区存有大量空穴。当外加电压由当外加电压由V VF F下跳到下跳到V VR R时：时： P区积累的大量电子被反向电场拉回到N区， N区积累的大量空穴被反向电场拉回到P区。形成电子、空穴漂移电流，这两个漂移电流就构
5、成了反向电流 i R = -VR/RL 。存储时间存储时间 t ts s : 反向电流 i R 使存储电荷逐渐消失,靠近空间电荷区的存储电荷消失的比较快,当空间电荷区的边界处没有存储电荷时,二极管由正偏转向反偏。存储时间结束。下降时间下降时间 t tf f : 二极管由正偏转向反偏以后，反向电流随漂移电流的减少而减小。一般认为反向电流近似为 ：0.1 VR / RL时，下降时间 t f 结束。t t R R一般只有几个一般只有几个 ns ns惰性电路和晶体管开关课件惰性电路和晶体管开关课件、限幅原理：、限幅原理： 利用二极管单向导电性,完成限幅。在理想模型下,VD 0 二极管导通。VD 0,
6、D 导通，VO = Vi 。当 Vi E , D 导通。 VO = Vi Vi V1 ，D2 正偏导通，D1反偏截止。D1能否导通看 A 点电位。Vi VA ： D1 止、 D2 导。 VO=VAVA Vi V2：D1 导、D2 止。 VO=V2 并联双向限幅器用同样分析方法。在输入端不加信号时：输入电压ViVA,D1才会导通。V2和VA分别为两个二极管导通或截止的分界。+ +- -V1VID1R1VO+ +- -V2D2R2限幅电平为VA的下限器幅限幅电平为V2的上限器幅惰性电路和晶体管开关课件下面主要讨论寄生电容对二极管限幅器的影响。寄生电容寄生电容：接线电容、下一级输入电容之和。 前面对
7、二极管限幅器的分析没有考虑二极管的开关惰性和寄生电容的影响，其结果只适应于低速工作场合。在高速工作时，二极管的开关惰性和寄生电容的影响是不能忽略的。二极管限幅器作高速应用时：二极管限幅器作高速应用时： 首先选用高速开关二极管，其反向恢复时间远小于工作周期。所以其开关惰性和结电容可以忽略不计。 其次要注意输出端寄生电容对输出波形有较大的影响，限幅电阻越大，对波形影响也就越大。惰性电路和晶体管开关课件首先输入理想方波当：VI=-E2,D截止VO=0当：VI从-E2跳变为+E1时，D导通。 +E1通过rd向CO充电。充电时常数充电时常数r rd d c co o当：VI从+E1跳变为-E2时，D截止
8、。 CO通过电阻R放电。放电时常数放电时常数RCRCO O输出电压上升时间：输出电压下降时间： 由于由于RrRrd d，所以，所以下降时间要比上升时下降时间要比上升时间慢的多。间慢的多。 要改善下降边，要改善下降边，必须减小必须减小R R。减小。减小R R又会带来输出幅度减又会带来输出幅度减小。小。 所以串连限幅器所以串连限幅器的下降边要比上升边的下降边要比上升边差很多。差很多。VOVIRCOD惰性电路和晶体管开关课件当：VI=-E2,D导通，VO=0当：VI从-E2跳变为+E1时，D截止。 +E1通过R向CO充电。输出电压上升时间：输出电压上升时间：当：VI从+E1跳变为-E2时， 二极管能
9、不能导通？ 由于电容上电压不能突变，D仍然截止。VO以时常数RCO从+E1趋向于-E2放电。放电三要素：放电三要素：输出电压：VIDRCOVO惰性电路和晶体管开关课件 当：输出电压VO下降到低于零时，二级管立即导通，且将输出电压限制在0V。所以令VO=0,代入公式，求出下降时间tf:如果E1=E2:并联限幅器下降沿比上升沿要陡峭。惰性电路和晶体管开关课件串连限幅具有陡峭的上升沿。串连限幅具有陡峭的上升沿。并连限幅具有陡峭的下降沿。并连限幅具有陡峭的下降沿。串连限幅具有陡峭的下降沿。串连限幅具有陡峭的下降沿。并连限幅具有陡峭的上升沿。并连限幅具有陡峭的上升沿。在工程设计中根据实际需要进行选择。在工程设计中根据实际需要进行选择。惰性电路和晶体管开关课件
